CN213342008U - 一种简易输出门限电路 - Google Patents

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蔡芃芃
王蓬
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Abstract

本实用新型公开一种简易输出门限电路,其包括第一MOS管M1、第一电阻R1、第一稳压管V1、第二稳压管V2和第一电容C1,DC/DC变换电路的正输出端与第一MOS管M1的漏极相连接,与栅极通过串联的第一稳压管V1和第一电阻R1相连接,且第一稳压管V1的阳极与栅极相连接;第一MOS管M1的源极与栅极之间接有并联的第一电容C1与第二稳压管V2,且第二稳压管V2的阳极、第一MOS管M1的源极均接输出门限电路的正输出端。本实用新型元器件少,体积小,可靠性高,在输出需要设计门限电路的电源中具有广泛的应用前景。

Description

一种简易输出门限电路
技术领域
本实用新型涉及电源技术领域,尤其是涉及一种简易输出门限电路。
背景技术
在电源技术中,有些电路要求输出电压大于某一门限电压值,才能正常输出,这就需要设计输出门限电路。
传统电路一般设计为输出电压保护电路,即利用比较器及外围相关电路,采集输出电压,当输出电压大于某一门限值,比较器翻转输出驱动信号,电源正常输出;但该电路较为复杂,调试不便,而且比较器需要额外提供供电电压,设计所需器件繁多,不利于设计的简洁化和方便化。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型的目的是提供一种简易输出门限电路。
为实现上述发明目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种简易输出门限电路,其包括第一MOS管M1、第一电阻R1、第一稳压管V1、第二稳压管V2和第一电容C1,DC/DC变换电路的正输出端与第一MOS管M1的漏极相连接,与栅极通过串联的第一稳压管V1和第一电阻R1相连接,且第一稳压管V1的阳极与栅极相连接;第一MOS管M1的源极与栅极之间接有并联的第一电容C1与第二稳压管V2,且第二稳压管V2的阳极、第一MOS管M1的源极均接输出门限电路的正输出端。
进一步地,上述的第一MOS管M1为N沟道增强型MOS管。
由于采用如上所述的技术方案,本实用新型具有如下优越性:
该简易输出门限电路,其电路设计简单,元器件少,体积小,制造成本低,可靠性高,实用性强,在输出需要设计门限电路的电源中具有广泛的应用前景。
附图说明
图1是本实用新型简易输出门限电路的原理图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型的技术方案作进一步详细说明。
如图1所示,该简易输出门限电路,其包括第一MOS管M1、第一电阻R1、第一稳压管V1、第二稳压管V2和第一电容C1,DC/DC变换电路的正输出端(OUT+)与第一MOS管M1的漏极(D)相连接,与栅极(G)通过串联的第一稳压管V1和第一电阻R1相连接,且第一稳压管V1的阳极与栅极(G)相连接;第一MOS管M1的源极(S)与栅极(G)之间接有并联的第一电容C1与第二稳压管V2,且第二稳压管V2的阳极、第一MOS管M1的源极(S)均接输出门限电路的正输出端(OUT+),DC/DC变换电路的负输出端(OUT-)接输出门限电路的负输出端(OUT-)。
上述的第一MOS管M1为N沟道增强型MOS管;第一MOS管M1的型号为IRF260;DC/DC变换电路型号为V300A28T500BL。
第二稳压管V2的稳压值为第一MOS管M1的导通电压,为10VDC~15VDC,第一稳压管V1的导通电压为输出门限电压减去第二稳压管V2的稳压值,即第一稳压管V1与第二稳压管V2的稳压值之和为所要求的输出门限电压值。
本实用新型简易输出门限电路,其工作原理为:DC/DC变换电路的输出端输出电压小于门限电压值时,无法击穿第一稳压管V1、第二稳压管V2,第一MOS管M1处于非导通状态,最终输出端OUT无电压输出;当DC/DC变换电路的输出端输出电压大于门限电压值时,第一稳压管V1、第二稳压管V2被击穿,第一电容C1两端维持第二稳压管V2的稳压值,即输出给第一MOS管M1的栅极(G)一个稳定的驱动电压,第一MOS管M1导通,最终输出端OUT正常输出。
以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (2)

1.一种简易输出门限电路,其特征是:其包括第一MOS管M1、第一电阻R1、第一稳压管V1、第二稳压管V2和第一电容C1,DC/DC变换电路的正输出端与第一MOS管M1的漏极相连接,与栅极通过串联的第一稳压管V1和第一电阻R1相连接,且第一稳压管V1的阳极与栅极相连接;第一MOS管M1的源极与栅极之间接有并联的第一电容C1与第二稳压管V2,且第二稳压管V2的阳极、第一MOS管M1的源极均接输出门限电路的正输出端。
2.根据权利要求1所述的简易输出门限电路,其特征是:其第一MOS管M1为N沟道增强型MOS管。
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