CN214192569U - 超声波飞行传感器的封装结构及测距电子装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种超声波飞行传感器的封装结构及测距电子装置。通过将超声波换能器封装在由第一基板、侧板和第二基板限定出的腔室中，并将专用集成电路芯片封装在第二基板背离腔室的外表面上，进而可以显著缩减腔室的尺寸，实现对超声波在腔室内产生的谐振频率的调整，使得腔室内产生的谐振频率可以较大程度的远离超声波换能器的工作频率，有效降低了由于封装引入的谐振对超声波飞行传感器的发射与接收效率的影响。

Description

超声波飞行传感器的封装结构及测距电子装置

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，特别涉及一种超声波飞行传感器的封装结构及测距电子装置。

背景技术

微超声波换能器(Micromachined Ultrasonic Transducer，MUT)可用于实现声波信号和电信号的转换，其在各种场景中被大量应用。具体的，可以将微超声波换能器和相应的芯片封装在一起以用于构成超声波飞行传感器，该类传感器可应用于距离测量或者探测前方是否有障碍物等。基于MEMS微细加工工艺制备的微超声波换能器可满足终端设备对传感器小型化、低功耗的需求，在未来具有广阔的市场。而针对具有该微超声波换能器的超声波飞行传感器而言，如何进一步提高其器件性能一直是本领域的一个重要研究方向。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种超声波飞行传感器的封装结构，以解决封装后的超声波飞行传感器的工作频率一致性变差以及易受到封装结构影响的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种超声波飞行传感器的封装结构，包括：

第一基板，所述第一基板开设有声孔；

第二基板；

侧板，所述侧板围设于所述第一基板和所述第二基板之间以限定出一腔室；

超声波换能器，设置于所述腔室内，并位于所述第一基板上；以及，

专用集成电路芯片，设置于所述腔室外，并位于所述第二基板上，其中，所述专用集成电路芯片通过侧板与所述第一基板上的所述超声波换能器电学连接。

可选的，所述超声波换能器为半导体工艺制作的压电超声换能器，所述压电超声换能器具有一空腔和与所述空腔连通的开孔。

可选的，所述超声波换能器的开孔朝向所述声孔设置于所述第一基板。

可选的，所述超声波换能器通过键合引线电学连接至所述第一基板。

可选的，所述超声波换能器包括形成有空腔的衬底，并且在所述衬底中还形成有通孔互连件，所述超声波换能器通过所述通孔互连件电学连接至所述第一基板。

可选的，所述专用集成电路芯片通过键合引线电学连接至所述第二基板。

可选的，在所述专用集成电路芯片上还形成有焊接凸点，并使所述专用集成电路芯片通过所述焊接凸点倒装至所述第二基板上。

可选的，在所述第二基板上还形成有塑封层，所述塑封层封盖所述专用集成电路芯片。

可选的，在所述第二基板远离所述腔室的一侧上还形成有焊球，以用于与外部电路电学连接。

如上所述的超声波飞行传感器的封装结构，本实用新型还提供了一种测距电子装置，其相应的包含如上所述的超声波飞行传感器的封装结构，所述超声波飞行传感器用于发射超声波信号并接收被障碍物反射回的超声波信号以进行测距。

在本实用新型提供的超声波飞行传感器的封装结构中，通过研究发现，封装超声波飞行传感器的封装结构中腔室对超声波换能器的频率响应存在影响。由于超声波飞行传感器在制作中各超声波飞行传感器的工作频率存在一定的波动范围，然而封装结构在制作过程中腔室的高度也会有些许容差存在，而腔室对超声波飞行传感器的频率响应的影响，易增大各个超声波飞行传感器工作性能之间的差别，进而影响同一批半导体工艺制作的超声波飞行传感器在封装后其工作性能的一致性和/或稳定性。

通过模拟仿真测试，发现减小超声波飞行传感器的封装结构中，超声波换能器所在的腔室高度，可减小或者消除腔室高度对超声波飞行传感器工作频率的影响。因此，本申请所提出的超声波飞行传感器的封装结构利用第一基板、侧板和第二基板限定出用于构成声学内腔的腔室，并将超声波换能器封装在该腔室内部，而将专用集成电路芯片封装该腔室之外，可以减小封装结构中腔室的高度。一方面可以有效调整超声波在腔室内产生的谐振频率能够较大程度的远离超声波换能器的工作频率，有效降低了由于封装引入的谐振对超声波飞行传感器的发射与接收效率的影响；另一方面，虽然利用半导体工艺制作的超声波换能器一定程度上已经将超声波传感器的尺寸相对分立器件所制作的超声波传感器得到大幅的降低，然而本申请所提供的超声波飞行传感器的封装方案还可以相应的缩减超声波飞行传感器的封装结构其整体横向平面尺寸，减小封装后整个超声波飞行传感器的占用的平面面积。

附图说明

图1为一种超声波飞行传感器的封装结构的示意图。

图2为本实用新型实施例一中的超声波飞行传感器的封装结构的示意图。

图3为本实用新型实施例二中的超声波飞行传感器的封装结构的示意图。

图4为本实用新型实施例三中的超声波飞行传感器的封装结构的示意图。

图5a为本实用新型实施例四中的超声波飞行传感器的一种封装结构的示意图。

图5b为本实用新型实施例四中的超声波飞行传感器的另一种封装结构的示意图。

图6a为超声波飞行传感器的封装结构其腔室高度为1350μm时所对应的频率响应线。

图6b为超声波飞行传感器的封装结构其腔室高度为650μm时所对应的频率响应线。

其中，附图标记如下：

10-超声波换能器；

20-专用集成电路芯片；

30-腔室；

100-腔室；

110-第一基板；

110a-声孔；

120-第二基板；

130-侧板；

200-超声波换能器；

210-衬底；

210a-空腔；

220-振膜；

300-专用集成电路芯片；

400-塑封层；

500-焊球。

具体实施方式

为降低超声波飞行传感器所占用的横向面积，可将超声传感器中半导体工艺制作的超声波换能器和专用集成电路芯片以堆叠方向进行封装和组合，可减小超声波飞行传感器的横向尺寸。其中一个实施例，具体可参考图1所示的一种超声波飞行传感器的封装结构，该类封装形式中，将超声波换能器(MUT)10与专用集成电路芯片(ASIC芯片)20通过引线键合封装在由上下基板与侧板形成的腔室30内。即，图1所示的封装结构中，超声波换能器(MUT)与专用集成电路芯片(ASIC芯片)均封装设置在声学内腔中。这种封装结构，可以避免ASIC芯片暴露在腔室外而受到外面污染物的污染。

然而经过研究发现，这种封装结构，超声波换能器所在腔室高度对整个超声波飞行传感器的工作频率会产生干扰。

通过对超声波换能器封装于不同尺寸的腔室进行仿真，可获得图6a和图6b的频率响应图。图6a为超声波飞行传感器的封装结构其腔室高度为1350μm时所对应的频率响应线，图6b为超声波飞行传感器的封装结构其腔室高度为650μm时所对应的频率响应线。首先，参考图6a所示，一个示例中腔室高度为1350μm，则超声波在腔室内所产生的谐振频率fc(fc大约为127kHz)相对较接近超声波换能器200的工作频率fp(fp大约为122kHz)，具体为超声波在腔室内产生的谐振频率fc相对于超声波换能器200的工作频率fp的偏离值小于10kHz。接着，参考图6b所示，基于本实用新型的技术构思所提供的封装结构(可参考以下实施例一至实施例四所示的封装结构)，例如可以降低腔室100高度至650μm，此时工作过程中所产生的超声波在腔室中所产生的谐振频率fc’(fc’大约为175kHz)即可以很大程度的远离超声波换能器200的工作频率fp，具体为超声波在腔室内产生的谐振频率fc’相对于超声波换能器200的工作频率fp的偏离值大于50kHz，有效降低了该谐振频率fc’对超声波飞行传感器的工作效率的影响。

此外，还需要说明的是，根据超声波在腔室内所产生的谐振频率fc和腔室的高度尺寸的对应关系，则理论上可能存在通过增加腔室的高度尺寸可降低腔室的谐振频率fc，进而使腔室的谐振频率fc在低于超声波换能器200的工作频率fp的方向上远离超声波换能器200的工作频率fp。然而针对这种可能性，本申请的发明人经过进一步的探究和仿真模拟后发现，在实际应用中即使较大程度的增大腔室的高度尺寸，然而腔室的谐振频率fc仍难以较大程度的在低于超声波换能器200的工作频率fp的方向上远离超声波换能器200的工作频率fp。

基于以上研究，本申请提供了一种超声波飞行传感器的封装结构，以减小或者消除封装结构中超声波换能器所在的腔室在超声波换能器工作时对其干扰。

本申请提供了一种超声波飞行传感器的封装结构，包括第一基板、侧板和第二基板，并利用第一基板、侧板和第二基板限定出一腔室，并使超声波换能器设置在所述腔室内，以及还创造性的将专用集成电路芯片设置在所述腔室之外。如此减小超声波换能器所在腔室的高度，进而能够降低或消除由于封装腔室对超声波飞行传感器工作时的影响。

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的超声波飞行传感器的封装结构作进一步详细说明。根据下面的说明，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。以及，附图中所示的诸如“上方”，“下方”，“顶部”，“底部”，“上方”和“下方”之类的相对术语可用于描述彼此之间的各种元件的关系。这些相对术语旨在涵盖除附图中描绘的取向之外的元件的不同取向。例如，如果装置相对于附图中的视图是倒置的，则例如描述为在另一元件“上方”的元件现在将在该元件下方。

实施例一

图2为本实用新型实施例一中的超声波飞行传感器的封装结构的示意图。如图2所示，所述超声波飞行传感器的封装结构包括第一基板110、第二基板120和侧板130，所述侧板130围设于所述第一基板110和所述第二基板120之间以限定出一腔室100(即，声学内腔)。即，所述侧板130支撑在所述第一基板110和所述第二基板120之间，以利用所述侧板130实现第一基板110和所述第二基板120之间的机械支撑，并由所述侧板130、所述第一基板110和所述第二基板120围绕出所述腔室100。

进一步的，所述侧板130中还形成有金属连接件(图中未示出)，以使得所述第一基板110和所述第二基板120可通过所述侧板130中的金属连接件电学连接。

继续参考图2所示，所述超声波飞行传感器的封装结构还包括超声波换能器200，所述超声波换能器200设置在所述第一基板110上且位于所述腔室100内，以用于发射和/或接收声波，并实现声波信号和电信号的转换。本实施例中，所述超声波换能器200通过键合引线电学连接至所述第一基板110。

其中，所述超声波换能器200可以为利用半导体工艺制作而成的电容微型超声换能器(CMUT)，或者也可以为半导体工艺制作的压电微型超声换能器(PMUT)。具体的，所述超声波换能器200可利用MEMS微细加工半导体工艺制备形成。更具体的，所述超声波换能器200具有用于发射接收超声波的振膜和由所述振膜所覆盖的空腔，并且所述超声波换能器200以其空腔朝向第一基板110的方向设置在所述第一基板110上。以及，所述第一基板110对应于所述空腔的部分还开设有声孔110a，所述声孔110a的位置和所述超声波换能器200的空腔位置对应，以通过所述声孔110a进行声波信号的传输。进一步的方案中，所述压电超声换能器还具有与所述空腔连通的开孔(图中未示出)，并使所述超声波换能器的开孔朝向所述第一基板的声孔110a设置。

具体而言，所述超声波换能器200的振膜在压电效应的驱动下可向振膜两侧发射超声波，其中朝向声孔一侧的超声波即可经由所述声孔110a传播出，以及腔室100在超声波换能器200工作时会产生谐振频率fc。其中，腔室内所产生的谐振频率fc越接近所述超声波换能器200的工作频率fp，则对超声波飞行传感器工作时所产生的影响也越大。

继续参考图2所示，所述超声波飞行传感器的封装结构还包括专用集成电路芯片300，所述专用集成电路芯片300设置在所述第二基板120背离所述腔室100的外表面上。本实施例中，所述专用集成电路芯片300通过键合引线电学连接至所述第二基板120。以及，所述第二基板120通过所述侧板130和所述第一基板110电学连接，进而可使电学连接至所述第一基板110的超声波换能器200能够和所述专用集成电路芯片300电学连接。

需要说明的是，由于所述专用集成电路芯片300设置于所述腔室100之外，而未设置在所述腔室100的内部，因此在腔室100内并不需要为专用集成电路芯片300预留额外的封装空间，从而可以减小腔室100的高度。

本实施例中，以第一基板110指向第二基板120的方向定义为高度方向，在将专用集成电路芯片300设置在所述腔室100之外，此时，至少有利于降低所述腔室100的高度(例如可使所述腔室100的高度至少降低200μm)，从而可实现在超声波换能器工作时，将所述腔室100中所产生的谐振频率fc调整为远离所述超声波换能器200的工作频率fp(例如，将超声波在腔室中所产生的谐振频率fc调整为相对于超声波换能器200的工作频率fp至少偏离20kHz，即，│fc-fp│≥20kHz)，进而可降低由于封装结构对超声波飞行传感器工作时的影响。

具体而言，针对通用的超声波飞行传感器的封装结构而言，在其工作过程中，超声波在腔室内所产生的谐振频率fc往往大于超声波换能器200的工作频率fp，以及通过降低腔室100的高度可以相应的增大超声波在腔室内所产生的谐振频率fc。基于此，本实施例中，通过减小腔室100的高度，可以使得超声波在腔室内所产生的谐振频率fc更大程度的远离超声波换能器200的工作频率fp，以减小在超声波换能器工作时，腔室内的谐振频率对超声波换能器的干扰。

进一步的，在所述第二基板120上还形成有塑封层400，所述塑封层400封盖所述专用集成电路芯片300，以塑封保护所述专用集成电路芯片300。

这种通过键合引线方式将超声波换能器与第一基板电学连通的方式为较为常见的芯片安装方式。超声波换能器安装在此腔室内时，腔室的高度需预留出引线弧度的高度以及芯片本身的厚度等总体需要的高度。虽然，依据前面所提供的仿真结果图，腔室的高度越低，其在超声波换能器工作时，腔室所产生的谐振频率离超声波换能器的工作频率越远，因此对其影响就越小。然而，此产品中腔室的高度，可以依据仿真和测试结果，实际确定腔室所产生的谐振频率的位置而可视为不干扰超声波换能器的正常工作时来确定腔室的高度。这样可以在减小封装结构中腔室对超声波飞行传感器工作影响的同时，也可以平衡封装制作工艺中对封装超声波换能器时所需要的腔室高度。

实施例二

与实施例一中通过键合引线将专用集成电路芯片300电学连接至第二基板120上相比，本实施例的不同之处在于：利用芯片倒装技术将专用集成电路芯片300封装至第二基板120上。

图3为本实用新型实施例二中的超声波飞行传感器的封装结构的示意图。如图3所示，在所述专用集成电路芯片300上形成有焊接凸点，并使所述专用集成电路芯片300通过所述焊接凸点封装至第二基板120上。

相对于采用键合引线的方式将专用集成电路芯片300电学连接至第二基板120上，本实施例中将专用集成电路芯片300倒装至第二基板120上，即有利于在高度方向上省去引线键合时键合线的线弧高度(通常为35μm～80μm)，进一步缩减所述超声波飞行传感器的高度尺寸。

然而此种封装方式的整体制作成本相对实施例一中的成本会稍高一些。如果在整个封装后的超声飞行传感器的整体高度满足其应用电子设备中所提供的高度空间时，或者第一种实施例中的封装方式满足其应用电子设备中提供的空间时，也可以使用第一种实施例对超声波飞行传感器进行封装。

实施例三

与实施例二中通过键合引线将超声波换能器200电学连接至第一基板110上相比，本实施例的不同之处在于：所述超声波换能器200通过硅通孔工艺(Through silicon Via，TSV)电学连接至所述第一基板110上。

图4为本实用新型实施例三中的超声波飞行传感器的封装结构的示意图。如图4所示，所述超声波换能器200包括：形成有空腔210a的衬底210、以及形成在所述衬底210上并遮盖所述空腔210a的振膜220。并且，在所述衬底210中还形成有通孔互连件，以通过所述通孔互连件将所述超声波换能器200电学连接至所述第一基板110。

与实施例二相比，本实施例提供的超声波飞行传感器的封装结构，可以在高度方向上进一步省去超声波换能器200其引线键合时键合线的线弧高度，更大程度的缩减腔室100的高度尺寸；并且，还可以在宽度方向上也省去了引线键合所需预留的水平距离，进而可以有效缩减所述超声波飞行传感器其腔室100的宽度尺寸。例如，可以省去为引线键合所预留的至少400μm的宽度尺寸。

需要说明的是，本实施例中，不仅通过降低腔室100的高度以增大超声波在腔室内所产生的谐振频率fc，并且还进一步降低腔室100的宽度，即平面尺寸，实现了超声波在腔室内所产生的谐振频率fc能够进一步远离超声波换能器200的工作频率fp。

实施例四

本实施例中，在所述第二基板120上还形成焊球，以利用所述焊球500与外部电路电学连接。

图5a为本实用新型实施例四中的超声波飞行传感器的一种封装结构的示意图，图5b为本实用新型实施例四中的超声波飞行传感器的另一种封装结构的示意图。如图5a和图5b所示，在所述第二基板120上还形成焊球500，以用于实现所述超声波飞行传感器的整个封装结构与外部电路的电学连接。其中，所述焊球500高出于所述塑封层400，例如可使所述焊球500的高度大于100μm。

应当认识到，针对上述实施例一至实施例三中的封装结构而言，均可以在第二基板120上制备用于与外部电路电学连接的焊球500，以利用所述第二基板120构成对外连接的基准面。例如图5a所示的结构即是在实施例二中的封装结构的基础上进一步制备所述焊球500，以及图5b所示的结构则是在实施例三中的封装结构的基础上进一步制备焊球500。可见，如上实施例中的封装结构，可以利用第一基板110作为对外连接的基准面，也可以利用第二基板120作为对外连接的基准面，有利于灵活调整封装结构的基准面，以灵活适配外界需求。

需要说明的是，在如上实施例所述的超声波飞行传感器的封装结构中，通过将专用集成电路芯片300封装在腔室100的外部，从而可以有效降低所述腔室100的高度尺寸。以图5a所示的结构为例，以目前的键合工艺水平，对腔室的具体高度设置进行举例说明。例如，腔室100的高度尺寸结合目前键合工艺水平以及超声波换能器本身的厚度，设置为450μm。具体而言，所述腔室100的高度范围通常包括超声波换能器200的高度例如350μm、将超声波换能器贴附于第一基板上的贴片胶的高度例如为20μm、键合引线的线弧高度60μm、以及基板的翘曲和空间余量例如为70μm，进而能够实现腔室100的高度尺寸最大可降低至450μm。本实施例中，所述腔室100的高度尺寸可大于等于450μm，并可进一步小于等于1500μm。

如上所述，通过降低腔室100的高度尺寸，即可使超声波在腔室内所产生的谐振频率fc能够较大程度的偏离超声波换能器200的工作频率fp，有效缓解由于封装引入的谐振对超声波飞行传感器工作时的影响。

综上所述，在如上所述的超声波飞行传感器封装结构可以实现封装后的超声波飞行传感器之间性能的一致性较高，且比较稳定；另外，该超声波飞行传感器可以获得较小的尺寸，利于超声波飞行传感器集成于其他电子设备中。例如，所述超声波飞行传感器可进一步构成测距电子装置。具体而言，测距电子装置的工作原理例如包括：利用超声波飞行传感器实现声波发射超声波信号并接收被障碍物反射回的超声波信号，进而可通过计算发射和接收的时间差来进行测距。因此，当包括所述超声波飞行传感器的测距电子装置具备更高的声波发射和接收效率时，即相应的提高了测距电子装置的工作效率。

此外，基于如上所述的超声波飞行传感器的封装结构，下面对该封装结构的封装方法进行详细说明。具体的，所述超声波飞行传感器包括超声波换能器200和专用集成电路芯片300，其封装方法包括：

利用第一基板110、侧板130和第二基板120限定一腔室100，将所述超声波换能器200设置于所述腔室100内并电学安装在第一基板110上；以及，

将所述专用集成电路芯片300设置于所述腔室100外，并电学安装于所述第二基板120位于腔室100之外的表面，以减小所述腔室100沿所述第一基板110至所述第二基板120的距离；以及，

在所述第一基板110安装有所述超声波换能器200的位置开设一声孔110a，利于所述超声波换能器200通过所述声孔110a向所述腔室外发射和/或接收超声波信号。

需要说明的是，如上所述的封装方法中的各个步骤的先后执行顺序并不以上述文字的记载顺序为限。例如，可选的方案中，在将超声波换能器200设置于第一基板110上之前，即在所述第一基板110上优先形成声孔110a；或者，在将所述专用集成电路芯片300安装在第二基板120上之后，再将第一基板110、侧板130和第二基板120围设形成空腔100等。

下面以具体的示例解释说明本实施例中的超声波飞行传感器的一种封装方法。具体的，所述封装方法包括：提供第一基板110，并在第一基板110上封装超声波换能器200。

如图2和图3所示，封装在第一基板110上的所述超声波换能器200可通过键合引线电学连接所述第一基板110。或者，如图4所示，所述超声波换能器200还可通过通孔互连件电学连接所述第一基板110，其中所述通孔互连件的形成方法具体可包括：利用硅通孔工艺，刻蚀所述超声波换能器200的衬底以在衬底中形成通孔，并在所述通孔中填充导电材料，以形成连接所述超声波换能器200的引出电极的通孔互连件。继续参考图4所述，在将所述超声波换能器200封装至所述第一基板110上时，即可使所述通孔互连件的底端电学连接至所述第一基板110。

进一步的，所述封装方法还包括：提供第二基板120，并在第二基板120上封装专用集成电路芯片300。

继续参考图2所示，封装在第二基板120上的所述专用集成电路芯片300也可通过键合引线电学连接所述第二基板110。或者，参考图3和图4所示，所述专用集成电路芯片300还可利用芯片倒装工艺封装在所述第二基板120，并通过专用集成电路芯片300上的焊接凸点电学连接所述第二基板120。

以及，所述封装方法还包括：将所述第二基板120封盖在所述第一基板110的上方以限定出一腔室100，并使所述超声波换能器200位于所述腔室100内，以及使所述专用集成电路芯片300位于所述腔室100之外。即，所述第二基板120以其背离所述专用集成电路芯片300的一面封盖所述第一基板110封装有所述超声波换能器200的一面，以将所述声波换能器200封盖在所述腔室100。

本实施例中，在将所述第二基板120封盖在所述第一基板110的上方之前，还包括：在所述第一基板110或所述第二基板120上形成侧板130。具体的，所述侧板130可以形成在所述第一基板110封装有超声波换能器200的表面上，并位于所述超声波换能器200的侧边；或者，所述侧板130还可以形成在所述第二基板120背离所述专用集成电路芯片300的表面上。以及，在将所述第二基板120封盖在所述第一基板110的上方时，所述侧板130即支撑在所述第一基板110和所述第二基板120之间，以共同限定出所述腔室100。

此外，本实施例中，是优先在第一基板110上封装超声波换能器200，以及在第二基板120上封装专用集成电路芯片300，之后，再将第二基板120封装在第一基板110上。然而应当认识到，在其他实施例中，也可以先将第二基板120封盖在封装有超声波换能器200的第一基板110上，之后，再将专用集成电路芯片300封装于所述第二基板120上。

进一步的，所述封装方法还包括：在所述第二基板120上形成塑封层400，所述塑封层400用于塑封保护所述专用集成电路芯片300。

在可选的方案中，所述封装方法还包括：在所述第二基板120上形成焊球500，所述焊球500用于实现所述封装结构与外部电路的电学连接。具体可参考图5a和图5b所示，所述焊球500的底部与所述第二基板120电学连接，并且所述焊球500的顶部略高出于所述塑封层400，以便于与外部电路连接。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统而言，由于与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。以及，上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本实用新型的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本实用新型实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。

Claims (10)

1.一种超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，包括：

第一基板，所述第一基板开设有声孔；

第二基板；

侧板，所述侧板围设于所述第一基板和所述第二基板之间以限定出一腔室；

超声波换能器，设置于所述腔室内，并位于所述第一基板上；以及，

专用集成电路芯片，设置于所述腔室外，并位于所述第二基板上；

其中，所述专用集成电路芯片通过侧板与所述第一基板上的所述超声波换能器电学连接。

2.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，所述超声波换能器为半导体工艺制作的压电超声换能器，所述压电超声换能器具有一空腔和与所述空腔连通的开孔。

3.如权利要求2所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，所述超声波换能器的开孔朝向所述声孔设置于所述第一基板。

4.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，所述超声波换能器通过键合引线电学连接至所述第一基板。

5.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，所述超声波换能器包括形成有空腔的衬底，并且在所述衬底中还形成有通孔互连件，所述超声波换能器通过所述通孔互连件电学连接至所述第一基板。

6.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，所述专用集成电路芯片通过键合引线电学连接至所述第二基板。

7.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，在所述专用集成电路芯片上还形成有焊接凸点，并使所述专用集成电路芯片通过所述焊接凸点倒装至所述第二基板上。

8.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，在所述第二基板上还形成有塑封层，所述塑封层封盖所述专用集成电路芯片。

9.如权利要求1所述的超声波飞行传感器的封装结构，其特征在于，在所述第二基板远离所述腔室的一侧上还形成有焊球，以用于与外部电路电学连接。

10.一种测距电子装置，其特征在于，包含如权利要求1～9任一项所述的超声波飞行传感器的封装结构，所述超声波飞行传感器用于发射超声波信号并接收被障碍物反射回的超声波信号以进行测距。

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