CN213152431U - 一种非隔离关断低待机功耗调光电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例公开了一种非隔离关断低待机功耗调光电路，涉及LED调光技术领域。该调光电路包括调光单元、继电器控制单元、继电器单元、电源输出单元以及供电单元；调光单元与继电器控制单元连接，继电器控制单元分别与继电器单元以及供电单元连接，继电器单元与电源输出单元连接，电源输出单元与LED灯连接，供电单元与IC芯片连接。在调光单元接收到的PWM信号的占空比小于预设的占空比阈值时，调光单元向继电器控制单元输出高电平信号；在接收到调光单元输出的高电平信号时，继电器控制单元控制继电器单元切断电源输出单元向LED灯的供电输出，以及控制供电单元停止向IC芯片供电。由此，可关断LED灯，同时切断IC芯片的供电达到降低待机功耗的目的。
Description
技术领域
本实用新型涉及LED调光技术领域，尤其涉及一种非隔离关断低待机功耗调光电路。
背景技术
在传统非隔离拓扑中，由于灯珠与灯板之间寄生电容存在，从火线到PFC部分，再到BUCK部分，然后到灯珠，寄生电容，最终到灯具，回到大地，组成回路，这样灯微亮，不能够关断。
同时，传统电路待机时，待机功耗超过0.5W，不满足ERP(Enterprise ResourcePlanning，企业资源计划)指令要求。
实用新型内容
本实用新型实施例提出一种非隔离关断低待机功耗调光电路，旨在解决现有非隔离拓扑调光无法关断LED灯以及待机功耗高的问题。
为了解决上述问题，本实用新型实施例提出一种非隔离关断低待机功耗调光电路，所述非隔离关断低待机功耗调光电路包括调光单元、继电器控制单元、继电器单元、电源输出单元以及供电单元；调光单元与继电器控制单元连接，继电器控制单元分别与继电器单元以及供电单元连接，继电器单元与电源输出单元连接，电源输出单元与LED灯连接，供电单元与IC芯片连接；
其中，在调光单元接收到的PWM信号的占空比小于预设的占空比阈值时，调光单元向继电器控制单元输出高电平信号；在接收到调光单元输出的高电平信号时，继电器控制单元控制继电器单元切断电源输出单元向LED灯的供电输出，以及控制供电单元停止向IC芯片供电。
其进一步的技术方案为，调光单元包括第一电阻、第二电阻、第一电容以及运算放大器，第一电阻与第二电阻串联，第二电阻与运算放大器的负输入端连接，第一电容与第一电阻连接且接地。
其进一步的技术方案为，非隔离关断低待机功耗调光电路还包括滞环单元，滞环单元包括第三电阻以及第四电阻，第三电阻与运算放大器的正输入端连接，第四电阻分别与运算放大器的正输入端以及运算放大器的输出端连接。
其进一步的技术方案为，继电器控制单元包括第一MOS管，第一MOS管的栅极与运算放大器的输出端连接，第一MOS管的漏极与继电器单元连接，第一MOS管的源极接地。
其进一步的技术方案为，第一MOS管的栅极通过第五电阻与运算放大器的输出端连接，第一MOS管的栅极分别通过第六电阻以及第二电容接地。
其进一步的技术方案为，继电器单元包括继电器，继电器的控制端与第一MOS管的漏极连接。
其进一步的技术方案为，电源输出单元包括正电源线以及负电源线，继电器包括两被控开关，两被控开关分别设置在正电源线以及负电源线上。
其进一步的技术方案为，供电单元包括第二MOS管以及三极管，第一MOS管的漏极与第二MOS管的栅极连接，第二MOS管的漏极与三极管的基极连接，第二MOS管的源极接地；三极管的发射极与供电端连接，三极管的集电极与IC芯片连接。
其进一步的技术方案为，供电端通过第七电阻与第二MOS管的栅极连接，第二MOS管的栅极分别通过第八电阻以及第三电容接地。
其进一步的技术方案为，供电端通过第九电阻与三极管的基极连接，三极管的基极通过第十电阻与第二MOS管的漏极连接。
与现有技术相比，本实用新型实施例所能达到的技术效果包括：
在调光单元接收到的PWM信号的占空比小于预设的占空比阈值时，调光单元向继电器控制单元输出高电平信号；在接收到调光单元输出的高电平信号时，继电器控制单元控制继电器单元切断电源输出单元向LED灯的供电输出，以及控制供电单元停止向IC芯片供电。由此，可关断LED灯，同时切断IC芯片的供电达到降低待机功耗的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例提出的一种非隔离关断低待机功耗调光电路的原理框图；
图2为本实用新型实施例提出的一种非隔离关断低待机功耗调光电路的电路图。
附图标记
调光单元100、继电器控制单元200、继电器单元300、电源输出单元400、供电单元500、LED灯600、IC芯片700、滞环单元800。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，附图中类似的组件标号代表类似的组件。显然，以下将描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本实用新型实施例说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本实用新型实施例。如在本实用新型实施例说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
参见图1-图2，本实用新型实施例提出一种非隔离关断低待机功耗调光电路，由图可知，所述非隔离关断低待机功耗调光电路包括调光单元100、继电器控制单元200、继电器单元300、电源输出单元400以及供电单元500。调光单元100与继电器控制单元200连接，继电器控制单元200分别与继电器单元300以及供电单元500连接，继电器单元300与电源输出单元400连接，电源输出单元400与LED灯600连接，供电单元500与IC芯片700连接。
在调光单元100接收到的PWM信号的占空比小于预设的占空比阈值时，调光单元100向继电器控制单元200输出高电平信号；在接收到调光单元100输出的高电平信号时，继电器控制单元200控制继电器单元300切断电源输出单元400向LED灯600的供电输出，以及控制供电单元500停止向IC芯片700供电。由此，可关断LED灯600，同时切断IC芯片700的供电达到降低待机功耗的目的。
相应地，在调光单元100接收到的PWM信号的占空比大于预设的阈值时，调光单元100向继电器控制单元200输出低电平信号；在接收到调光单元100输出的低电平信号时，继电器控制单元200控制继电器单元300导通电源输出单元400向LED灯600的供电输出，以及控制供电单元500向IC芯片700供电。由此，可开启LED灯600，同时向IC芯片700供电。
进一步地，调光单元100包括第一电阻R305、第二电阻R306、第一电容C307以及运算放大器AS321，第一电阻R305与第二电阻R306串联，第二电阻R306与运算放大器AS321的负输入端(即运算放大器AS321的引脚3)连接，第一电容C307与第一电阻R305连接且接地。PWM信号源与第一电阻R305连接，用以输出PWM信号。
进一步地，非隔离关断低待机功耗调光电路还包括滞环单元800，滞环单元800包括第三电阻R310以及第四电阻R316，第三电阻R310与运算放大器AS321的正输入端(即运算放大器AS321的引脚1)连接，第四电阻R316分别与运算放大器AS321的正输入端以及运算放大器AS321的输出端(即运算放大器AS321的引脚4)连接。运算放大器AS321的正输入端用于接收参考信号。
进一步地，继电器控制单元200包括第一MOS管Q301，第一MOS管Q301的栅极与运算放大器AS321的输出端连接，第一MOS管Q301的漏极与继电器单元300连接，第一MOS管Q301的源极接地。
进一步地，第一MOS管Q301的栅极通过第五电阻R307与运算放大器AS321的输出端连接，第一MOS管Q301的栅极分别通过第六电阻R308以及第二电容C305接地。
进一步地，继电器单元300包括继电器K1，继电器K1的控制端(继电器K1的引脚1)与第一MOS管Q301的漏极连接。电源输出单元400包括正电源线以及负电源线，继电器包括两被控开关，两被控开关分别设置在正电源线以及负电源线上。正电源线以及负电源线分别与LED灯的正极LED+以及负极LED-连接。正电源线可具体为火线，负电源线可具体为零线。
进一步地，供电单元500包括第二MOS管Q302以及三极管Q103，第一MOS管Q301的漏极与第二MOS管Q302的栅极连接，第二MOS管Q302的漏极与三极管Q103的基极连接，第二MOS管Q302的源极接地；三极管Q103的发射极与供电端PVCC连接，三极管的集电极与IC芯片700连接(具体连接到IC芯片700的供电接口VCC)。
进一步地，供电端PVCC通过第七电阻R114与第二MOS管Q302的栅极连接，第二MOS管Q302的栅极分别通过第八电阻R121以及第三电容C110接地。
进一步地，供电端PVCC通过第九电阻R104与三极管Q103的基极连接，三极管Q103的基极通过第十电阻R122与第二MOS管Q302的漏极连接。
本实用新型的工作原理如下：
当PWM信号的占空比从大逐渐变小时，PWM信号通过第一电阻R305和第一电容C307进行RC滤波后，转化为直流信号，相对应的直流信号逐渐变小，运算放大器AS321的负输入端从原来大于参考电压VREF逐渐变成小于参考电压VREF，运算放大器AS321的输出端的输出由原来的低电平逐渐变成高电平，第一MOS管Q301栅极由低电平逐渐变为高电平，第一MOS管Q301由原来截止状态逐渐变为导通状态，继电器K1的引脚1拉低，继电器K1的引脚12与引脚1之间的电压超过继电器K1的开通电压，继电器K1动作，常闭开关断开，进而达到输出关断输出的目的；同时由于第一MOS管Q301由原来截止状态变为导通状态，第二MOS管Q302栅极为由原来高电平变为低电平，第二MOS管Q302由原来导通状态变为截止状态，三极管Q103由原来导通状态变为截止状态，导致IC芯片供电切断，达到降低待机功耗的目的。
当PWM信号的占空比从小逐渐变大时，PWM信号通过第一电阻R305和第一电容C307进行RC滤波后，转化为直流信号，相对应的直流信号逐渐变大，运算放大器AS321的负输入端从原来小于参考电压VREF逐渐变成大于参考电压VREF，运算放大器AS321的输出端的输出由原来高电平逐渐变成低电平，第一MOS管Q301的栅极由高电平逐渐变为低电平，第一MOS管Q301由原来导通状态逐渐变为截止状态，继电器K1的引脚12与引脚1之间电压未超过继电器K1的开通电压，继电器K1由原来断开状态变为常闭状态，同时由于第一MOS管Q301由原来导通状态变为截止状态，第二MOS管Q302的栅极为由原来低电平变为高电平，第一MOS管Q302由原来截止状态变为导通状态，三极管Q103由原来截止状态变为导通状态，供电端PVCC给IC芯片正常供电。
进一步引入滞环电路，解决继电器K1不断重复动作引起闪灯问题，参考电压VREF的大小决定关断点大小，第四电阻R316和第三电阻R310决定滞环大小。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详细描述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，尚且本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
以上所述，为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此，本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，包括调光单元、继电器控制单元、继电器单元、电源输出单元以及供电单元；调光单元与继电器控制单元连接，继电器控制单元分别与继电器单元以及供电单元连接，继电器单元与电源输出单元连接，电源输出单元与LED灯连接，供电单元与IC芯片连接；
其中，在调光单元接收到的PWM信号的占空比小于预设的占空比阈值时，调光单元向继电器控制单元输出高电平信号；在接收到调光单元输出的高电平信号时，继电器控制单元控制继电器单元切断电源输出单元向LED灯的供电输出，以及控制供电单元停止向IC芯片供电。
2.根据权利要求1所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，调光单元包括第一电阻、第二电阻、第一电容以及运算放大器，第一电阻与第二电阻串联，第二电阻与运算放大器的负输入端连接，第一电容与第一电阻连接且接地。
3.根据权利要求2所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，非隔离关断低待机功耗调光电路还包括滞环单元，滞环单元包括第三电阻以及第四电阻，第三电阻与运算放大器的正输入端连接，第四电阻分别与运算放大器的正输入端以及运算放大器的输出端连接。
4.根据权利要求2所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，继电器控制单元包括第一MOS管，第一MOS管的栅极与运算放大器的输出端连接，第一MOS管的漏极与继电器单元连接，第一MOS管的源极接地。
5.根据权利要求4所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，第一MOS管的栅极通过第五电阻与运算放大器的输出端连接，第一MOS管的栅极分别通过第六电阻以及第二电容接地。
6.根据权利要求4所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，继电器单元包括继电器，继电器的控制端与第一MOS管的漏极连接。
7.根据权利要求5所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，电源输出单元包括正电源线以及负电源线，继电器包括两被控开关，两被控开关分别设置在正电源线以及负电源线上。
8.根据权利要求4所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，供电单元包括第二MOS管以及三极管，第一MOS管的漏极与第二MOS管的栅极连接，第二MOS管的漏极与三极管的基极连接，第二MOS管的源极接地；三极管的发射极与供电端连接，三极管的集电极与IC芯片连接。
9.根据权利要求8所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，供电端通过第七电阻与第二MOS管的栅极连接，第二MOS管的栅极分别通过第八电阻以及第三电容接地。
10.根据权利要求8所述的非隔离关断低待机功耗调光电路，其特征在于，供电端通过第九电阻与三极管的基极连接，三极管的基极通过第十电阻与第二MOS管的漏极连接。
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