CN213637698U - 上电复位电路 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种上电复位电路，本申请涉及芯片保护技术领域，该上电复位电路包括：包括复位启动电路；其中，所述复位启动电路包括复位开关，第一电容，第一电阻和二极管；所述复位开关与所述第一电容并联构成第一电路，所述第一电阻与所述二极管并联构成第二电路，所述第一电路与所述第二电路串联；所述二极管的阴极侧与所述第一电路连接，所述二极管的阳极侧与所述带隙基准源电路共地；所述第一电路未连接所述第二电路的一侧与所述带隙基准源电路的运算放大器的输入正极连接。该上电复位电路解决了复位电路在电源瞬间断电时程序停止的问题。

Description

上电复位电路

技术领域

本申请涉及设备安全技术领域，具体为一种上电复位电路。

背景技术

在芯片的电源因意外瞬间断电时，例如单片机89C51的电源因意外瞬间断电时，由于电容不能迅速将电荷放掉，即使电源恢复，芯片也不能上电自动复位，可能导致程序运行失控。这样，芯片将停止运行，形成程序“乱飞”或进入“死循环”。

相关技术中，通过将PWD信号作为复位输入信号，采用相关电路对芯片进行复位，但是该芯片涉及元器件较多，可能造成响应速度较慢，并且涉及使用较多的场效应晶体管，成本较大。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本申请提供了一种上电复位电路，解决了复位电路在电源瞬间断电时程序停止的问题。

为实现以上目的，本申请通过以下技术方案予以实现：一种上电复位电路，所述上电复位电路包括带隙基准源电路，所述上电复位电路还包括复位启动电路；

其中，所述复位启动电路包括复位开关，第一电容，第一电阻和二极管；

所述复位开关与所述第一电容并联构成第一电路，所述第一电阻与所述二极管并联构成第二电路，所述第一电路与所述第二电路串联；

所述二极管的阴极侧与所述第一电路连接，所述二极管的阳极侧与所述带隙基准源电路共地；

所述第一电路未连接所述第二电路的一侧与所述带隙基准源电路的运算放大器的输入正极连接。

优选的，所述上电复位电路还包括电压调整电路，所述第一电路未连接所述第二电路的一侧通过所述电压调整电路与所述带隙基准源电路的运算放大器的输入正极连接；

所述电压调整电路包括第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；

其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管共栅极，且所述栅极与所述复位启动电路的所述第一电路连接；

所述第一场效应晶体管的源极接地，所述第一场效应晶体管的漏极与所述运算放大器的输出端连接；

所述第二场效应晶体管的漏极与电源正极连接，所述第二场效应晶体管的源极与所述带隙基准源电路的运算放大器的输入正极连接。

优选的，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管为N型场效应晶体管。

优选的，所述带隙基准源电路包括：第三场效应晶体管，第四场效应晶体管，第五场效应晶体管，第六场效应晶体管，第二电阻，第三电阻，第一晶体管，第二晶体管和第三晶体管。

优选的，所述第三场效应晶体管，第四场效应晶体管，第五场效应晶体管，第六场效应晶体管共源极，并与所述第二场效应晶体管的源极和与所述电源正极连接；

所述第三场效应晶体管的漏极与所述第一晶体管的发射极连接，所述第一晶体管的基极接地，所述第一晶体管的集电极接地，所述第三场效应晶体管的栅极与所述运算放大器的输出端连接；

所述第四场效应晶体管的漏极与所述运算放大器的输出端连接，所述第四场效应晶体管的栅极与PWD信号连接，所述第四场效应晶体管的栅极与所述运算放大器的供电正极连接；

所述第五场效应晶体管的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第五场效应晶体管的漏极与所述运算放大器的输入负极连接，所述运算放大器的输入负极与所述第二电阻连接，所述第二电阻与所述第二晶体管的的发射极连接，所述第二晶体管的基极接地，所述第二晶体管的集电极接地；

所述第六场效应晶体管的栅极与所述运算放大器的输入负极连接，所述第六场效应晶体管的漏极与复位信号输出端连接，所述复位信号输出端用于输出复位信号Output，所述第六场效应晶体管的漏极与所述第三电阻连接，所述第三电阻与所述第三晶体管的发射极连接，所述第三晶体管的基极接地，所述第三晶体管的集电极接地。

优选的，所述复位开关为自复位按键开关。

有益效果

本申请提供了一种上电复位电路。与现有技术相比具备以下有益效果：

(1)、该上电复位电路，通过在电容的两端并联接入复位开关，在相应复位操作时，可以快速将电容上的电压释放，保证复位信号正确无误，并且可以快速地为复位做好准备。

(2)、该上电复位电路，元器件使用较少，可以降低芯片的功耗。

(3)、该上电复位电路，结构简单，在保证对芯片的复位功能的同时，可以提高复位的响应速度。并且均为常用低成本元器件，因此成本较低，维修方便。

附图说明

图1为根据本申请提供的一种上电复位电路的结构示意图。

图2为根据本申请提供的另一种上电复位电路的结构示意图。

图中：复位启动电路-101，复位开关-1011，第一电容-1012，第一电阻-1013，二极管-1014，带隙基准源电路-102，电压调整电路-103，第一场效应晶体管-1031，第二场效应晶体管-1032，第三场效应晶体管-1021，第四场效应晶体管-1022，第五场效应晶体管-1023，第六场效应晶体管-1024，第二电阻-1025，第三电阻-1026，第一晶体管-1027，第二晶体管-1028，第三晶体管-1029。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1-2，本申请提供一种技术方案：一种上电复位电路。

图1为根据本申请提供的一种上电复位电路的结构示意图，如图1所示，所述上电复位电路包括带隙基准源电路102和复位启动电路101；

其中，所述复位启动电路101包括复位开关1011，第一电容1012，第一电阻1013和二极管1014；

所述复位开关1011与所述第一电容1012并联构成第一电路，所述第一电阻1013与所述二极管1014并联构成第二电路，所述第一电路与所述第二电路串联；

所述二极管1014的阴极侧与所述第一电路连接，所述二极管1014的阳极侧与所述带隙基准源电路102共地；

所述第一电路未连接所述第二电路的一侧与所述带隙基准源电路102的运算放大器的输入正极连接。

具体地，复位启动电路101的输入端与芯片的复位针脚连接，即如图1所示的A与芯片的复位针脚连接，在接收到复位信号后，响应于复位开关1011闭合的操作，第一电容1012迅速放电，运算放大器在可以基于放电信号，输出复位信号Output。

优选的，所述上电复位电路还包括电压调整电路102，所述第一电路未连接所述第二电路的一侧通过所述电压调整电路102与所述带隙基准源电路102的运算放大器的输入正极连接；

所述电压调整电路102包括第一场效应晶体管1031和第二场效应晶体管1032；

其中，所述第一场效应晶体管1031和所述第二场效应晶体管1032共栅极，且所述栅极与所述复位启动电路101的所述第一电路连接；

所述第一场效应晶体管1031的源极接地，所述第一场效应晶体管1031的漏极与所述运算放大器的输出端连接；

所述第二场效应晶体管1032的漏极与电源正极连接，所述第二场效应晶体管1032的源极与所述带隙基准源电路102的运算放大器的输入正极连接。

优选的，所述第一场效应晶体管1031和所述第二场效应晶体管1032为N型场效应晶体管。

优选的，所述带隙基准源电路102包括：第三场效应晶体管1021，第四场效应晶体管1022，第五场效应晶体管1023，第六场效应晶体管1024，第二电阻1025，第三电阻1026，第一晶体管1027，第二晶体管1028和第三晶体管1029。

优选的，所述第三场效应晶体管1021，第四场效应晶体管1022，第五场效应晶体管1023，第六场效应晶体管1024共源极，并与所述第二场效应晶体管1032的源极和与所述电源正极连接；

所述第三场效应晶体管1021的漏极与所述第一晶体管1027的发射极连接，所述第一晶体管1027的基极接地，所述第一晶体管1027的集电极接地，所述第三场效应晶体管1021的栅极与所述运算放大器的输出端连接；

所述第四场效应晶体管1022的漏极与所述运算放大器的输出端连接，所述第四场效应晶体管1022的栅极与PWD信号连接，所述第四场效应晶体管1022的栅极与所述运算放大器的供电正极连接；

所述第五场效应晶体管1023的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第五场效应晶体管1023的漏极与所述运算放大器的输入负极连接，所述运算放大器的输入负极与所述第二电阻1025连接，所述第二电阻1025与所述第二晶体管1028的的发射极连接，所述第二晶体管1028的基极接地，所述第二晶体管1028的集电极接地；

所述第六场效应晶体管1024的栅极与所述运算放大器的输入负极连接，所述第六场效应晶体管1024的漏极与复位信号输出端连接，所述复位信号输出端用于输出复位信号Output，所述第六场效应晶体管1024的漏极与所述第三电阻1026连接，所述第三电阻1026与所述第三晶体管1029的发射极连接，所述第三晶体管1029的基极接地，所述第三晶体管1029的集电极接地。

优选的，所述复位开关1011为自复位按键开关。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

尽管已经示出和描述了本申请的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本申请的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本申请的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种上电复位电路，所述上电复位电路包括带隙基准源电路(102)，其特征在于，所述上电复位电路还包括复位启动电路(101)；

其中，所述复位启动电路(101)包括复位开关(1011)，第一电容(1012)，第一电阻(1013)和二极管(1014)；

所述复位开关(1011)与所述第一电容(1012)并联构成第一电路，所述第一电阻(1013)与所述二极管(1014)并联构成第二电路，所述第一电路与所述第二电路串联；

所述二极管(1014)的阴极侧与所述第一电路连接，所述二极管(1014)的阳极侧与所述带隙基准源电路(102)共地；

所述第一电路未连接所述第二电路的一侧与所述带隙基准源电路(102)的运算放大器的输入正极连接。

2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述上电复位电路还包括电压调整电路(103)，所述第一电路未连接所述第二电路的一侧通过所述电压调整电路(103)与所述带隙基准源电路(102)的运算放大器的输入正极连接；

所述电压调整电路(103)包括第一场效应晶体管(1031)和第二场效应晶体管(1032)；

其中，所述第一场效应晶体管(1031)和所述第二场效应晶体管(1032)共栅极，且所述栅极与所述复位启动电路(101)的所述第一电路连接；

所述第一场效应晶体管(1031)的源极接地，所述第一场效应晶体管(1031)的漏极与所述运算放大器的输出端连接；

所述第二场效应晶体管(1032)的漏极与电源正极连接，所述第二场效应晶体管(1032)的源极与所述带隙基准源电路(102)的运算放大器的输入正极连接。

3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一场效应晶体管(1031)和所述第二场效应晶体管(1032)为N型场效应晶体管。

4.根据权利要求1-3任一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述带隙基准源电路(102)包括：第三场效应晶体管(1021)，第四场效应晶体管(1022)，第五场效应晶体管(1023)，第六场效应晶体管(1024)，第二电阻(1025)，第三电阻(1026)，第一晶体管(1027)，第二晶体管(1028)和第三晶体管(1029)。

5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述第三场效应晶体管(1021)，第四场效应晶体管(1022)，第五场效应晶体管(1023)，第六场效应晶体管(1024)共源极，并与第二场效应晶体管(1032)的源极和与电源正极连接；

所述第三场效应晶体管(1021)的漏极与所述第一晶体管(1027)的发射极连接，所述第一晶体管(1027)的基极接地，所述第一晶体管(1027)的集电极接地，所述第三场效应晶体管(1021)的栅极与所述运算放大器的输出端连接；

所述第四场效应晶体管(1022)的漏极与所述运算放大器的输出端连接，所述第四场效应晶体管(1022)的栅极与PWD信号连接，所述第四场效应晶体管(1022)的栅极与所述运算放大器的供电正极连接；

所述第五场效应晶体管(1023)的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第五场效应晶体管(1023)的漏极与所述运算放大器的输入负极连接，所述运算放大器的输入负极与所述第二电阻(1025)连接，所述第二电阻(1025)与所述第二晶体管(1028)的发射极连接，所述第二晶体管(1028)的基极接地，所述第二晶体管(1028)的集电极接地；

所述第六场效应晶体管(1024)的栅极与所述运算放大器的输入负极连接，所述第六场效应晶体管(1024)的漏极与复位信号输出端连接，所述复位信号输出端用于输出复位信号Output，所述第六场效应晶体管(1024)的漏极与所述第三电阻(1026)连接，所述第三电阻(1026)与所述第三晶体管(1029)的发射极连接，所述第三晶体管(1029)的基极接地，所述第三晶体管(1029)的集电极接地。

6.根据权利要求1-3任一项所述的上电复位电路，其特征在于，所述复位开关(1011)为自复位按键开关。

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