CN2130280Y

CN2130280Y - 高强度脉冲磁化仪

Info

Publication number: CN2130280Y
Application number: CN 92231706
Authority: CN
Inventors: 赵宪铭
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1992-09-02
Filing date: 1992-09-02
Publication date: 1993-04-21
Anticipated expiration: 2002-09-02

Abstract

本实用新型涉及一种充磁设备，尤其是适于对 “钕铁硼”磁性材料在生产流水线的充磁。在电路板上的充放电电路中具有桥式整流器，充电可控硅、充磁可控硅、等位电阻、限流电阻、储能电容、充磁大线圈及续流二极管，其中充电可控硅一端与桥式整流器的输出端串联，而充磁可控硅与桥式整流并联，充磁大线圈与充磁可控硅又串联，此外，在电路板上还设有时间控制电路。从而提高了设备的稳定性、可靠性，并且使设备体积减小，自身耗能降低。

Description

本实用新型涉及一种充磁设备，尤其是适于对“钕铁硼”磁性材料在生产流水线的充磁。

众所周知，近年来，新型“钕铁硼”磁性材料广泛应用于音响器材、电机、石英钟表、器件仪表、电子计算机、磁力机械处理器及医疗器械等领域。目前市场上常见的充磁机有两种：一种是高压型，它是在700～800伏下，采用有触点交流继电器、交流接触器，对储能电容充电，而后，在脉冲信号控制下，储能电容放电而充磁，其缺陷是机械触点在大电流下易烧坏，因而使用寿命短。另一种是恒流型，它是采用手动调压器，又是两充磁大线圈对称式线包，充磁速度慢，原材料用量也大，效率低又不经济，总之，上述两种充磁机不能适应批量生产和降低成本的要求，此外，充磁的稳定性和可靠性也差。

本实用新型的目的是要提供一种高强度脉冲磁化仪，它是以低电压、大电流方式、采用充电可控硅和充磁可控硅，使储能电容充电和对负载线圈放电、建立瞬时强磁场。

本实用新型的目的是这样实现的：在电路板上的充放电电路中、具有桥式整流器D1～D4、充电可控硅CRT1、充磁可控硅CRT2、等位电阻R1、限流电阻R2、储能电容C0、充磁大线圈L及续流二极管D5，其中充电可控硅CRT1一端与桥式整流器D1～D5的输出端串联，而充磁可控硅CRT2与桥式整流D1～D5并联，充磁大线圈L与充磁可控硅CRT2又串联，此外，在电路板上还设有时间控制电路。当接通电源开关K0在时间控制电路发出的脉冲信号控制下，充电可控硅CRT1导通，充磁可控硅CRT2关闭，使储能电容C0快速充电，3秒钟达到饱和状态，此时，充电可控硅CRT1关断、时间控制电路又发出脉冲信号，使充磁可控硅CRT2导，储能电容C0中的电能流过充磁大线圈L，建立一个瞬时强磁场。

由于采用上述方案，采用大功率可控硅，使充磁过程变为无触点工作，提高了设备的稳定性、可靠性，此外，“低电压、大电流”工作方式使设备体积减小、自身耗能降低。

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的一个实施例结构示意图。

图2是本实用新型的一个实施例电路原理图。

图中：1.主机箱，2.后盖，3.电源变压器，4.电路柜，5.电容箱。

在图1中所示的主机箱1是一个长方形壳体，正面的上部用螺钉固定计数器、电压表、电流表、电源开关、指示灯及其它开关等，而在后面连接可拆卸的后盖2，主机箱1的底层用螺钉连接电源变压器3，和支持在主机箱1中间部位两侧板支架上的电路柜4，在电路柜4上设有充放电电路和时间控制是路及其元件。

在图2中所示：

在电路柜4上设置的充放电电路中，具有桥式整器D1～D4、充电可控硅CRT1、充磁可控硅CRT2、等位电阻R1、限流电阻R2、储能电容C0、充磁大线圈L、续流二极管D5、关机放电可控硅CRT3、阻流电阻R4、放电负载电阻R3及电源开关的常开触点K’0。其中桥式整流器D1～D4的输出端与充电可控硅CRT1一端串联，而充电可控硅CRT1的另一端F点同时电连接等位电阻R1和限流电阻R2的一端，而储能电容C0、充磁可控硅CRT2分别与桥式整流器D1～D4并联，又充磁大线圈L的一端与充磁可控硅CRT2串联，并且续流二极管D5与充磁大线圈L并联，此外，关机放电可控硅CRT3也与充磁大线圈L并联，并且关机放电可控硅CRT3与放电负载电阻R3串联，在充磁大线圈L线路中还有阻流电阻R4和自动开关K’0。其中充磁大线圈L是由3（毫米）×11（毫米）玻璃丝漆包线和导磁柱构成，导磁柱又是由冷轧硅钢片叠加而成。

在电路柜4上还设有时间控制电路，它是对充电可控硅CRT1和充磁可控硅CRT2同步控制，发出的脉冲信号脉宽约为1秒、间隔3秒、周期为4秒，然后经固态继电器SSR1、SSR2分离开，经整形放大，分离且分时地将1秒信号加到充磁可控硅CRT2栅极，3秒信号反相加到充电可控硅CRT1栅极，即保证了两个可控硅既同步又轮流交替工作。

时间控制电路是由时基振荡电路、微分触发电路、积分触发电路和触发分离电路所组成。

时基振荡电路是由振荡源IC2、电位器W1、电阻R13、电容C11构成。电位器W1是调节周期长短，R13C11时间常数是确定脉冲宽度。

微分触发电路是由微分触发器IC4、电阻R9、电容C9、偏置电阻R10和放大极管BG1构成。R9C9决定脉宽，而且手动开关K2与充磁可控硅CRT2基本同步。

积分触发电路是由积分触发器IC3、电阻R16、电容C12、电位器W2构成。由选择开关K1决定采取自动或手动充磁，而脉宽取决于（R16＋W2）*C12，通过调节电位器W2得到一个脉宽约为1秒的脉冲周期为4秒的信号，使充放电电路中一个可控硅导通，另一个可控硅关断。

触发分离电路是由固态继电器SSR1、SSR2、微分电阻R12、R20，限流电阻R11、R18、R19、电容C10构成。使两个可控硅通断嵌接，控制信号的隔离。

电压识别电路由Rs、D6、R6、R7和IC1组成，并连接在储能电容C0上，当储能电容电压达到要求值时，IC1电路翻转5脚输出低电平，IC4处于工作状态，即允许充磁，反之IC4处于不工作状态，开关K2不能控制充磁。从而保证充磁磁场强度，其中R6的值大小决定所要求的控制电压（认别电压）的高低。此外，IC1的2、4脚接地。

充电充磁过程如下：

将充放电电路接通电源开关K0、升压变压器把220伏升为310伏左右，在时间控制电路的脉冲信号控制下，充电可控硅CRT1处于导通状态，充磁可控硅CRT2处于关闭状态，直流电流向储能电容C0快速充电储能，3秒钟后储能电容C0充置饱和，此时，充电可控硅CRT1两端电压一致，充电可控硅CRT关断，时间控制电路又给充磁可控硅CRT2发出一个触发信号，于是，充磁可控硅CRT2迅速导通，储能电容C0的电能、通过充磁可控硅CRT2、在充磁大线圈L上流过，建立起一个10毫秒的瞬间强磁场，对磁性材料充磁。

Claims

1、一种高强度脉冲磁化仪包括主机箱、电容箱、后盖、电源变压器和电路柜，其特征是：在电路板上的充放电电路中、具有桥式整流器D1～D4、充电可控硅CRT1、充磁可控硅CRT2、等位电阻R1、限流电阻R2、储能电容CO、充磁大线圈L及续流二极管D5，其中充电可控硅CRT1-端与桥式整流器D1～D4的输出端串联，而充磁可控硅CRT2与桥式整流D1～D4并联，充磁大线圈L与充磁可控硅CRT2又串联，此外，在电路板上还设有时间控制电路。

2、按权利要求1所述的高强度脉冲磁化仪，其特征在于：时间控制电路是由时基振荡电路、微分触发电路、积分触发电路、电压识别电路和触发分离电路所组成。

3、按权利要求1所述的高强度脉冲磁化仪，其特征在于：上述充磁大线圈L玻璃丝漆包线和硅钢片导磁柱组成。