CN213906651U - 一种采用双p沟道场效应管的电源开关电路及装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路及装置，所述电路包括双P沟道场效应管U1，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3均连接电容C1的一端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4均连接电容C1的另一端，所述电容C1的两端并联有电阻R3，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3、电容C1的一端、电阻R3的一端均连接Vin端。本实用新型通过双P沟道场效应管U1的栅极(G1，G2)和源极(S1，S2)之间的压差来决定场效应管的导通与否，从而利用场效应管的开关特性来实现电源开关的功能，实现了对LED显示屏控制卡中的子模块供电进行分别控制的目的。

Description

一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路及装置

技术领域

本实用新型属于电源开关电路技术领域，特别涉及一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路及装置。

背景技术

当LED显示屏控制卡需要进入低功耗模式或者需要单独对LED显示屏控制卡中的子模块进行供电控制时，而子模块所用电源通常为主电源的分支，无法实现对子模块供电进行单独控制和进入低功耗模式。

因此，亟需一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路及装置来解决上述技术问题。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提供了一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路及装置，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路，所述电路包括双P沟道场效应管U1，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3均连接电容C1的一端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4均连接电容C1的另一端，所述电容C1的两端并联有电阻R3，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3、电容C1的一端、电阻R3的一端均连接Vin端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4、电容C1的另一端、电阻R3的另一端均连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接PWR_EN端；

所述双P沟道场效应管U1的引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接Vout端。

进一步的，所述双P沟道场效应管U1、电容C1、电阻R3与三极管Q1之间设有电阻R2，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4、电容C1的另一端、电阻R3的另一端均与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与三极管Q1的集电极连接。

进一步的，所述三极管Q1的基极与PWR_EN端之间设有电阻R1，所述电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1的另一端与PWR_EN端连接。

一种采用双P沟道场效应管的电源开关装置，所述装置包括上述的采用双P沟道场效应管的电源开关电路。

本实用新型的技术效果和优点：

本实用新型通过双P沟道场效应管U1的栅极(G1，G2)和源极(S1，S2)之间的压差来决定场效应管的导通与否，从而利用场效应管的开关特性来实现电源开关的功能，实现了对LED显示屏控制卡中的子模块供电进行分别控制的目的。

本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所指出的结构来实现和获得。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本实用新型实施例的整体电路示意图；

图2示出了本实用新型实施例的双P沟道场效应管U1内部电路示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地说明，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路，如图1-2所示，所述电路包括双P沟道场效应管U1，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3均连接电容C1的一端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4均连接电容C1的另一端，所述电容C1的两端并联有电阻R3，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3、电容C1的一端、电阻R3的一端均连接Vin端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4、电容C1的另一端、电阻R3的另一端均连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接PWR_EN端；

所述双P沟道场效应管U1的引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接Vout端。

所述双P沟道场效应管U1、电容C1、电阻R3与三极管Q1之间设有电阻R2，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4、电容C1的另一端、电阻R3的另一端均与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与三极管Q1的集电极连接。

所述三极管Q1的基极与PWR_EN端之间设有电阻R1，所述电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1的另一端与PWR_EN端连接。

本实用新型还提供了一种采用双P沟道场效应管的电源开关装置，所述装置包括上述的采用双P沟道场效应管的电源开关电路。

本实用新型实施例中，双P沟道场效应管U1的型号采用APM4953，Vin为LED显示屏控制卡的主电源，Vout为LED显示屏控制卡中的子模块的供电电源，PWR_EN为CPU的GPIO脚，当PWR_EN为高电平时，三极管Q1的基极为高，基极和发射极对的电压差Vbe大于导通电压，达到三极管Q1的导通条件，三极管Q1导通，集电极为低，从而使得场效应管的栅极(G1，G2)为低电平，栅极(G1，G2)和源极(S1，S2)形成负压差Vgs，达到场效应管的导通条件，双P沟道场效应管U1导通，源极(S1，S2)的Vin正常输入到漏极(D1，D2)的Vout，使LED显示屏控制卡的子模块正常供电。

本实用新型实施例中，当PWR_EN为低电平时，三极管Q1的基极为低，基极和发射极的电压差Vbe为0，没有达到三极管Q1的导通条件，三极管Q1不导通，集电极为高，从而使得场效应管的栅极(G1，G2)为高电平，栅极(G1，G2)和源极(S1，S2)之间没有形成负压差Vgs，达不到场效应管的导通条件，双P沟道场效应管U1不导通，源极(S1，S2)的Vin不能输入到漏极(D1，D2)的Vout，使得LED显示屏控制卡的子模块供电关闭。

本实用新型实施例通过双P沟道场效应管U1的栅极(G1，G2)和源极(S1，S2)之间的压差来决定场效应管的导通与否，从而利用场效应管的开关特性来实现电源开关的功能，实现了对LED显示屏控制卡中的子模块供电进行分别控制的目的。

需要说明的是，本实用新型的电源开关电路也可用于对WiFi模块供电、4G模块供电、外设传感器供电、GPS模块供电等相关模块的供电开关控制。

尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (4)

1.一种采用双P沟道场效应管的电源开关电路，其特征在于，所述电路包括双P沟道场效应管U1，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3均连接电容C1的一端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4均连接电容C1的另一端，所述电容C1的两端并联有电阻R3，所述双P沟道场效应管U1的引脚1和引脚3、电容C1的一端、电阻R3的一端均连接Vin端，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4、电容C1的另一端、电阻R3的另一端均连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接PWR_EN端；

所述双P沟道场效应管U1的引脚5、引脚6、引脚7、引脚8均连接Vout端。

2.根据权利要求1所述的采用双P沟道场效应管的电源开关电路，其特征在于，所述双P沟道场效应管U1、电容C1、电阻R3与三极管Q1之间设有电阻R2，所述双P沟道场效应管U1的引脚2和引脚4、电容C1的另一端、电阻R3的另一端均与电阻R2的一端连接，所述电阻R2的另一端与三极管Q1的集电极连接。

3.根据权利要求2所述的采用双P沟道场效应管的电源开关电路，其特征在于，所述三极管Q1的基极与PWR_EN端之间设有电阻R1，所述电阻R1的一端与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1的另一端与PWR_EN端连接。

4.一种采用双P沟道场效应管的电源开关装置，其特征在于，所述装置包括权利要求1-3任一项所述的采用双P沟道场效应管的电源开关电路。

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