CN214011560U - 一种新型镀膜晶棒 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种新型镀膜晶棒,包括由铽镓石榴石加工而成的晶棒本体，晶棒本体呈长方体状，晶棒本体具有第一透光面、第二透光面以及四个侧面，第一透光面上复合有第一增透膜，第一增透膜包括第一氧化铪膜层和第一二氧化硅膜层，第二透光面上复合有第二增透膜，第二增透膜包括第二氧化铪膜层和第二二氧化硅膜层，第一氧化铪膜层的厚度在490‑500纳米，第一二氧化硅膜层的厚度在260‑300纳米，第二氧化铪膜层的厚度在490‑510纳米，第二二氧化硅膜层的厚度在260‑300纳米，第一二氧化硅膜层和/或所述第二二氧化硅膜层上复合有可透光的疏水膜，疏水膜的厚度在800至900纳米。本实用新型能提高损伤阈值、提升使用寿命、改善通光性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种新型镀膜晶棒。
背景技术
磁光晶体TGG晶棒和偏振片构成的耐高功率的光隔离器能够有效消除反射回来的杂散光，确保高功率激光器能够连续稳定工作，所以在国内外的光纤通信和工业激光领域广泛应用。但是，目前市面上的磁光晶体抗损伤阈值不够，往往导致高功率激光器中途被烧掉，从而使其性能没办法得到最大程度的发挥。晶棒组装在高功率激光器中，产品在使用过程中的损耗和成本大大增加，生产效率却大大降低。此外，晶棒在组装过程中，胶水有时候会渗入晶体中，影响通光性能。
鉴于此，本案发明人对上述问题进行深入研究，遂有本案产生。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供能一种能提高损伤阈值、提升使用寿命、改善通光性能的新型镀膜晶棒。
为了达到上述目的，本实用新型采用这样的技术方案：
一种新型镀膜晶棒,包括由铽镓石榴石加工而成的晶棒本体，晶棒本体呈长方体状，晶棒本体具有第一透光面、第二透光面以及形成在第一透光面与第二透光面之间的四个侧面，第一透光面与第二透光面之间的距离在11-14mm，第一透光面上复合有第一增透膜，第一增透膜包括第一氧化铪膜层和复合在第一氧化铪膜层上的第一二氧化硅膜层，第二透光面上复合有第二增透膜，第二增透膜包括第二氧化铪膜层和复合在第二氧化铪膜层上的第二二氧化硅膜层，第一氧化铪膜层的厚度在490-500纳米，第一二氧化硅膜层的厚度在260-300纳米，第二氧化铪膜层的厚度在490-510纳米，第二二氧化硅膜层的厚度在260-300纳米，所述第一二氧化硅膜层和/或所述第二二氧化硅膜层上复合有可透光的疏水膜，疏水膜的厚度在800至900纳米。
作为本实用新型的一种优选方式，所述疏水膜为聚四氟乙烯疏水膜。
作为本实用新型的一种优选方式，所述第一增透膜包括多个所述第一氧化铪膜层和多个所述第一二氧化硅膜层，所述第一氧化铪膜层和所述第一二氧化硅膜层沿所述晶棒本体的长度方向交替布设，所述第二增透膜包括多个所述第二氧化铪膜层和多个所述第二二氧化硅膜层，所述第二氧化铪膜层和所述第二二氧化硅膜层沿所述晶棒本体的长度方向交替布设。
作为本实用新型的一种优选方式，所述第一氧化铪膜层为两层，所述第一二氧化硅膜层为两层，所述第二氧化铪膜层为两层，所述第二二氧化硅膜层为两层。
作为本实用新型的一种优选方式，所述第一氧化铪膜层以真空镀的方式形成，所述第一二氧化硅膜层以真空镀的方式形成，所述第二氧化铪膜层以真空镀的方式形成，所述第二二氧化硅膜层以真空镀的方式形成。
作为本实用新型的一种优选方式，所述铽镓石榴石的莫氏硬度为8级。
采用本实用新型的技术方案后，在第一透光面设有第一增透膜，第一增透膜包括第一氧化铪膜层和复合在第一氧化铪膜层上的第一二氧化硅膜层，第二透光面上设有第二增透膜，第二增透膜包括第二氧化铪膜层和复合在第二氧化铪膜层上的第二二氧化硅膜层，氧化铪抗激光损伤阈值高，二氧化硅硬度大，熔点高，本实用新型的铽镓石榴石晶棒具有大磁光常数、低的光损失、高热导性和高激光损伤阈值的特点，形成增透膜反射率小，透过率高，能承受高能量长时间通光，能增加回损，减小插损，提升使用寿命，所述第一二氧化硅膜层和/或所述第二二氧化硅膜层上复合有可透光的疏水膜(优选聚四氟乙烯疏水膜)，其能够阻隔胶水渗透到晶体中，提高通光性能，具有防潮的作用，同时能够对增透膜进行保护。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为图1中A处的放大图(为了更好地理解本实用新型，将第一增透膜和第一疏水膜的进行放大显示)。
图3为图1中B处的放大图(为了更好地理解本实用新型，将第二增透膜和第二疏水膜的进行放大显示)。
图中：
晶棒本体10 第一透光面11
第二透光面12 第一增透膜20
第一氧化铪膜层21 第一二氧化硅膜层22
第二增透膜30 第二氧化铪膜层31
第二二氧化硅膜层32 第一疏水膜41
第二疏水膜42
具体实施方式
为了进一步解释本实用新型的技术方案，下面结合实施例进行详细阐述。
参照图1至图3，一种新型镀膜晶棒,包括由铽镓石榴石(即TGG)加工而成的晶棒本体10，TGG具有大磁光常数、低的光损失、高热导性和高激光损伤阈值的特点。晶棒本体10呈长方体状，晶棒本体10具有第一透光面11、第二透光面12以及形成在第一透光面11与第二透光面12之间的四个侧面，第一透光面11和第二透光面12平行设置，以第一透光面11至第二透光面12方向为晶棒的长度方向，第一透光面11与第二透光面12之间的距离在11-14mm，第一透光面11上复合有第一增透膜20，第一增透膜20包括第一氧化铪膜层21和复合在第一氧化铪膜层21上的第一二氧化硅膜层22，第二透光面12上复合有第二增透膜30，第二增透膜30包括第二氧化铪膜层31和复合在第二氧化铪膜层31上的第二二氧化硅膜层32，第一氧化铪膜层21的厚度在490-500纳米，第一二氧化硅膜层22的厚度在260-300纳米，第二氧化铪膜层31的厚度在490-510纳米，第二二氧化硅膜层32的厚度在260-300纳米，所述第一二氧化硅膜层22和/或所述第二二氧化硅膜层32上复合有可透光的疏水膜，疏水膜的厚度在800至900纳米。在实施例中，第一二氧化硅膜层22复合有可透光的第一疏水膜41，所述第二二氧化硅膜层32上复合有可透光的第二疏水膜42。
作为本实用新型的一种优选方式，所述第一疏水膜和第二疏水膜均为聚四氟乙烯疏水膜，厚度在850纳米。
作为本实用新型的一种优选方式，所述第一增透膜20包括多个所述第一氧化铪膜层21和多个所述第一二氧化硅膜层22，所述第一氧化铪膜层21和所述第一二氧化硅膜层22沿所述晶棒本体10的长度方向交替布设，所述第二增透膜30包括多个所述第二氧化铪膜层31和多个所述第二二氧化硅膜层32，所述第二氧化铪膜层31和所述第二二氧化硅膜层32沿所述晶棒本体10的长度方向交替布设。
作为本实用新型的一种优选方式，所述第一氧化铪膜层21为两层，所述第一二氧化硅膜层22为两层，也即先在第一透光面11上真空镀(真空镀为现有工艺)一层第一氧化铪膜层21，厚度例如可以为500纳米，之后在第一氧化铪膜层21上真空镀一层第一二氧化硅膜层22，厚度在280纳米，之后在第一二氧化硅膜层22上真空镀一层第一氧化铪膜层21，厚度在500纳米，之后在第一氧化铪膜层21上真空镀一层第一二氧化硅膜层22，厚度在280纳米。
所述第二氧化铪膜层31为两层，所述第二二氧化硅膜层32为两层，也即先在第二透光面12上真空镀(真空镀为现有工艺)一层第二氧化铪膜层31，厚度例如可以为500纳米，之后在第二氧化铪膜层31上真空镀一层第二二氧化硅膜层32，厚度在280纳米，之后在第二二氧化硅膜层32上真空镀一层第二氧化铪膜层31，厚度在500纳米，之后在第二氧化铪膜层31上真空镀一层第二二氧化硅膜层32，厚度在280纳米。
作为本实用新型的一种优选方式，所述铽镓石榴石的莫氏硬度为8级。
使用光学接触角仪，仪器为东莞晟鼎精密仪器有限公司提供，其型号为SDC-80，采用液滴法测量接触角；按照通用测量方法将去离子水滴在晶棒的端面上，并测得平均接触角为110度。
本实用新型的产品形式并非限于本案实施例，任何人对其进行类似思路的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本实用新型的专利范畴。
Claims (6)
1.一种新型镀膜晶棒,包括由铽镓石榴石加工而成的晶棒本体，其特征在于：晶棒本体呈长方体状，晶棒本体具有第一透光面、第二透光面以及形成在第一透光面与第二透光面之间的四个侧面，第一透光面与第二透光面之间的距离在11-14mm，第一透光面上复合有第一增透膜，第一增透膜包括第一氧化铪膜层和复合在第一氧化铪膜层上的第一二氧化硅膜层，第二透光面上复合有第二增透膜，第二增透膜包括第二氧化铪膜层和复合在第二氧化铪膜层上的第二二氧化硅膜层，第一氧化铪膜层的厚度在490-500纳米，第一二氧化硅膜层的厚度在260-300纳米，第二氧化铪膜层的厚度在490-510纳米，第二二氧化硅膜层的厚度在260-300纳米，所述第一二氧化硅膜层和/或所述第二二氧化硅膜层上复合有可透光的疏水膜，疏水膜的厚度在800至900纳米。
2.如权利要求1所述的一种新型镀膜晶棒,其特征在于：所述疏水膜为聚四氟乙烯疏水膜。
3.如权利要求2所述的一种新型镀膜晶棒,其特征在于：所述第一增透膜包括多个所述第一氧化铪膜层和多个所述第一二氧化硅膜层，所述第一氧化铪膜层和所述第一二氧化硅膜层沿所述晶棒本体的长度方向交替布设，所述第二增透膜包括多个所述第二氧化铪膜层和多个所述第二二氧化硅膜层，所述第二氧化铪膜层和所述第二二氧化硅膜层沿所述晶棒本体的长度方向交替布设。
4.如权利要求3所述的一种新型镀膜晶棒,其特征在于：所述第一氧化铪膜层为两层，所述第一二氧化硅膜层为两层，所述第二氧化铪膜层为两层，所述第二二氧化硅膜层为两层。
5.如权利要求4所述的一种新型镀膜晶棒,其特征在于：所述第一氧化铪膜层以真空镀的方式形成，所述第一二氧化硅膜层以真空镀的方式形成，所述第二氧化铪膜层以真空镀的方式形成，所述第二二氧化硅膜层以真空镀的方式形成。
6.如权利要求5所述的一种新型镀膜晶棒,其特征在于：所述铽镓石榴石的莫氏硬度为8级。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202120186155.4U CN214011560U (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 一种新型镀膜晶棒 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202120186155.4U CN214011560U (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 一种新型镀膜晶棒 |
Publications (1)
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| CN202120186155.4U Active CN214011560U (zh) | 2021-01-22 | 2021-01-22 | 一种新型镀膜晶棒 |
Country Status (1)
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2021
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