CN214013851U - 集成保护电路及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种集成保护电路及电子设备，所述电路包括保护控制电路和开关模块，保护控制电路的输入端和开关模块的输入端均与电源端连接，保护控制电路的输出端与开关模块的控制端连接，开关模块的输出端与负载连接；保护控制电路用于在检测到电源端的输入电压发生欠压、过压或反向时，向开关模块的控制端发送截止信号；保护控制电路还用于在电源端通电时向开关模块的控制端延时发送导通信号；开关模块用于在接收到截止信号或导通信号时将电源端与负载断开或连通。本实用新型利用整合后的电路实现欠压保护、过压保护、防打火保护和防反接保护，能够在复杂的实际使用场景中有效保护负载和后级电路，避免设备因电路异常而损坏。

Description

集成保护电路及电子设备

技术领域

本实用新型涉及电路电子领域，尤其涉及集成保护电路及电子设备。

背景技术

目前，各个电子设备需要通过适配电压进行供电运行或充电。在对设备进行插头的适配时，由于各种插头的形状、孔径相接近，设备容易与不合适的插头适配而导致损坏，并且使用者经常性热插拔也会导致电子设备损坏。

在实际使用场景中，使用适配器对电子设备进行供电而造成电子设备损坏的几种主要原因为：欠压、过压、打火以及反接。因此，有必要在电子设备与适配器连接时对电子设备进行保护，以避免发生上述现象而导致设备损坏。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种集成保护电路及电子设备，旨在解决电子设备上电时容易因欠压、过压、打火以及反接而导致设备损坏的问题。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种集成保护电路，包括保护控制电路和开关模块，所述保护控制电路的输入端与电源端连接，所述开关模块的输入端与电源端连接，所述保护控制电路的输出端与所述开关模块的控制端连接，所述开关模块的输出端与负载连接；

所述保护控制电路，用于在检测到电源端的输入电压发生欠压、过压或反向时，向所述开关模块的控制端发送截止信号；

所述保护控制电路，还用于在电源端通电时向所述开关模块的控制端延时发送导通信号；

所述开关模块，用于在接收到所述截止信号时将电源端与负载断开；在接收到所述导通信号时将电源端与负载连通。

可选地，所述开关模块包括第一MOS管、第二MOS管、第一电容及第一电阻，所述第一MOS管设置有体二极管，所述第一MOS管的漏极与电源端连接，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极与负载连接，所述第一MOS管的栅极与所述保护控制电路的输出端连接，所述第二MOS管的栅极与所述保护控制电路的输出端连接，所述第一电阻的第一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一电容的第一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第一电容的第二端与所述第二MOS管的栅极连接。

可选地，所述保护控制电路包括延时模块及控制模块，所述延时模块的输入端与电源端连接，所述延时模块的输出端与所述控制模块的输入端连接，所述控制模块的输出端与所述开关模块的控制端连接；

所述延时模块，用于在电源端通电时将输出至所述控制模块的电压进行延时升压。

可选地，所述延时模块包括第二电阻及第二电容，所述第二电阻的第一端与电源端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述控制模块的输入端及所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端接地。

可选地，所述控制模块包括第一稳压二极管及第一三极管，所述第一稳压二极管的负极与所述第二电阻的第二端连接，所述第一稳压二极管的正极与所述第一三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一三极管的发射极接地。

可选地，所述控制模块包括第三电阻及第一三极管，所述第三电阻的第一端与所述第二电阻的第二端连接，所述第三电阻的第二端接地，所述第一三极管的基极与所述第三电阻的第一端连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一三极管的发射极接地。

可选地，所述控制模块包括第三电阻及第一比较器，所述第三电阻的第一端与所述第二电阻的第二端连接，所述第三电阻的第二端接地，所述第一比较器的控制端与所述第三电阻的第一端连接，所述第一比较器的第一端分别与所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一比较器的第二端接地。

可选地，所述控制模块还包括第四电阻、第五电阻及第二三极管，所述第四电阻的第一端与电源端连接，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端接地，所述第二三极管的基极与所述第五电阻的第一端连接，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的基极或所述第一比较器的控制端连接，所述第二三极管的发射极接地。

可选地，所述控制模块还包括第四电阻、第五电阻及第二比较器，所述第四电阻的第一端与电源端连接，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端接地，所述第二比较器的控制端与所述第五电阻的第一端连接，所述第二比较器的第一端与所述第一三极管的基极或所述第一比较器的控制端连接，所述第二比较器的第二端接地。

此外，为实现上述目的，本实用新型还提供一种电子设备，所述电子设备包括集成保护电路及负载，所述集成保护电路被配置为如上所述的集成保护电路。

本实用新型通过设置保护控制电路和开关模块，能够在电源端与市电连接时延时向开关模块发送导通信号，由于电源端刚上电时开关模块为断开状态，电源端与负载未连通，负载或后级电路处于开路状态，开关模块在经过上电延时后才将电源端与负载连通，从而避免上电打火现象，实现防打火保护。保护控制电路还可以对电源端的输入电压进行监测，在监测到输入电压发生过压、欠压或电压反向时，能够及时向开关模块发送截止信号，以使电源端与负载断开，实现欠压保护、过压保护和防反接保护。通过对电路进行欠压保护、过压保护、防打火保护和防反接保护，能够在复杂的实际使用场景中有效保护负载和后级电路，避免设备因电路异常而损坏。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本实用新型集成保护电路一实施例的模块示意图；

图2为本实用新型集成保护电路第一实施例的电路结构示意图；

图3为本实用新型集成保护电路第二实施例的电路结构示意图；

图4为本实用新型集成保护电路第三实施例的电路结构示意图；

图5为本实用新型集成保护电路第四实施例的电路结构示意图。

本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

附图标号说明：

标号	名称	标号	名称
				10	保护控制电路	R3	第三电阻
20	开关模块	R4	第四电阻
				30	电源端	R5	第五电阻
40	负载	C1	第一电容
				11	延时模块	C2	第二电容
12	控制模块	ZD1	第一稳压二极管
				MOS1	第一MOS管	Q1	第一三极管
MOS2	第二MOS管	Q2	第二三极管
				R1	第一电阻	U1	第一比较器
R2	第二电阻	U2	第二比较器

具体实施方式

应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。

本实用新型提供一种集成保护电路，应用于电子设备中，该电子设备可以是通过与适配器连接进行供电或充电的设备。该集成保护电路用于在电路发生欠压、过压、打火以及反接等现象时保护电子设备的负载。

参见图1，在一实施例中，所述集成保护电路包括保护控制电路10和开关模块20。保护控制电路10的输入端与电源端30连接，开关模块20的输入端与电源端30连接，保护控制电路10的输出端与开关模块20的控制端连接，开关模块20的输出端与负载40连接。

电源端30可以为与电子设备连接的适配器，电源端30上电即为适配器与市电连接。在电源端30上电时，保护控制电路10可以在经过延时时长后向开关模块20的控制端发送导通信号，以使开关模块20将电源端30与负载40连通。在电源端30为负载40充电或供电的过程中，若保护控制电路10检测到电源端30的输入电压发生欠压、过压或电压反向时，保护控制电路10可以向开关模块20的控制端发送截止信号，以使开关模块20将电源端30与负载40断开。

在本实施例中，通过设置保护控制电路10和开关模块20，能够在电源端30与市电连接时延时向开关模块20发送导通信号，由于电源端30刚上电时开关模块20为断开状态，电源端30与负载40未连通，负载40或后级电路处于开路状态，开关模块20在经过上电延时后才将电源端30与负载40连通，从而避免上电打火现象，实现防打火保护。保护控制电路10还可以对电源端30的输入电压进行监测，在监测到输入电压发生过压、欠压或电压反向时，能够及时向开关模块20发送截止信号，以使电源端30与负载40断开，实现欠压保护、过压保护和防反接保护。通过对电路进行欠压保护、过压保护、防打火保护和防反接保护，能够在复杂的实际使用场景中有效保护负载40和后级电路，避免设备因电路异常而损坏。

一并参照图1和图2，上述开关模块20可以包括第一MOS管MOS1、第二MOS管MOS2、第一电容C1及第一电阻R1。第一MOS管MOS1设置有体二极管，第一MOS管MOS1的漏极与电源端30连接，第一MOS管MOS1的源极与第二MOS管MOS2的源极连接，第二MOS管MOS2的漏极与负载40连接，第一MOS管MOS1的栅极与保护控制电路10的输出端连接，第二MOS管MOS2的栅极与保护控制电路10的输出端连接，第一电阻R1的第一端与第一MOS管MOS1的源极连接，第一电阻R1的第二端与第一MOS管MOS1的栅极连接，第一电容C1的第一端与第二MOS管MOS2的源极连接，第一电容C1的第二端与第二MOS管MOS2的栅极连接。其中，电源端30可以通过V-IN端口与集成保护电路连接，负载40可以通过V-OUT端口与集成保护电路连接。

第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2可以为P沟道MOS管。在第一MOS管MOS1的栅极和第二MOS管MOS2的栅极接收到低电平信号时，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2导通；在第一MOS管MOS1的栅极和第二MOS管MOS2的栅极接收到高电平信号时，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2截止。即，保护控制电路10的输出端输出低电平信号即为导通信号，高电平信号即为截止信号。第一电阻R1为第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2的偏置电阻，第一电阻R1可以使得第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2保持截止。第一电容C1为充电电容，在电源端30上电时，输入电压通过第一MOS管MOS1上的体二极管为第一电容C1进行充电，第一电容C1充电后使得第一MOS管MOS1的栅极电平和第二MOS管MOS2的栅极电平高于截止电平，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2保持截止状态。

进一步地，上述保护控制电路10可以包括延时模块11及控制模块12。延时模块11的输入端与电源端30连接，延时模块11的输出端与控制模块12的输入端连接，控制模块12的输出端与开关模块20的控制端连接。在电源端30上电时，延时模块11能够将电源端30的输入电压进行延时升压，并将延时升压的电压输出至控制模块12。控制模块12在经过延时后才根据接收到的电压向开关模块20发送导通信号。即电源端30与市电插座连接时，开关模块20尚未将电源端30与后级电路或负载40导通，从而避免发生打火现象。

上述延时模块11可以包括第二电阻R2及第二电容C2。第二电阻R2的第一端与电源端30连接，第二电阻R2的第二端分别与控制模块12的输入端及第二电容C2的第一端连接，第二电容C2的第二端接地。第二电阻R2和第二电容C2通过充电起到延时升压的作用。在电源端30上电时，第二电容C2两端的电压不能突变，需要经过预设延时时长后第二电容C2两端的电压才能升至控制模块12的响应电压，从而使得控制模块12在经过延时时长后才能向开关模块20发送导通信号。

上述控制模块12可以包括第一稳压二极管ZD1及第一三极管Q1，第一稳压二极管ZD1的负极与第二电阻R2的第二端连接，第一稳压二极管ZD1的正极与第一三极管Q1的基极连接，第一三极管Q1的集电极分别与第一MOS管MOS1的栅极和第二MOS管MOS2的栅极连接，第一三极管Q1的发射极接地。其中，第一三极管Q1可以为NPN型三极管。

在电源端30的输入电压高于第一稳压二极管ZD1的稳压工作电压与第一三极管Q1的导通压降之和时，第一三极管Q1才会导通。若输入电压低于第一稳压二极管ZD1的稳压工作电压与第一三极管Q1的导通压降之和，则第一三极管Q1截止。例如，在输入电压为12V时，第一稳压二极管ZD1的稳压工作电压为7.5V，第一三极管Q1的导通压降为0.6V，此时欠压保护的临界电压为8.1V。输入电压12V高于临界电压8.1V，则第一三极管Q1的基极接收到高电平信号而导通，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2的栅极可以通过第一三极管Q1接地，从而使得第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2变为导通状态。输入电压12V即可通过第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2通过V-OUT端口输出至负载40。

而在输入电压低于8.1V时，第一三极管Q1的基极接收到的电压低于饱和导通电压，第一三极管Q1截止，此时第一MOS管MOS1和第二MOS管变为截止状态，将电源端30与负载40断开，避免负载40或后级电路因输入电压发生欠压而损坏，实现欠压保护。

如图3所示，在另一实施例中，上述第一稳压二极管ZD1和第一三极管Q1可以替换为第三电阻R3及第一三极管Q1，第三电阻R3的第一端与第二电阻R2的第二端连接，第三电阻R3的第二端接地，第一三极管Q1的基极与第三电阻R3的第一端连接，第一三极管Q1的集电极分别与第一MOS管MOS1的栅极和第二MOS管MOS2的栅极连接，第一三极管Q1的发射极接地。

第二电阻R2和第三电阻R3可以构成分压电路，在输入电压经过分压电路分压后，若第三电阻R3分压后的电压低于第一三极管Q1的导通电压，则第一三极管Q1为截止状态。例如，第二电阻R2为10kΩ，第三电阻R3为800Ω，第一三极管Q1的导通压降为0.6V，则输入电压低于8.1V时，第一三极管Q1的基极电压低于导通电压，第一三极管Q1截止，从而在输入电压低于临界电压8.1V时实现欠压保护。

如图4所示，在又一实施例中，上述第一稳压二极管ZD1和第一三极管Q1还可以替换为第三电阻R3及第一比较器U1，第三电阻R3的第一端与第二电阻R2的第二端连接，第三电阻R3的第二端接地，第一比较器U1的控制端与第三电阻R3的第一端连接，第一比较器U1的第一端分别与第一MOS管MOS1的栅极和第二MOS管MOS2的栅极连接，第一比较器U1的第二端接地。其中，第一比较器U1可以为AS431型电压比较器。

在第二电阻R2和第三电阻R3组成的分压电路对电源端30的输入电压进行分压后，若第一比较器U1接收到的电压高于预设电压，则第一比较器U1将第一MOS管MOS1的栅极和第二MOS管MOS2的栅极接地，以使第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2变为导通状态。若第一比较器U1接收到的电压低于预设电压，则第一比较器U1不工作，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2变为截止状态。

可以理解的是，无论采用第一比较器U1与第三电阻R3的组合还是第一三极管Q1与第三电阻R3的组合，第三电阻R3的阻值均可以进行相应调整，以实现欠压保护的临界电压调整。

需要说明的是，在适配器发生反接时，电源端30的输入电压反向，电压从地线流入第一三极管Q1的发射极，此时第一三极管Q1的基极和集电极为低电平，第一三极管Q1为截止状态，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2也为截止状态，此时电源端30与负载40断开，电流无法流过负载40或后级电路，从而实现反接保护。

请参照图5，上述控制模块12还可以包括第四电阻R4、第五电阻R5及第二比较器U2，第四电阻R4的第一端与电源端30连接，第四电阻R4的第二端与第五电阻R5的第一端连接，第五电阻R5的第二端接地，第二比较器U2的控制端与第五电阻R5的第一端连接，第二比较器U2的第一端与第一三极管Q1的基极或第一比较器U1的控制端连接，第二比较器U2的第二端接地。

第四电阻R4和第五电阻R5可以组成分压电路，分压后的电压流入第二比较器U2的控制脚。通过分压后的电压若大于第二比较器U2的参考电压VEF，则第二比较器U2导通，将第一三极管Q1的基极或第一比较器U1的控制端接地，此时第一三极管Q1截止或第一比较器U1不工作，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2变为截止状态。若分压后的电压不大于第二比较器U2的参考电压VEF，则第二比较器U2不工作。通过第二比较器U2可以在电源端30的输入电压过大时，将第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2变为截止状态，以避免电压过大损坏后级电路或负载40。其中，第二比较器U2可以为AS431型比较器芯片，VEF为2.5V，第四电阻R4为62kΩ，第五电阻R5为10kΩ，过压保护的临界电压为18V，在电源端30的输入电压大于18V时，第五电阻R5分压后输出至第二比较器U2的控制脚的电压大于2.5V，第二比较器U2将第一三极管Q1的基极接地，第一三极管Q1保持截止状态，此时第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2也变为截止状态，以实现过压保护。当电源端30的输入电压低于18V时，第五电阻R5分压后输出至第二比较器U2的电压小于2.5V，此时第二比较器U2不工作，第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2为导通状态。

如图2至图4所示，在另一实施例中，上述第二比较器U2可以替换为第二三极管Q2，第二三极管Q2的基极与第五电阻R5的第一端连接，第二三极管Q2的集电极与第一三极管Q1的基极或第一比较器U1的控制端连接，第二三极管Q2的发射极接地。其中，第二三极管Q2可以为NPN型三极管.

第四电阻R4和第五电阻R5组成分压电路对电源端30的输入电压进行分压后，若第五电阻R5分压后的电压低于第二三极管Q2的导通电压，则第二三极管Q2截止。若第五电阻R5分压后输出至第二三极管Q2基极的电压大于第二三极管Q2的导通电压，则第二三极管Q2导通，将第一三极管Q1的基极或所述第一比较器U1的控制端接地，使得第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2截止，从而实现过压保护。例如，第四电阻R4可以为290kΩ，第五电阻R5可以为10kΩ，第二三极管Q2的导通压降可以为0.6V，在电源端30输入电压大于18V时，第五电阻R5分压后的电压大于0.6V，此时第二三极管Q2导通，使得第一MOS管MOS1和第二MOS管MOS2截止。即，在输入电压大于18V时可以实现过压保护。

可以理解的是，在采用第二比较器U2或第二三极管Q2时，均可以与第一稳压二极管ZD1和第一三极管Q1、第三电阻R3和第一三极管Q1、第三电阻R3和第一比较器U1这三种实施例进行组合，在此不再一一图示。

需要说明的是，上述各个实施例中，通过比较器替代三极管以及通过电阻替代稳压二极管，均能够更为灵活地对临界电压值进行调整；而通过三极管替代比较器，则能够降低电路成本。

本实用新型还提供一种电子设备，该电子设备包括集成保护电路及负载，该集成保护电路的结构可参照上述实施例，在此不再赘述。理所应当地，由于本实施例的电子设备采用了上述集成保护电路的技术方案，因此该电子设备具有上述集成保护电路所有的有益效果。

以上仅为本实用新型的可选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种集成保护电路，其特征在于，包括保护控制电路和开关模块，所述保护控制电路的输入端与电源端连接，所述开关模块的输入端与电源端连接，所述保护控制电路的输出端与所述开关模块的控制端连接，所述开关模块的输出端与负载连接；

所述保护控制电路，用于在检测到电源端的输入电压发生欠压、过压或反向时，向所述开关模块的控制端发送截止信号；

所述保护控制电路，还用于在电源端通电时向所述开关模块的控制端延时发送导通信号；

所述开关模块，用于在接收到所述截止信号时将电源端与负载断开；在接收到所述导通信号时将电源端与负载连通。

2.如权利要求1所述的集成保护电路，其特征在于，所述开关模块包括第一MOS管、第二MOS管、第一电容及第一电阻，所述第一MOS管设置有体二极管，所述第一MOS管的漏极与电源端连接，所述第一MOS管的源极与所述第二MOS管的源极连接，所述第二MOS管的漏极与负载连接，所述第一MOS管的栅极与所述保护控制电路的输出端连接，所述第二MOS管的栅极与所述保护控制电路的输出端连接，所述第一电阻的第一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一电阻的第二端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一电容的第一端与所述第二MOS管的源极连接，所述第一电容的第二端与所述第二MOS管的栅极连接。

3.如权利要求2所述的集成保护电路，其特征在于，所述保护控制电路包括延时模块及控制模块，所述延时模块的输入端与电源端连接，所述延时模块的输出端与所述控制模块的输入端连接，所述控制模块的输出端与所述开关模块的控制端连接；

所述延时模块，用于在电源端通电时将输出至所述控制模块的电压进行延时升压。

4.如权利要求3所述的集成保护电路，其特征在于，所述延时模块包括第二电阻及第二电容，所述第二电阻的第一端与电源端连接，所述第二电阻的第二端分别与所述控制模块的输入端及所述第二电容的第一端连接，所述第二电容的第二端接地。

5.如权利要求4所述的集成保护电路，其特征在于，所述控制模块包括第一稳压二极管及第一三极管，所述第一稳压二极管的负极与所述第二电阻的第二端连接，所述第一稳压二极管的正极与所述第一三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一三极管的发射极接地。

6.如权利要求4所述的集成保护电路，其特征在于，所述控制模块包括第三电阻及第一三极管，所述第三电阻的第一端与所述第二电阻的第二端连接，所述第三电阻的第二端接地，所述第一三极管的基极与所述第三电阻的第一端连接，所述第一三极管的集电极分别与所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一三极管的发射极接地。

7.如权利要求4所述的集成保护电路，其特征在于，所述控制模块包括第三电阻及第一比较器，所述第三电阻的第一端与所述第二电阻的第二端连接，所述第三电阻的第二端接地，所述第一比较器的控制端与所述第三电阻的第一端连接，所述第一比较器的第一端分别与所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连接，所述第一比较器的第二端接地。

8.如权利要求5～6中任一项所述的集成保护电路，其特征在于，所述控制模块还包括第四电阻、第五电阻及第二三极管，所述第四电阻的第一端与电源端连接，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端接地，所述第二三极管的基极与所述第五电阻的第一端连接，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的基极或所述第一比较器的控制端连接，所述第二三极管的发射极接地。

9.如权利要求5～6中任一项所述的集成保护电路，其特征在于，所述控制模块还包括第四电阻、第五电阻及第二比较器，所述第四电阻的第一端与电源端连接，所述第四电阻的第二端与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端接地，所述第二比较器的控制端与所述第五电阻的第一端连接，所述第二比较器的第一端与所述第一三极管的基极或所述第一比较器的控制端连接，所述第二比较器的第二端接地。

10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括集成保护电路及负载，所述集成保护电路被配置为如权利要求1～9中任一项所述的集成保护电路。

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