CN213461124U - 一种电源温度保护电路 - Google Patents

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蔡芃芃
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Abstract

本实用新型公开一种电源温度保护电路,其包括限流电阻R1、二极管D1、温控开关S1、功率开关管Q1和PWM控制芯片N1,辅助源经串联的限流电阻R1和二极管D1与PWM控制芯片N1的电源端相连接,且二极管D1的负极与PWM控制芯片N1的电源端相连接;温控开关S1一端连接在限流电阻R1和二极管D1的正极之间,另一端接地;PWM控制芯片N1的输出端与功率开关管Q1的基极相连接。本实用新型可靠性高,体积小,实用性强,能够有效解决因电源内部温度过高造成电路烧毁的问题。

Description

一种电源温度保护电路
技术领域
本实用新型涉及电源技术领域,尤其是涉及一种电源温度保护电路。
背景技术
在电源技术中,工作温度是一个重要因素,任何一种电源都需要根据工作温度对散热及布局进行详细设计。当电源内部温度过高时,会造成功率器件损坏继而造成电源故障,为了避免这种情况产生,需要设计一种温度保护电路。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型的目的是提供一种结构简单、可靠性高的电源温度保护电路。
为实现上述发明目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种电源温度保护电路,其包括限流电阻R1、二极管D1、温控开关S1、功率开关管Q1和PWM控制芯片N1,辅助源经串联的限流电阻R1和二极管D1与PWM控制芯片N1的电源端相连接,且二极管D1的负极与PWM控制芯片N1的电源端相连接;温控开关S1一端连接在限流电阻R1和二极管D1的正极之间,另一端接地;PWM控制芯片N1的输出端与功率开关管Q1的基极相连接。
进一步地,上述的功率开关管Q1为N沟道增强型MOS管。
由于采用如上所述的技术方案,本实用新型具有如下优越性:
该电源温度保护电路,其电路设计简单,元器件少,易于实现,制造成本低,可靠性高,体积小,实用性强,能够有效解决因电源内部温度过高造成电路烧毁的问题,在电源应用领域具有广泛的应用前景。
附图说明
图1是本实用新型电源温度保护电路的原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案作进一步详细说明。
如图1所示,该电源温度保护电路,其包括限流电阻R1、二极管D1、温控开关S1、功率开关管Q1和PWM控制芯片N1,辅助源经串联的限流电阻R1和二极管D1与PWM控制芯片N1的电源端相连接,且二极管D1的负极与PWM控制芯片N1的电源端相连接;温控开关S1一端连接在限流电阻R1和二极管D1的正极之间,另一端接地;PWM控制芯片N1的输出端与功率开关管Q1的基极相连接,功率开关管Q1的集电极接信号端,发射极接地。
上述的功率开关管Q1为N沟道增强型MOS管。
上述的PWM控制芯片N1采用的型号为TL494I。
本实用新型电源温度保护电路,其工作原理为:当电源内部温度正常时,辅助源15V通过限流电阻R1、二极管D1给控制芯片N1供电;当电源内部温度过高时,即≥75℃或者≥85℃,温控开关S1接通,辅助源15V通过限流电阻R1及温控开关S1直接导通,拉低至低电平,即PWM控制芯片N1的VCC端供电被断开,则不再输出控制PWM波,功率开关管Q1不工作,电源无输出,内部损耗降低为0,内部温度逐渐降低;当电源内部温度降低到预设的门限值,如65℃或者75℃时,温控开关S1断开,控制芯片VCC供电恢复,正常输出控制PWM波,功率开关管Q1正常工作,电源恢复正常输出。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种电源温度保护电路,其特征是:其包括限流电阻R1、二极管D1、温控开关S1、功率开关管Q1和PWM控制芯片N1,辅助源经串联的限流电阻R1和二极管D1与PWM控制芯片N1的电源端相连接,且二极管D1的负极与PWM控制芯片N1的电源端相连接;温控开关S1一端连接在限流电阻R1和二极管D1的正极之间,另一端接地;PWM控制芯片N1的输出端与功率开关管Q1的基极相连接。
2.根据权利要求1所述的电源温度保护电路,其特征是:其功率开关管Q1为N沟道增强型MOS管。
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