CN2132380Y - 自保护型日光灯电子镇流器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种自保护型日光灯电子镇 流器，包括整流电路，触发电路，高频振荡电路，在触 发电路和高频振荡电路间设置了自保护电路。自保 护电路中有电流检测电路，检波电路，延时电路，控制 电路。在负载不正常，振荡回路电流过大时，自保护 电路可自动使振荡电路进入停振或低耗状态，以防止 镇流器元件在过载情况下损环，使用寿命长，成本 低。

Description

本实用新型涉及的是一种镇流器，特别涉及的是一种自保护型日光灯电子镇流器。

目前我国市场上销售使用的日光灯电子镇流器包括整流电路，触发电路，高频振荡电路。当镇流器负载发生非正常情况，如安装或试灯过程中引线两端发生短路或灯管极度衰老或慢性漏气不能启燃等时，振荡回路的电流和电压均可超过正常值的2倍以上，甚至达到5～10倍，镇流器将会在短期内损坏。

鉴于以上原因，本实用新型的目的是为了提供一种成本低，负载发生非正常情况时能自动保护，使用寿命长的自保护型日光灯电子镇流器。

本实用新型是这样来实现的：本实用新型包括整流电路，含电感线圈L₂和晶体管T₄和电容C₅的高频振荡电路，其特征是设置了触发电路，在触发电路和高频振荡电路间设置了自保护电路（参见图1、图2），当镇流器负载不正常而发生振荡回路电流过大的情况时，自保护电路可自动使电路进入停振或低耗状态以防止镇流器元件过载情况下损坏。

上述的自保护电路中有一端与高频振荡电路耦合的电感线圈L₅的电流检测电路，包括输入端与电感线圈L₅另一端连接的二极管D₁、连接于二极管D₁输出端和电感线圈L₅间的电容C₂、电阻R₆的检波电路，包括一端与二极管D₁输出端连接的电阻R₅、连接于电阻R₅与电感线圈L₅间的电容C₃的延时电路，与延时电路连接的控制电路（参见图1、图2）。

上述的控制电路可采用晶体管T₅，晶体管T₅的基极与延时电路连接，其发射极和集电极分别与触发电路和整流电路连接（参见图2、图3）。

上述的控制电路可采用可控硅SCR，可控硅SCR的控制极与延时电路连接，其阳极和阴极分别与触发电路和整流电路连接（参见图4）。

上述的高频振荡电路中有与电感线圈L₂耦合的电感线圈L₈，控制电路的控制端（如晶体管T₅的集电极，可控硅SCR的控制极）可直接与电感线圈L₈连接（参见图5）。

上述的检测电路中还包括与电感线圈L₅耦合的电感线圈L₆，L₆串接于高频振荡电路中的电容C₅和灯丝之间（参见图6）。

上述的检测电路也可采用电阻R₇，电阻R₇可接于高频振荡电路中的晶体管T₄发射极和晶体管T₅发射极间（参见图7）。

上述的触发电路中有接成正反馈的晶体管T₁、T₂，接于整流电路输出端与晶体管T₁发射极和晶体管T₂发射极间的电容C₁，晶体管T₂发射极与高频振荡电路中的晶体管T₄基极相接（参见图3），由于晶体管T₁、T₂导通时，具有极低的内阻，加在T₄开关管基极上的触发功率高，此时即使电源脉动率较大，在电压较低时也能保证T₄可靠触发，提高了触发频率和触发功率，克服了脉动系数高时所带来的灯管亮度下降和闪烁的缺点，由于触发电路的触发功率大，可在整流电路中采用较小数值的滤波电容Cp，也可不用（参见图6）。

上述的触发电路中的晶体管T₂的发射极和高频振荡电路中的晶体管T₄发射极间串联了电感线圈L₁（参见图2），这样触发电路的输出触发脉冲通过电感线圈L₁耦合到晶体管T4基极保证T₄可靠触发。

本实用新型中采用了自保护电路，在负载不正常，高频振荡回路中电流过大时，自保护电路可自动使振荡电路进入停振或低耗状态，以防止镇流器元件在过载情况下损坏，使用寿命长，成本低。在本实用新型中还用提高触发频率和触发功率来克服脉动系数高时所带来的灯管亮度下降和闪烁的缺点。

下面结合附图详细说明本实用新型的实施例，但本实用新型的范围不仅限于下面的实施例：

图1：本实用新型的电路方框图

图2：本实用新型电路图1

图3：本实用新型电路图2

图4：本实用新型电路图3

图5：本实用新型电路图4

图6：本实用新型电路图5

图7：本实用新型电路图6

图1为本实用新型的电路方框图。图中序号1为电源，2为整流电路，3为触发电路，4为高频振荡电路，5为日光灯管，6为自保护电路，7为电流检测电路，8为检波电路，9为延时电路，10为控制电路。

实施例1：

图2、图3为本实用新型的实施例1的电路图。本实施例1包括整流电路2，触发电路3，高频振荡电路4，自保护电路6，自保护电路6中有电流检测电路7，检波电路8，延时电路9，控制电路10。

触发电路3包括接成正反馈的晶体管T₁、T₂，接于整流电路输出端与晶体管T₁发射极和晶体管T₂发射极间的电容C₁，晶体管T₂的发射极与高频振荡电路中的晶体管T₄基极相接（参见图3）。在触发电路3中也可如图2所示；在晶体管T₂发射极和晶体管T₄发射极间串接了电感线圈L₁。

自保护电路6中的电流检测电路7采用与高频振荡电路2中的电感线圈L₄耦合的电感线圈L₅。检波电路8包括输入端与电感线圈L₅另一端连接的二极管D₁，连接于二极管D₁输出端和电感线圈L₅间的电容C₂、电阻R₆。延时电路9包括一端与二极管D₁输出端连接的电阻R₅，连接于电阻R₅与电感线圈L₅间的电容C₃。控制电路10可采用晶体管T₅，晶体管T₅的基极与延时电路连接，其发射极和集电极分别与触发电路和整流电路连接。

本实用新型是这样工作的：电流经整流电路整流后分别进入触发电路和高频振荡电路，电容C₁经电阻R₁充电到晶体管T₁、T₂的击穿电压，T₁、T₂导通形成强烈的正反馈，在电感线圈L₁上输出触发脉冲，耦合到高频振荡电路中的电感线圈L₂，通过限流电阻R₄耦合到晶体管T₄基极，激发振荡回路产生振荡，由限流电感线圈L₇输出，点燃日光灯管。电感线圈L₃、L₄、L₂的耦合方向使晶体管T₃、T₄交替导通和截止，采用晶体管T₁、T₂作触发电路是为了提高触发功率和触发频率。

电感线圈L₅通过L₄耦合检出振荡回路中的电流，在正常工作电流情况下，二极管D₁输出的直流电压小于晶体管T₅的导通电压（约0.6V），T₅不工作。但在非正常情况下，回路电流增大，D₁输出直流电压升高，当超过T₅导通电压（0.6V）时，T₅经电阻R₅，电容C₃延时导通，短路C₁，使电路停振而达到自动保护的目的。

实施例2：

图4给出了本实用新型的实施例2的电路图。本实施例2基本与实施例1同。不同处是控制电路采用了可控硅SCR，可控硅SCR的控制极与延时电路连接，其阳极和阴极分别与触发电路和整流电路连接。

实施例1和实施例2中的控制电路的控制端可如图5所示接于与电感线圈L₂耦合的电感线圈L₈的一端上。

实施例3：

图6给出了本实用新型的实施例3的电路图。本实施例3基本与实施例1同，不同处是在检测电路中除采用电感线圈L₅外，还包括与电感线圈L₅耦合的电感线圈L₆，L₆串接于高频振荡电路中的电容C₅和灯丝间。

实施例4：

图7给出了本实用新型的实施例4的电路图。本实施例4基本与实施例1同，不同处是检测电路采用了电阻R₇，电阻R₇可接于高频振荡电路中的晶体管T₄发射极和晶体管T₅发射极间。

Claims (9)

1、自保护型日光灯电子镇流器，包括整流电路，含电感线圈L₂和晶体管T₄和电容C₅的高频振荡电路，其特征在于设置了触发电路，在触发电路和高频振荡电路间设置了自保护电路。

2、如权利要求1所述的自保护型日光灯电子整流器，其特征在于所述的自保护电路中有一端与高频振荡电路连接的电感线圈L₅的电流检测电路，包括输入端与电感线圈L₅另一端连接的二极管D₁、连接于二极管D₁输出端和电感线圈L₅间的电容C₂、电阻R₆的检波电路，包括一端与二极管D₁输出端连接的电阻R₅、连接于电阻R₅电感线圈L₅间的电容C₃的延时电路，与延时电路连接的控制电路。

3、如权利要求2所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的控制电路可采用晶体管T₅，晶体管T₅的基极与延时电路连接，其发射极和集电极分别与触发电路和整流电路连接。

4、如权利要求2所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的控制电路可采用可控硅SCR，可控硅SCR的控制极与延时电路连接，其阳极和阴极分别与触发电路和整流电路连接。

5、如权利要求3或4所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的高频振荡电路中有与电感线圈L₂耦合的电感线圈L₈，控制电路的控制端可接于电感线圈L₈上。

6、如利要求2所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的检测电路中还包括与电感线圈L₅耦合的电感线圈L₆，电感线圈L₆串接于高频振荡电路中的电容C₅和灯丝之间。

7、如权利要求2所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的检测电路可采用电阻R₇，电阻R₇可接于晶体管T₄发射极和T₅发射极间。

8、如权利要求2或3或4或6或7所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的触发电路中有接成正反馈的晶体管T₁、T₂，接于整流电路输出端与晶体管T₁发射极和晶体管T₂发射极间的电容C₁，晶体管T₂的发射极和高频振荡电路中的晶体管T₄基极相接。

9、如权利要求8所述的自保护型日光灯电子镇流器，其特征在于所述的晶体管T₂的发射极与晶体管T₄发射极间串接了电感线圈L₁。

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