CN213906656U - 一种低相噪频率综合器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种低相噪频率综合器，属于通信技术领域，包括本振、射频开关、集成VCO、N分频器、功分放大滤波电路以及ARM控制电路，射频开关的一路参考信号输入端与本振的参考信号输出端相接，另一路参考信号输入端与外部参考源相接，射频开关的参考信号输出端与集成VCO的参考信号输入端相接，集成VCO的参考信号输出端与N分频器的参考信号输入端相接，N分频器的分频信号输出端与功分放大滤波电路的分频信号输入端相接；ARM控制电路的控制信号输出端分别与射频开关、集成VCO和N分频器的控制信号输入端相接。本实用新型具有相噪指标好，且杂散极优的优点。
Description
技术领域
本实用新型属于电子通信技术领域，具体涉及一种低相噪频率综合器。
背景技术
频率合成器作为通信系统的重要组成模块，频率合成器的各项指标非常关键，特别是相位噪声和杂散，相位噪声影响通信系统的多项性能，如在接收机中，相位噪声决定了接收机信噪比、相邻信道抑制等；杂散指标影响系统接收机的灵敏度。
频率合成器在电路实现上通常有三种方式：直接式频率合成、直接数字式频率合成和间接式频率合成(即锁相环(phase locked loop,PLL))。直接式频率合成器的优点是频率转换速度快，带宽较宽，相位噪声指标好，缺点是电路结构复杂、功耗大、体积大、成本高。直接数字式频率合成器优点是频率转换速度快、频率分辨率高、相位噪声性能好，缺点是实现频率较低和杂散抑制较差。间接式频率合成器的优点是可实现较宽频率范围和较高的频率以及优良的杂散抑制，缺点是频率转换时间和频率分辨率较差。如何选择合适的频率合成方案使其整体性能达到最优成为了工程设计的难题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于：提供一种低相噪频率综合器。
为解决其技术问题，本实用新型的技术方案为：
一种低相噪频率综合器，包括本振、射频开关、集成VCO、N分频器、功分放大滤波电路以及ARM控制电路；
射频开关的一路参考信号输入端与本振的参考信号输出端相接，另一路参考信号输入端与外部参考源相接，射频开关的参考信号输出端与集成VCO的参考信号输入端相接，集成VCO的参考信号输出端与N分频器的参考信号输入端相接，N分频器的分频信号输出端与功分放大滤波电路的分频信号输入端相接；ARM控制电路的控制信号输出端分别与射频开关、集成VCO和N分频器的控制信号输入端相接。
进一步的，本振为恒温晶振。
进一步的，恒温晶振的输出频率为10MHz。
进一步的，集成VCO的型号为HMC830。
进一步的，N分频器为三分频器。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
本实用新型采用内外参考切换的功能，即使用射频开关分别接收本振或者外部参考信号，可以实现两种频率源的输出。其中内置参考选用高频率精度、低相位噪声、低功耗的本振产生内部参考信号，给集成VCO作参考，ARM控制电路控制射频开关选择合适的频率源，然后再控制集成VCO和分频器，能够更加方便的使本频率综合器输出满足低相位噪声要求的频率。
附图说明
图1是一种低相噪频率综合器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将结合附图对本实用新型的特征和性能作进一步的详细描述。
如图1所示，一种低相噪频率综合器，包括本振、射频开关、集成VCO、N分频器、功分放大滤波电路以及ARM控制电路，射频开关的一路参考信号输入端与本振的输出端相接，另一路参考信号输入端与外部参考源相接，射频开关的参考信号输出端与集成VCO的参考信号输入端相接，集成VCO的参考信号输出端与N分频器的参考信号输入端相接，N分频器的分频信号输出端与功分放大滤波电路的分频信号输入端相接；ARM控制电路的控制信号输出端分别与射频开关、集成VCO和N分射频开关频器的控制信号输入端相接。
本一种低相噪频率综合器在实际使用时，本振和外部参考源分别作为内外参考，由ARM控制电路控制射频开关进行选择，其中本振可以采用高频率精度、低相位噪声、低功耗的本振。选择好的频率源作为集成VCO的参考，集成VCO由ARM控制电路控制输出低相噪的频率信号，该低相噪的频率信号传给N分频器和后级的功分放大滤波电路后，输出最终满足指标要求的频率信号。
除此之外，在上述的一种低相噪频率综合器中，本振可以采用恒温晶进行设计，恒温晶振的输出频率为10MHz，集成VCO的型号可以选择为HMC830，N分频器优选为三分频器。
采用上述设计后，恒温晶振的输出频率为10MHz，可以给集成VCO HMC830作参考。HMC830有ARM控制电路通过API数据传输来配置其内部寄存器，并优化配置来达到输出频率满足低相噪的要求。
Claims (5)
1.一种低相噪频率综合器，其特征在于：包括本振、射频开关、集成VCO、N分频器、功分放大滤波电路以及ARM控制电路；
所述射频开关的一路参考信号输入端与所述本振的参考信号输出端相接，另一路参考信号输入端与外部参考源相接，射频开关的参考信号输出端与所述集成VCO的参考信号输入端相接，集成VCO的参考信号输出端与所述N分频器的参考信号输入端相接，N分频器的分频信号输出端与所述功分放大滤波电路的分频信号输入端相接；
所述ARM控制电路的控制信号输出端分别与射频开关、集成VCO和N分频器的控制信号输入端相接。
2.根据权利要求1所述的一种低相噪频率综合器，其特征在于：所述本振为恒温晶振。
3.根据权利要求2所述的一种低相噪频率综合器，其特征在于：所述恒温晶振的输出频率为10MHz。
4.根据权利要求1所述的一种低相噪频率综合器，其特征在于：所述集成VCO的型号为HMC830。
5.根据权利要求1所述的一种低相噪频率综合器，其特征在于：所述N分频器为三分频器。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN202023198991.9U CN213906656U (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 一种低相噪频率综合器 |
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| CN202023198991.9U CN213906656U (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 一种低相噪频率综合器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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| CN213906656U true CN213906656U (zh) | 2021-08-06 |
Family
ID=77106319
Family Applications (1)
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| CN202023198991.9U Active CN213906656U (zh) | 2020-12-25 | 2020-12-25 | 一种低相噪频率综合器 |
Country Status (1)
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2020
- 2020-12-25 CN CN202023198991.9U patent/CN213906656U/zh active Active
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