CN213125850U - 一种低损耗的电源维持模块配置电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提出一种低损耗的电源维持模块配置电路，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括输入电源、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、控制芯片和电源输出端，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述输入电源电连接，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述控制芯片电连接，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述电源输出端电连接；本实用新型提出的低损耗的电源维持模块配置电路通过第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管减小了导通压降，从而使本低损耗的电源维持模块配置电路的损耗减小。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源电路领域，尤其涉及一种低损耗的电源维持模块配置电路。
背景技术
现有的电源维持模块，输入端多采用外接一个肖特基二极管连接到输出端，给后端DC/DC变换器供电。肖特基二极管易应用、电路简单、成本低，但其正向压降会产生较大的功耗，损耗较大，因此在大功率电源维持模块中并不适用。
实用新型内容
为了解决上述问题，本实用新型提出一种低损耗的电源维持模块配置电路。
本实用新型通过以下技术方案实现的：
本实用新型提出一种低损耗的电源维持模块配置电路，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括输入电源、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、控制芯片和电源输出端，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述输入电源电连接，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述控制芯片电连接，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述电源输出端电连接。
进一步的，所述第一N沟道MOS管的源极与所述输入电源电连接并且充当二极管的正极，所述第一N沟道MOS管的漏极与所述电源输出端电连接并且充当二极管的负极。
进一步的，所述第二N沟道MOS管的源极与所述输入电源电连接并且充当二极管的正极，所述第二N沟道MOS管的漏极与所述电源输出端电连接并且充当二极管的负极。
进一步的，所述第一N沟道MOS管的栅极与所述控制芯片的第3引脚电连接；所述第二N沟道MOS管的栅极与所述控制芯片的第3引脚电连接。
进一步的，所述第一N沟道MOS管的源极与所述控制芯片的第2引脚电连接；所述第二N沟道MOS管的源极与所述控制芯片的第2引脚电连接。
进一步的，所述第一N沟道MOS管的漏极与所述控制芯片的第1引脚电连接；所述第二N沟道MOS管的漏极与所述控制芯片的第1引脚电连接。
进一步的，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括还包括第一电容，所述控制芯片的第6引脚与所述电源输出端电连接，所述第一电容一端与所述控制芯片的第6引脚电连接，所述第一电容另一端与所述控制芯片的第4引脚电连接。
进一步的，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括还包括电阻和第二电容，所述电阻和所述第二电容均与所述控制芯片的第1引脚电连接。
本实用新型的有益效果：
本实用新型提出的低损耗的电源维持模块配置电路通过第一N沟道MOS管和第二N沟道MOS管减小了导通压降，从而使本低损耗的电源维持模块配置电路的损耗减小。
附图说明
图1为本实用新型的低损耗的电源维持模块配置电路的结构图。
具体实施方式
为了更加清楚、完整的说明本实用新型的技术方案，下面结合附图对本实用新型作进一步说明。
请参考图1，本实用新型提出一种低损耗的电源维持模块配置电路，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括输入电源VIN、第一N沟道MOS管Q13、第二N沟道MOS管Q14、控制芯片和电源输出端VOUT，所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14均与所述输入电源VIN电连接，所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14均与所述控制芯片电连接，所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14均与所述电源输出端VOUT电连接；
所述第一N沟道MOS管Q13的源极与所述输入电源VIN电连接并且充当二极管的正极，所述第一N沟道MOS管Q13的漏极与所述电源输出端VOUT电连接并且充当二极管的负极；
所述第二N沟道MOS管Q14的源极与所述输入电源VIN电连接并且充当二极管的正极，所述第二N沟道MOS管Q14的漏极与所述电源输出端VOUT电连接并且充当二极管的负极；
所述第一N沟道MOS管Q13的栅极与所述控制芯片的第3引脚电连接；所述第二N沟道MOS管Q14的栅极与所述控制芯片的第3引脚电连接；
所述第一N沟道MOS管Q13的源极与所述控制芯片的第2引脚电连接；所述第二N沟道MOS管Q14的源极与所述控制芯片的第2引脚电连接；
所述第一N沟道MOS管Q13的漏极与所述控制芯片的第1引脚电连接；所述第二N沟道MOS管Q14的漏极与所述控制芯片的第1引脚电连接；
所述低损耗的电源维持模块配置电路包括还包括第一电容，所述控制芯片的第6引脚与所述电源输出端VOUT电连接，所述第一电容一端与所述控制芯片的第6引脚电连接，所述第一电容另一端与所述控制芯片的第4引脚电连接；
在本实施方式中，所述控制芯片为LTC4357芯片，所述控制芯片控制所述第一N沟道MOS管Q13和第二N沟道MOS管Q14工作；所述第一电容的数量为2个，具体为电容C27和电容C29；工作时，所述输入电源VIN工作，此时负载电流流过所述第一N沟道MOS管Q13的体二极管和所述第二N沟道MOS管Q14的体二极管，所述控制芯片检测第2引脚到第1引脚的电压降，并把电压降保持在25mV(毫伏)，如果负载电流增大，使电压降超过25mV，所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14将被所述控制芯片驱动至完全导通状态；如果负载电流减小，所述控制芯片将所述第一N沟道MOS管Q13的栅极和所述第二N沟道MOS管Q14的栅极驱动至较低的电平使电压降保持25mV，若负载电流减小使电压降不足以保持在25mV，则所述控制芯片关断所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14；如果发生短路，则电流迅速反向并由所述第一电容供电，所述控制芯片通过内部的比较器测量第2引脚到第1引脚的电压降来检测反向电流，当所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14两端的压降超过-25mV，所述控制芯片内部的比较器将在500ns(纳秒)以内将所述第一N沟道MOS管Q13的栅极和所述第二N沟道MOS管Q14的栅极电平拉低，以关断所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14；所述低损耗的电源维持模块配置电路通过所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14减小了导通压降，从而使所述低损耗的电源维持模块配置电路的损耗减小。
进一步的，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括还包括电阻R33和第二电容C30，所述电阻R33和所述第二电容C30均与所述控制芯片的第1引脚电连接。
在本实施方式中，所述电阻R33和所述第二电容C30还与所述第一N沟道MOS管Q13电连接，所述电阻R33和所述第二电容C30还与所述第二N沟道MOS管Q14电连接；所述电阻R33和第二电容C30可有效解决所述第一N沟道MOS管Q13和所述第二N沟道MOS管Q14重复开关机引起的电源振荡问题。
当然，本实用新型还可有其它多种实施方式，基于本实施方式，本领域的普通技术人员在没有做出任何创造性劳动的前提下所获得其他实施方式，都属于本实用新型所保护的范围。
Claims (8)
1.一种低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括输入电源、第一N沟道MOS管、第二N沟道MOS管、控制芯片和电源输出端，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述输入电源电连接，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述控制芯片电连接，所述第一N沟道MOS管和所述第二N沟道MOS管均与所述电源输出端电连接。
2.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的源极与所述输入电源电连接并且充当二极管的正极，所述第一N沟道MOS管的漏极与所述电源输出端电连接并且充当二极管的负极。
3.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述第二N沟道MOS管的源极与所述输入电源电连接并且充当二极管的正极，所述第二N沟道MOS管的漏极与所述电源输出端电连接并且充当二极管的负极。
4.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的栅极与所述控制芯片的第3引脚电连接；所述第二N沟道MOS管的栅极与所述控制芯片的第3引脚电连接。
5.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的源极与所述控制芯片的第2引脚电连接；所述第二N沟道MOS管的源极与所述控制芯片的第2引脚电连接。
6.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述第一N沟道MOS管的漏极与所述控制芯片的第1引脚电连接；所述第二N沟道MOS管的漏极与所述控制芯片的第1引脚电连接。
7.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括还包括第一电容，所述控制芯片的第6引脚与所述电源输出端电连接，所述第一电容一端与所述控制芯片的第6引脚电连接，所述第一电容另一端与所述控制芯片的第4引脚电连接。
8.根据权利要求1所述的低损耗的电源维持模块配置电路，其特征在于，所述低损耗的电源维持模块配置电路包括还包括电阻和第二电容，所述电阻和所述第二电容均与所述控制芯片的第1引脚电连接。
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2020
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