CN214123777U - 一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，属于高压开关设备技术领域。它解决了现有的真空断路器的固封极柱可靠性问题。本实用新型包括浇注体外壳和固封在浇注体外壳内的真空灭弧室，真空灭弧室的上端连接有高压导电杆，真空灭弧室的下端连接有低压导电杆，在低压导电杆上连接有相序陶瓷电容传感器和零序陶瓷电容传感器，相序陶瓷电容传感器包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体一，在圆柱状陶瓷体一的两端面分别固连有金属层，其中一个金属层通过金属连接件一与低压导电杆电连接，另一个金属层连接导线一，导线一的另一端作为输出端。本实用新型减小了固封极柱的体积，且内置电容不易被击穿，提高了可靠性。

Description

一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱

技术领域

本实用新型属于高压开关设备技术领域，涉及一种真空断路器固封极柱，特别涉及一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱。

背景技术

目前，现有的真空断路器，其电压传感器、电流传感器大多为外置型，装设在固封极柱外侧，通过户外电缆连接到断路器控制系统中，这种结构户外防护等级低、体积笨重，不符合现代化对电气设备精密性、安全性以及轻便性的要求，并且电压互感器的一、二次接线需单独连接，尤其二次线容易接错而引起事故。

另外，现有的取能装置电连接多为采用多只电容外部串联方式焊接于线路板上作为取能电源模块，同等体积同等场强下，容值小，抗干扰能力差，可靠性低。

中国专利申请号201911030519.3公开了一种真空断路器用一二次深度融合组合传感器，特点是每相电路中的真空灭弧室的下方设置有高压端相序聚丙烯电容、高压端零序聚丙烯电容、高压端取能聚丙烯电容；出线导电杆沿外圆周设置有电流固定块，电流固定块上设置有电流线圈，电流固定块的左侧设置有电流均压环；通过电流部分航空连接件汇总输出的电流信号与通过电压部分航空连接件汇总输出的电压信号通过传感器屏蔽总线输出电流电压相零序信号，交流取能信号通过交直流转换装置输出直流电压供电信号。该专利申请体积小、安装节省空间，减少现场接线，结构简单紧凑，性能优越。

但固封极柱空间较小，对体积更小的固封极柱也进一步提出了要求，但是缩小的体积会固封极柱的可靠性提出更高的要求。

发明内容

本实用新型的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，本实用新型所要解决的技术问题是：如何使真空断路器的固封极柱小型化后提高可靠性。

本实用新型的目的可通过下列技术方案来实现：一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，包括浇注体外壳和固封在浇注体外壳内的真空灭弧室，真空灭弧室的上端连接有高压导电杆，高压导电杆外端伸出浇注体外壳，真空灭弧室的下端连接有低压导电杆，低压导电杆水平设置并伸出浇注体外壳，其特征在于，在低压导电杆上连接有用于检测相序电压的相序陶瓷电容传感器和用于检测零序电压的零序陶瓷电容传感器，所述的相序陶瓷电容传感器包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体一，在圆柱状陶瓷体一的两端面分别固连有金属层，其中一个金属层通过金属连接件一与低压导电杆电连接，另一个金属层连接导线一，导线一的另一端作为输出端。

真空断路器用在高压设备中，通过浇注环氧树脂等绝缘材料将真空灭弧室等开关部件包覆住，实现防腐防尘防击穿。把零序陶瓷电容传感器和相序陶瓷电容传感器连接在低压导电杆上，降低了要求，并且采用陶瓷材质进一步来缩小体积，使得零序陶瓷电容传感器和相序陶瓷电容传感器的体积变小，并保证了可靠性。

在上述具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱中，所述圆柱状陶瓷体一的高度小于圆柱状陶瓷体一的直径，呈扁平状。

在上述具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱中，所述的零序陶瓷电容传感器包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体二，圆柱状陶瓷体二的高度大于圆柱状陶瓷体二的直径，呈长圆柱状，在圆柱状陶瓷体二的两端面上分别固连有金属片一和金属片二，所述的金属片一通过金属连接件二连接低压导电杆上，导线二焊接在金属片二的中部。通过这种结构形成轴向的电场。

在上述具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱中，所述的低压导电杆上固定有用于导电且呈L形的方铜条，所述方铜条的长边竖直向下设置，上述的零序陶瓷电容传感器和相序陶瓷电容传感器按上下顺序固定在方铜条的长边上。通过这种结构将两个电容传感器共线连接，且上下顺序布置后消除了寄生电容的影响，两个不同方向的电容电场也不会相互影响。

在上述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱中，所述真空灭弧室的下端设有中空的绝缘隔离罩，上述的相序陶瓷电容传感器合和零序陶瓷电容传感器在绝缘隔离罩一侧的浇注体外壳内。通过绝缘隔离罩给真空灭弧室下端的动触头的驱动提供连接通道，同时通过绝缘隔离罩的陶瓷材料和环氧树脂绝缘材料形成双层隔离。

在上述具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱中，所述的固封极柱下端设有接线盘，所述的导线一和导线二连接在接线盘上。

在上述具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱中，所述的固封极柱还包括电容式取能器，所述的电容式取能器的输入端与高压导电杆连接，电容式取能器的输出端通过导线三与接线盘连接。通过接线盘能够方便使用。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

1、本实用新型中，陶瓷材料的绝缘隔离罩和环氧树脂绝缘材料的浇注体外壳形成双层隔离。将零序陶瓷电容传感器和相序陶瓷电容传感器接在低压导电杆上，体积可以做小，同时可以提高了可靠性。

2、本实用新型采用L形铜条将两个陶瓷电容传感器共线连接，且上下顺序布置后消除了寄生电容的影响，两个不同方向的电容电场也不会相互影响，提高了可靠性。

附图说明

图1是本实用新型固封极柱的剖视结构示意图；

图2是本实用新型的L形铜条连接相序陶瓷电容传感器和零序陶瓷电容传感器的结构示意图；

图3是沿图2中剖视图结构示意图。

图中，1、浇注体外壳；2、真空灭弧室；3、高压导电杆；4、低压导电杆；5、绝缘隔离罩；6、相序陶瓷电容传感器；61、圆柱状陶瓷体一；62、金属层；63、导线一；64、金属连接件一；7、零序陶瓷电容传感器；71、圆柱状陶瓷体二；72、金属片一；73、金属片二；74、金属连接件二；75、导线二；10、电流互感器；11、接线盘；12、电容式取能器；13、导线三；14、方铜条。

具体实施方式

以下是本实用新型的具体实施例并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步的描述，但本实用新型并不限于这些实施例。

如图1所示，一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，包括由环氧树脂制成的浇注体外壳1和固封在浇注体外壳1内的真空灭弧室2，真空灭弧室2的上端连接有高压导电杆3，高压导电杆3外端伸出浇注体外壳1，真空灭弧室2的下端连接有低压导电杆4，低压导电杆4水平设置并伸出浇注体外壳1，在低压导电杆4上套设有电流互感器10，在真空灭弧室2下端设有中空的由陶瓷材料制成的绝缘隔离罩5，在绝缘隔离罩5一侧的浇注体外壳1内固封有用于检测相序电压的相序陶瓷电容传感器6和用于检测相序电压的相序陶瓷电容传感器7。

结合图1，图2和图3所示，具体来说，相序陶瓷电容传感器6包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体一61和固连在圆柱状陶瓷体一61两端面上的金属层62，其中一个金属层62通过金属连接件一64与低压导电杆4电连接，另一个金属层62的中部连接导线一63。圆柱状陶瓷体一61的高度小于圆柱状陶瓷体一61的直径，呈扁平状。

零序陶瓷电容传感器7包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体二71，圆柱状陶瓷体二71的高度大于圆柱状陶瓷体二71的直径，呈长圆柱状，在圆柱状陶瓷体二71的两个环形端面上固连有金属片一72和金属片二73，金属片一72通过金属连接件二74连接低压导电杆4上，导线二75焊接在固定在圆柱状陶瓷体二71的另一端面上的金属片二73的中部上，导线二75的另一端作为输出端。

固封极柱下端设有接线盘11，导线一63和导线二75连接在接线盘11上。固封极柱还包括电容式取能器12，电容式取能器12的输入端与高压导电杆3连接，电容式取能器12的输出端通过导线三13与接线盘11连接。

相序陶瓷电容传感器6和零序陶瓷电容传感器7共线连接，具体是在低压导电杆4上固定有用于导电且呈L形的方铜条14，方铜条14的长边竖直向下设置，相序陶瓷电容传感器6和零序陶瓷电容传感器7通过螺栓按上下顺序固定在方铜条14的长边上。通过这种结构将两个电容传感器共线连接，且上下顺序布置后消除了寄生电容的影响，两个不同方向的电容电场也不会相互影响。

真空断路器用在高压设备中，经过接线盘11，通过相序陶瓷电容传感器6和零序陶瓷电容传感器7连接电压检测仪表，获取数据，通过取能器取出低压电供给低压电路使用。

本文中所描述的具体实施例仅仅是对本实用新型精神作举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本实用新型的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。

Claims (7)

1.一种具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，包括浇注体外壳(1)和固封在浇注体外壳(1)内的真空灭弧室(2)，真空灭弧室(2)的上端连接有高压导电杆(3)，高压导电杆(3)外端伸出浇注体外壳(1)，真空灭弧室(2)的下端连接有低压导电杆(4)，低压导电杆(4)水平设置并伸出浇注体外壳(1)，其特征在于，在低压导电杆(4)上连接有用于检测相序电压的相序陶瓷电容传感器(6)和用于检测零序电压的零序陶瓷电容传感器(7)，所述的相序陶瓷电容传感器(6)包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体一(61)，在圆柱状陶瓷体一(61)的两端面分别固连有金属层(62)，其中一个金属层(62)通过金属连接件一(64)与低压导电杆(4)电连接，另一个金属层(62)连接导线一(63)，导线一(63)的另一端作为输出端。

2.根据权利要求1所述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，其特征在于，所述圆柱状陶瓷体一(61)的高度小于圆柱状陶瓷体一(61)的直径，呈扁平状。

3.根据权利要求1或2所述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，其特征在于，所述的零序陶瓷电容传感器(7)包括陶瓷材料制成的圆柱状陶瓷体二(71)，圆柱状陶瓷体二(71)的高度大于圆柱状陶瓷体二(71)的直径，呈长圆柱状，在圆柱状陶瓷体二(71)的两端面上分别固连有金属片一(72)和金属片二(73)，所述的金属片一(72)通过金属连接件二(74)连接低压导电杆(4)，导线二(75)焊接在金属片二(73)的中部。

4.根据权利要求3所述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，其特征在于，所述的低压导电杆(4)上固定有用于导电且呈L形的方铜条(14)，所述方铜条(14)的长边竖直向下设置，上述的零序陶瓷电容传感器(7)和相序陶瓷电容传感器(6)按上下顺序固定在方铜条(14)的长边上。

5.根据权利要求4所述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，其特征在于，所述真空灭弧室(2)的下端设有中空的绝缘隔离罩(5)，上述的相序陶瓷电容传感器(6)合和零序陶瓷电容传感器(7)固定在绝缘隔离罩(5)一侧的浇注体外壳(1)内。

6.根据权利要求5所述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，其特征在于，所述的固封极柱下端设有接线盘(11)，所述的导线一(63)和导线二(75)连接在接线盘(11)上。

7.根据权利要求6所述的具有一二次融合传感器的真空断路器固封极柱，其特征在于，所述的固封极柱还包括电容式取能器(12)，所述的电容式取能器(12)的输入端与高压导电杆(3)连接，电容式取能器(12)的输出端通过导线三(13)与接线盘(11)连接。

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