CN213990527U - 一种单灯控制器的取电电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种单灯控制器的取电电路，包括：启动电路和CT取电电路；所述启动电路包括：由D1、D2、D3、D4四个二极管组成的第一整流桥，NMOS管Q3，储能电容C1，二极管D5，比较器U1，齐纳二极管ZD1及线性降压稳压器LDO；所述CT取电电路包括：CT取电初级电路和CT取电次级电路；本实用新型中的电压启动电路和CT取电电路，在直流恒定电流的情况下通过电压启动电路给CT取电电路提供输入激励，即能得到稳定的信号，也能解决CT取电电路必须依靠恒压源才能启动的问题。

Description

一种单灯控制器的取电电路

技术领域

本实用新型属于灯光控制器技术领域，具体指代一种助航灯光系统单灯控制器的取电电路。

背景技术

机场助航灯光控制系统是一种可提供飞机在夜间和复杂天气等低能见度环境下顺利起飞、降落、滑行的重要目视助航系统，可为飞机提供定位引导信息。机场助航灯光控制系统的安全可靠性能将直接影响到机场的安全可靠运行。作为一个复杂的电气系统，在使用过程中，单灯控制器的性能会因为工作环境以及自身的使用寿命等因素的影响导致不能正常工作，在一定的程度上影响了机场的正常运行。

助航灯光系统对于灯具的电流与光强的一致性要求较高，如果在原本的灯具取电电路中增加单灯控制设备，再通过单灯控制器控制灯具亮灭，不可避免会对原先的电路造成影响，导致灯光的亮灭强度以及亮度的稳定性得不到保证。

发明内容

针对于上述现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种单灯控制器的取电电路，在不破坏电流与光强的前提下，尽可能的适应各式的灯具，在单灯控制器取电的同时，不对灯具产生影响。

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案如下：

本实用新型的一种单灯控制器的取电电路，包括：启动电路和CT取电电路；其中，

所述启动电路包括：由D1、D2、D3、D4四个二极管组成的第一整流桥，NMOS管Q3，储能电容C1，二极管D5，比较器U1，齐纳二极管ZD1及线性降压稳压器LDO；所述第一整流桥的两个输入端分别与助航灯具LED与恒流源CC电连接，三者串联；NMOS管Q3的漏极连接到第一整流桥的输出端，NMOS管Q3的栅极与比较器U1连接，NMOS管Q3的源极连接二极管D5的正极，二极管D5的负极分别连接储能电容C1的正极、齐纳二极管ZD1 的负极、线性降压稳压器LDO的输入端；储能电容C1的负极、齐纳二极管ZD1的正极连接参考电平GND；

所述CT取电电路包括：CT取电初级电路和CT取电次级电路；

CT取电初级电路包括：非晶磁环CT1、NMOS管Q1、NMOS管Q2；非晶磁环CT1的输入端分别与第一整流桥输出端、NMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极相连；NMOS 管Q1的栅极、NMOS管Q2的栅极分别连接处理器，并接收PWM信号；NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的源极分别与第一整流桥输出端相连，第一整流桥输出端即为电路的参考电平GND；

CT取电次级电路包括：压敏电阻R1，由D6、D7、D8、D9四个二极管组成的第二整流桥、NMOS管Q4，储能电容C2，二极管D10；

所述第二整流桥的输入端与压敏电阻R1并联到非晶磁环CT1的次级输出端，NMOS管Q4的G极连接处理器，并接收PWM信号，NMOS管Q4的漏极、源极分别与第二整流桥输出端连接，二极管D10的正极与NMOS管Q4的漏极相连，二极管D10的负极与储能电容C2的正极相连，储能电容C2的负极分别与NMOS管Q4的源极、第二整流桥的输出端连接。

进一步地，所述二极管D5、二极管D10为大电流防反二极管。

在设备上电时，电流源通过由D1、D2、D3、D4组成的第一整流桥后，首先经过启动电路，此时的NMOS管Q3处于开启状态，储能电容C1开始充放电，线性降压稳压器LDO进行电压转换输出VCC1为设备供电，此时处理器通过PWM信号控制NMOS管Q1与NMOS 管Q2交替开关，使CT取电次级电路开始工作，处理器输出时序相反的两个PWM信号，通过电平转换后发送到NMOS管Q1与NMOS管Q2的G极，控制NMOS管Q1与NMOS管 Q2交替开关，此时CT取电次级电路就会产生VCC2电压，当VCC2可以接替VCC1为设备供电时，比较器U1就会输出电压信号反馈给NMOS管Q3，关闭启动电路，此时的二极管 D5会防止电容电压直接施加在NMOS管Q1、NMOS管Q2的两端而对器件造成损坏。

恒流源经过非晶磁环CT1的升压降流处理后，在非晶磁环CT1的次级电路电流会降到一个合适的范围，当第二整流桥电压过高时而会导通，防止过压导致的非晶磁环CT1过热，也可以做到浪涌保护。电流通过第二整流桥的作用后变为直流，PMW3信号是处理器根据VCC2 电压设计输出的电压反馈式自适应PWM波，调整PWM波的占空比来控制NMOS管Q4通断调整储能电容C2充电时长，以在储能电容C2两端获取到恒定的电压信号。

本实用新型的有益效果：

本实用新型摒弃了传统的灯具电流易受单灯控制电路影响而亮度不一致的弊端，提高了对各类灯具的适应性。

本实用新型中的电压启动电路和CT取电电路，在直流恒定电流的情况下通过电压启动电路给CT取电电路提供输入激励，即能得到稳定的信号，也能解决CT取电电路必须依靠恒压源才能启动的问题。

本实用新型通过反馈电压，平滑式调整电容充电时长，确保在输出电流变化跨度大的情况下得到恒定的稳压信号。

附图说明

图1为本实用新型中的启动电路与CT取电初级电路图。

图2为本发明中的CT取电次级电路图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本实用新型作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本实用新型的限定。

参照图1所示，本实用新型的一种单灯控制器的取电电路，包括：启动电路和CT取电电路；其中，

所述启动电路包括：由D1、D2、D3、D4四个二极管组成的第一整流桥，NMOS管Q3，储能电容C1，二极管D5，比较器U1，齐纳二极管ZD1及线性降压稳压器LDO；所述第一整流桥的两个输入端分别与助航灯具LED与恒流源CC电连接，三者串联；NMOS管Q3的漏极连接到第一整流桥的输出端，NMOS管Q3的栅极与比较器U1连接，NMOS管Q3的源极连接二极管D5的正极，二极管D5的负极分别连接储能电容C1的正极、齐纳二极管ZD1 的负极、线性降压稳压器LDO的输入端；储能电容C1的负极、齐纳二极管ZD1的正极连接参考电平GND；

所述CT取电电路包括：CT取电初级电路和CT取电次级电路；

CT取电初级电路包括：非晶磁环CT1、NMOS管Q1、NMOS管Q2；非晶磁环CT1的输入端分别与第一整流桥输出端、NMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极相连；NMOS 管Q1的栅极、NMOS管Q2的栅极分别连接处理器，并接收PWM信号；NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的源极分别与第一整流桥输出端相连，第一整流桥输出端即为电路的参考电平GND；

参照图2所示，CT取电次级电路包括：压敏电阻R1，由D6、D7、D8、D9四个二极管组成的第二整流桥、NMOS管Q4，储能电容C2，二极管D10；

所述第二整流桥的输入端与压敏电阻R1并联到非晶磁环CT1的次级输出端，NMOS管Q4的G极连接处理器，并接收PWM信号，NMOS管Q4的漏极、源极分别与第二整流桥输出端连接，二极管D10的正极与NMOS管Q4的漏极相连，二极管D10的负极与储能电容C2的正极相连，储能电容C2的负极分别与NMOS管Q4的源极、第二整流桥的输出端连接。

所述二极管D5、二极管D10为大电流防反二极管。

在设备上电时，电流源通过由D1、D2、D3、D4组成的第一整流桥后，首先经过启动电路，此时的NMOS管Q3处于开启状态，储能电容C1开始充放电，线性降压稳压器LDO进行电压转换输出VCC1为设备供电，此时处理器通过PWM信号控制NMOS管Q1与NMOS 管Q2交替开关，使CT取电次级电路开始工作，处理器输出时序相反的两个PWM信号，通过电平转换后发送到NMOS管Q1与NMOS管Q2的G极，控制NMOS管Q1与NMOS管 Q2交替开关，此时CT取电次级电路就会产生VCC2电压，当VCC2可以接替VCC1为设备供电时，比较器U1就会输出电压信号反馈给NMOS管Q3，关闭启动电路，此时的二极管 D5会防止电容电压直接施加在NMOS管Q1、NMOS管Q2的两端而对器件造成损坏。

恒流源经过非晶磁环CT1的升压降流处理后，在非晶磁环CT1的次级电路电流会降到一个合适的范围，当第二整流桥电压过高时而会导通，防止过压导致的非晶磁环CT1过热，也可以做到浪涌保护。电流通过第二整流桥的作用后变为直流，PMW3信号是处理器根据VCC2 电压设计输出的电压反馈式自适应PWM波，调整PWM波的占空比来控制NMOS管Q4通断调整储能电容C2充电时长，以在储能电容C2两端获取到恒定的电压信号。

本实用新型具体应用途径很多，以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进，这些改进也应视为本实用新型的保护范围。

Claims (2)

1.一种单灯控制器的取电电路，其特征在于，包括：启动电路和CT取电电路；其中，

所述启动电路包括：由D1、D2、D3、D4四个二极管组成的第一整流桥，NMOS管Q3，储能电容C1，二极管D5，比较器U1，齐纳二极管ZD1及线性降压稳压器LDO；所述第一整流桥的两个输入端分别与助航灯具LED与恒流源CC电连接，三者串联；NMOS管Q3的漏极连接到第一整流桥的输出端，NMOS管Q3的栅极与比较器U1连接，NMOS管Q3的源极连接二极管D5的正极，二极管D5的负极分别连接储能电容C1的正极、齐纳二极管ZD1的负极、线性降压稳压器LDO的输入端；储能电容C1的负极、齐纳二极管ZD1的正极连接参考电平GND；

所述CT取电电路包括：CT取电初级电路和CT取电次级电路；

CT取电初级电路包括：非晶磁环CT1、NMOS管Q1、NMOS管Q2；非晶磁环CT1的输入端分别与第一整流桥输出端、NMOS管Q1的漏极、NMOS管Q2的漏极相连；NMOS管Q1的栅极、NMOS管Q2的栅极分别连接处理器，并接收PWM信号；NMOS管Q1的源极、NMOS管Q2的源极分别与第一整流桥输出端相连，第一整流桥输出端即为电路的参考电平GND；

CT取电次级电路包括：压敏电阻R1，由D6、D7、D8、D9四个二极管组成的第二整流桥，NMOS管Q4，储能电容C2，二极管D10；

所述第二整流桥的输入端与压敏电阻R1并联到非晶磁环CT1的次级输出端，NMOS管Q4的G极连接处理器，并接收PWM信号，NMOS管Q4的漏极、源极分别与第二整流桥输出端连接，二极管D10的正极与NMOS管Q4的漏极相连，二极管D10的负极与储能电容C2的正极相连，储能电容C2的负极分别与NMOS管Q4的源极、第二整流桥的输出端连接。

2.根据权利要求1所述的单灯控制器的取电电路，其特征在于，所述二极管D5、二极管D10为大电流防反二极管。

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