CN213879274U - 一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路，所述态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。本实用新型主要用于线路中出现大功率脉冲时保护线路后级电路中元器件不被损坏，由于产品的峰值脉冲功率较高，产品结电容低，总等效寄生电容Cj控制在小于200pf的水平上，使得其可以用应用在绝大多数高频电路上。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管。
背景技术
低结电容TVS，其内部利用高压整流二极管来降低芯片电容效应，当要求的瞬态吸收功率加大时，其寄生结电容仍然比较大(200pf以上)，在高频大功率浪涌抑制电路上仍然受限。
电压触发型可控硅(TSS)也叫过压保护器。未导通前，寄生结电容低，导通后允许的电流密度高，适合用于高频大功率浪涌电压抑制。但TSS触发工作后，可控硅导通，其导通后两端电压极低，且当触发条件撤销后，如果线路能提供最小维持电流，短路现象将持续存在，因此，TSS仅能用于小输出电流的信号线上。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管。
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
本实用新型提供的一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路，所述态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。
所述可控硅电路包括电压触发型双向可控硅SCR，瞬态电压抑制二极管电路包括瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2。
所述瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2分别连接在电压触发型双向可控硅SCR的第二端子和控制极上。
：所述电压触发型双向可控硅SCR的第一端子与瞬态电压抑制二极管VBR1的另一端连接并作为一引线端。
瞬态电压抑制二极管VBR2未连接电压触发型双向可控硅SCR的一端作为二极管的引线端。
本实用新型的有益效果在于：主要用于线路中出现大功率脉冲时保护线路后级电路中元器件不被损坏，由于产品的峰值脉冲功率较高，产品结电容低，总等效寄生电容Cj控制在小于200pf的水平上，使得其可以用应用在绝大多数高频电路上。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图；
具体实施方式
下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路，所述态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。
所述可控硅电路包括电压触发型双向可控硅SCR，瞬态电压抑制二极管电路包括瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2。
所述瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2分别连接在电压触发型双向可控硅SCR的第二端子和控制极上。
所述电压触发型双向可控硅SCR的第一端子与瞬态电压抑制二极管VBR1的另一端连接并作为一引线端。
瞬态电压抑制二极管VBR2未连接电压触发型双向可控硅SCR的一端作为二极管的引线端。
电压触发瞬态电压抑制二极管是结合了瞬态电压抑制二极管(TVS)与电压触发型可控硅(TSS)两者的优势(如图1所示)，将TSS的维持电流通过TVS来隔断。同时，利用电压触发的特性，将TVS的工作电压提高至VBR水平，使得该新型电压触发瞬态电压抑制二极管结电容低、保护功率大、工作电压与箝位电压差值更小。
本申请解决可控硅触发导通后可能引起的短路故障，通过改进，在可控硅中引入大功率低压瞬态电压抑制二极管。使瞬态管的击穿电压大于正常电源电压，即使可控硅触发后，由于正常电源电压低于引入的瞬态电压抑制二极管的击穿电压，无维持电流，则可控硅可以有效截止，有效解决可控硅触发导通后可能引起的短路故障。
本发明涉及产品的结电容低(小于200pF)，传统瞬态电压抑制二极管结电容大于1nF，峰值脉冲功率达到30KW及以下(脉冲波形10/1000μs)，工作电压与箝位电压差值更小，为VC＝1.2·VS(MAX)(VC为箝位电压，VS(MAX)为工作电压)，传统瞬态电压抑制二极管工作电压与箝位电压差值为VC＝1.56·VS(MAX)。
本申请可取代瞬态电压抑制二极管对电源端浪涌电压保护、雷电感应防护等。也可以用于RS422、RS485、RS429、CAN、100兆网口等信号线浪涌电压保护、雷电感应防护等。
Claims (5)
1.一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，其特征在于：包括可控硅电路和瞬态电压抑制二极管电路，所述瞬态电压抑制二极管电路为两个且分别连接在可控硅电路的两端。
2.如权利要求1所述的低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述可控硅电路包括电压触发型双向可控硅SCR，瞬态电压抑制二极管电路包括瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2。
3.如权利要求2所述的低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述瞬态电压抑制二极管VBR1和瞬态电压抑制二极管VBR2分别连接在电压触发型双向可控硅SCR的第二端子和控制极上。
4.如权利要求1所述的低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述电压触发型双向可控硅SCR的第一端子与瞬态电压抑制二极管VBR1的另一端连接并作为一引线端。
5.如权利要求1所述的低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管，其特征在于：瞬态电压抑制二极管VBR2未连接电压触发型双向可控硅SCR的一端作为二极管的引线端。
Priority Applications (1)
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| CN202022207359.XU CN213879274U (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管 |
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| CN202022207359.XU CN213879274U (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管 |
Publications (1)
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| CN213879274U true CN213879274U (zh) | 2021-08-03 |
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| CN202022207359.XU Active CN213879274U (zh) | 2020-09-30 | 2020-09-30 | 一种低结电容大功率电压触发瞬态电压抑制二极管 |
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2020
- 2020-09-30 CN CN202022207359.XU patent/CN213879274U/zh active Active
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