CN213937418U - 过压保护电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种过压保护电路，包括：电阻R2、R3、R4、R5、PNP三极管Q2、PMOS管Q1、稳压二极管D1；电阻R2的一端、PNP三极管Q2的发射极、电阻R5的一端和PMOS管Q1的源极接供电电压VCC；电阻R2的另一端接PNP三极管Q2的集电极、电阻R3的一端和PMOS管Q1的栅极；PNP三极管Q2的基极通过电阻R4接电阻R5的另一端和稳压二极管D1的阴极；电阻R3的另一端接地，稳压二极管D1的阳极接地；PMOS管Q1的漏极用于产生输出电压Vout。过压保护电路能够在供电电压升高时，切断输出电路，从而避免被供电的器件或电路损坏，即便供电电压长时间高于正常值，该过压保护电路依然能够起到保护作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种电源电路，尤其是一种过压保护电路。
背景技术
绝大部分电子产品，电源部分是重中之重，好的电源防护更是不可或缺，好的电源保护可以保护后续重要的电路以及元器件不受外部过压影响而损坏。
简单的保护一般在电源电路中加一个TVS管（瞬态抑制二极管），当外部有瞬间高能量冲击时候它能够把这股能量抑制下来，虽然功率高，上KW都可以，但是维持抑制的时间很短很短，万一TVS管损坏或者长时间工作电压高于正常工作电压的时候，就力不从心了。
发明内容
针对现有技术中存在的不足，本实用新型提供一种过压保护电路，当出现输入侧的电压非正常过高时，能够切断电路的输出，从而保护了被供电的电路或器件。本实用新型采用的技术方案是：
一种过压保护电路，包括：电阻R2、R3、R4、R5、PNP三极管Q2、PMOS管Q1、稳压二极管D1；
电阻R2的一端、PNP三极管Q2的发射极、电阻R5的一端和PMOS管Q1的源极接供电电压VCC；电阻R2的另一端接PNP三极管Q2的集电极、电阻R3的一端和PMOS管Q1的栅极；PNP三极管Q2的基极通过电阻R4接电阻R5的另一端和稳压二极管D1的阴极；电阻R3的另一端接地，稳压二极管D1的阳极接地；PMOS管Q1的漏极用于产生输出电压Vout。
进一步地，电阻R2的阻值为47kΩ。
进一步地，电阻R3的阻值为10kΩ。
进一步地，电阻R4的阻值为4.7kΩ。
进一步地，电阻R5的阻值为1kΩ。
进一步地，稳压二极管D1的稳压电压为5.1v。
进一步地，PMOS管Q1的漏极还连接电容C3的正极，电容C3的负极接地。
本实用新型的优点在于：该过压保护电路能够在供电电压升高时，切断输出电路，从而避免被供电的器件或电路损坏，即便供电电压长时间高于正常值，该过压保护电路依然能够起到保护作用。
附图说明
图1为本实用新型实施例的电原理图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图1显示了一种带有过压保护电路的电源电路，包括：电容C1、C2、稳压芯片U1、电阻R1、过压保护电路、电容C3；
电容C1的正极接电阻R1一端，并用于接输入电压Vin；电容C1的负极接地，电阻R1的另一端接稳压芯片U1的输入端，稳压芯片U1的接地端接地，U1的输出端接电容C2的正极，电容C2的负极接地，稳压芯片U1的输出端用于输出供电电压VCC；
在一个实施例中，输入电压Vin可以是+24v；电容C1、C2采用电解电容，容值220μF，电阻R1阻值为100Ω；稳压芯片U1的型号为AMS1117-5.0，其输出电压为5v；
过压保护电路包括电阻R2、R3、R4、R5、PNP三极管Q2、PMOS管Q1、稳压二极管D1；
电阻R2的一端、PNP三极管Q2的发射极、电阻R5的一端和PMOS管Q1的源极接供电电压VCC；电阻R2的另一端接PNP三极管Q2的集电极、电阻R3的一端和PMOS管Q1的栅极；PNP三极管Q2的基极通过电阻R4接电阻R5的另一端和稳压二极管D1的阴极；电阻R3的另一端接地，稳压二极管D1的阳极接地；PMOS管Q1的漏极用于产生输出电压Vout；
PMOS管Q1的漏极还可以连接电容C3的正极，电容C3的负极接地；
在一个实施例中，电阻R2的阻值为47kΩ，电阻R3的阻值为10kΩ，电阻R4的阻值为4.7kΩ，电阻R5的阻值为1kΩ，稳压二极管D1的稳压电压为5.1v；电容C3的容值为220μF；
正常情况下，输入电压24v经过稳压芯片U1后，得到的供电电压VCC为5v，此时三极管Q2截止，A点电压为R2与R3的分压，大致为0.87v，PMOS管Q1的Vgs<-4v，PMOS管导通，输出电压Vout与供电电压VCC相等或大致相等；供电电压VCC正常供电；
但由于某些原因，例如稳压芯片U1损坏，使得供电电压VCC意外升高，例如B点电压上升至5.5v，此时三极管Q2的基极因为有稳压二极管D1的限制，维持在5.1v电压，三极管Q2的Ve>Vb，三极管Q2导通，使得PMOS管Q1的栅极电压接近5.5v，PMOS管Q1的栅极源极电压阶级，PMOS管Q1关断，就切断了供电电压VCC的输出，实现了过压保护。
最后所应说明的是，以上具体实施方式仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制，尽管参照实例对本实用新型进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
Claims (7)
1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：电阻R2、R3、R4、R5、PNP三极管Q2、PMOS管Q1、稳压二极管D1；
电阻R2的一端、PNP三极管Q2的发射极、电阻R5的一端和PMOS管Q1的源极接供电电压VCC；电阻R2的另一端接PNP三极管Q2的集电极、电阻R3的一端和PMOS管Q1的栅极；PNP三极管Q2的基极通过电阻R4接电阻R5的另一端和稳压二极管D1的阴极；电阻R3的另一端接地，稳压二极管D1的阳极接地；PMOS管Q1的漏极用于产生输出电压Vout。
2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，
电阻R2的阻值为47kΩ。
3.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，
电阻R3的阻值为10kΩ。
4.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，
电阻R4的阻值为4.7kΩ。
5.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，
电阻R5的阻值为1kΩ。
6.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，
稳压二极管D1的稳压电压为5.1v。
7.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，
PMOS管Q1的漏极还连接电容C3的正极，电容C3的负极接地。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202023155275.2U CN213937418U (zh) | 2020-12-24 | 2020-12-24 | 过压保护电路 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202023155275.2U CN213937418U (zh) | 2020-12-24 | 2020-12-24 | 过压保护电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN213937418U true CN213937418U (zh) | 2021-08-10 |
Family
ID=77155039
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202023155275.2U Active CN213937418U (zh) | 2020-12-24 | 2020-12-24 | 过压保护电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN213937418U (zh) |
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2020
- 2020-12-24 CN CN202023155275.2U patent/CN213937418U/zh active Active
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