CN212894571U - 一种基于太阳能电池的封装胶膜 - Google Patents

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张刚
吕松
黄宝玉
季志超
乔刚
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Abstract

本实用新型公开了一种基于太阳能电池的封装胶膜,从上往下依次包括上EVA粘结层、抗PID的EVA胶膜层、紫外高截止EVA层、阻燃白膜、下EVA粘结层,抗PID的EVA胶膜层的上表面设有横向V形槽以及纵向V形槽,阻燃白膜的下表面设有横向V形槽以及纵向V形槽,上EVA粘结层以及下EVA粘结层的表面均设有阵列状的排气孔。本实用新型在后续层压工艺时,使得气体会沿着V形槽通过排气孔排出,为了避免V形槽在层压时形成气孔,横向填塞体和纵向填塞体在层压过程中会下压填充V形槽,防止V形槽结构内形成孔洞,提高胶膜的排气和粘结性能,有利于组件的制造良率和可靠性的提升。

Description

一种基于太阳能电池的封装胶膜
技术领域
本实用新型涉及光伏组件制造技术领域,更具体地说,本实用新型涉及一种基于太阳能电池的封装胶膜。
背景技术
太阳能是一种清洁能源,光伏组件的工作原理是把太阳能直接转换为电能,不断提高光伏组件的功率输出是太阳能光伏组件发展一个基本方向。双玻光伏组件一般按钢化玻璃、前胶膜层、电池片、后胶膜层、玻璃的顺序依次层叠后进行层压封装,好的封装材料是光伏电池持续稳定工作的有效保证。
封装胶膜的作用是在封装太阳能电池的同时,将玻璃及背板连接起来,目前应用最多的是EVA 胶膜,一般是使用两片相同的EVA胶膜将太阳能电池封在中间。该胶膜在太阳能电池组件层压过程中交联,将太阳能电池封装的同时将玻璃和背板连接起来。
目前的大功率太阳能电池组件越来越多,在晶硅转换效率技术没有明显提升的情况下,组件的尺寸也会相应增加。组件尺寸的增加导致在组件层压过程中玻璃边缘与背板材料、EVA胶膜之间由于堵塞气体而导致气泡排出通道,致使气泡堆积在组件的表面,影响组件的使用寿命。
现有技术中,公告号为CN202039014U的专利中,公开了一种单面四棱台太阳能电池封装胶膜,其胶膜的表面设置了具有四棱台形状的凸纹,在层压抽真空时可形成排气通道,使组件内的空气能够顺畅排出。但由于目前组件尺寸的不断增加,导致排气通道过长,层压时往往不能够及时将材料填塞满下陷的凹槽结构,不能及时排出的气体往往会存在于凹槽结构中形成气泡,最终影响组价的使用寿命。
因此,本领域技术人员亟需提供一种基于太阳能电池的封装胶膜,防止在排气槽中形成气泡,提高胶膜的排气和粘结性能,有利于组件的制造良率和可靠性的提升。
实用新型内容
为了克服现有技术的上述缺陷,本实用新型的提供一种基于太阳能电池的封装胶膜,防止在排气槽中形成气泡,提高胶膜的排气和粘结性能,有利于组件的制造良率和可靠性的提升。
为实现上述目的,本实用新型提供一种基于太阳能电池的封装胶膜,从上往下依次包括上EVA粘结层、抗PID的EVA胶膜层、紫外高截止EVA层、阻燃白膜、下EVA粘结层,所述抗PID的EVA胶膜层的上表面设有横向V形槽以及纵向V形槽,所述阻燃白膜的下表面设有横向V形槽以及纵向V形槽,所述上EVA粘结层以及下EVA粘结层的表面均设有阵列状的排气孔,所述上EVA粘结层的下表面以及下EVA粘结层的上表面均设有与横向V形槽位置相应的横向填塞体以及与纵向V形槽位置相应的纵向填塞体,所述横向填塞体与横向V形槽之间保持有预设间距的排气通道,所述纵向填塞体与纵向V形槽之间保持有预设间距的排气通道。
优选的,所述横向填塞体和纵向填塞体的截面形状呈V形结构。
优选的,所述横向填塞体与横向V形槽之间保持有10~30μm的排气通道,所述纵向填塞体与纵向V形槽之间保持有10~30μm的排气通道。
优选的,所述横向填塞体和纵向填塞体均匀分布在所述上EVA粘结层的下表面或下EVA粘结层的上表面。
优选的,所述横向填塞体和纵向填塞体的材质为EVA。
优选的,所述横向填塞体和纵向填塞体的高度为20~30μm。
优选的,所述横向V形槽以及纵向V形槽的深度为30~60μm。
本实用新型的技术效果和优点:本实用新型在后续层压工艺时,由于在透明EVA流延层上预留横向V形槽以及纵向V形槽,同时上EVA粘结层以及下EVA粘结层上布满排气孔,使得气体会沿着 V形槽通过排气孔排出,为了避免V形槽在层压时形成气孔,横向填塞体和纵向填塞体在层压过程中会下压填充V形槽,防止V形槽结构内形成孔洞,提高胶膜的排气和粘结性能,有利于组件的制造良率和可靠性的提升。
附图说明
图1为本实用新型中基于太阳能电池的封装胶膜的结构示意图;
图2为本实用新型中基于太阳能电池的封装胶膜的侧视图;
图3为本实用新型中抗PID的EVA胶膜层的结构示意图;
图4为本实用新型中阻燃白膜的结构示意图;
图5为本实用新型中下EVA粘结层的结构示意图;
图6为本实用新型中上EVA粘结层的结构示意图。
附图标记为:10、上EVA粘结层;20、抗PID的EVA胶膜层;30、紫外高截止EVA层;40、阻燃白膜;50、下EVA粘结层;60、横向V形槽;70、纵向V形槽;80、纵向填塞体;90、横向填塞体。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
如附图1-6所示的一种基于太阳能电池的封装胶膜,从上往下依次包括上EVA粘结层10、抗PID的EVA胶膜层20、紫外高截止EVA层30、阻燃白膜40、下EVA粘结层50,抗PID的EVA胶膜层10的上表面设有横向V形槽60以及纵向V形槽70,阻燃白膜40的下表面设有横向V形槽60以及纵向V形槽70,上EVA粘结层10以及下EVA粘结层50的表面均设有阵列状的排气孔,上EVA粘结层10的下表面以及下EVA粘结层50的上表面均设有与横向V形槽位置相应的横向填塞体90以及与纵向V形槽位置相应的纵向填塞体80,横向填塞体90与横向V形槽之60间保持有预设间距的排气通道,纵向填塞体80与纵向V形槽70之间保持有预设间距的排气通道。
请参考图5-6,本实用新型中的横向填塞体90和纵向填塞体80的截面形状呈V形结构,横向填塞体90和纵向填塞体80均匀分布在上EVA粘结层10的下表面或下EVA粘结层50的上表面,横向填塞体60和纵向填塞体70的材质优选为EVA。
本实施例中的横向填塞体90和纵向填塞体80的高度为20~30μm,横向V形槽60以及纵向V形槽70的深度为30~60μm;横向填塞体90与横向V形槽60之间保持有10~30μm的排气通道,纵向填塞体80与纵向V形槽70之间保持有10~30μm的排气通道。
本实施例中的抗PID的EVA胶膜层20采用具有抗极化的EVA,紫外高截止EVA层30为添加了紫外截止剂的EVA,阻燃白膜40为含有阻燃剂和白色填料的EVA树脂层。
本实用新型在后续层压工艺时,由于在抗PID的EVA胶膜层20上预留横向V形槽以及纵向V形槽,同时上EVA粘结层10以及下EVA粘结层50上布满排气孔,使得气体会沿着 V形槽通过排气孔排出,为了避免V形槽在层压时形成气孔,横向填塞体90和纵向填塞体80在层压过程中会下压填充V形槽,防止V形槽结构内形成孔洞,提高胶膜的排气和粘结性能,有利于组件的制造良率和可靠性的提升。
本实用新型中的太阳能电池的封装胶膜,可有效缩短层压时间,提高组件的生产效率,同时合理设计EVA层,使抗PID的EVA胶膜层20和阻燃白膜40的交联效率一致,提高了其抗PID性能,中间的紫外高截止EVA层30有效阻止了紫外区光线的透过对背板材料的破坏,延长了单玻组件的使用寿命,同时快速交联的设计有效缩短了组件的层压时间,提高了组件端的生产效率。
本实用新型还提供一种基于太阳能电池的组件,包括由下往上背板层、下层封装胶膜、电池片、上层封装胶膜和玻璃层,所述下层封装胶膜或上层封装胶膜上述所述的基于太阳能电池的封装胶膜。
最后,以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于,从上往下依次包括上EVA粘结层、抗PID的EVA胶膜层、紫外高截止EVA层、阻燃白膜、下EVA粘结层,所述抗PID的EVA胶膜层的上表面设有横向V形槽以及纵向V形槽,所述阻燃白膜的下表面设有横向V形槽以及纵向V形槽,所述上EVA粘结层以及下EVA粘结层的表面均设有阵列状的排气孔,所述上EVA粘结层的下表面以及下EVA粘结层的上表面均设有与横向V形槽位置相应的横向填塞体以及与纵向V形槽位置相应的纵向填塞体,所述横向填塞体与横向V形槽之间保持有预设间距的排气通道,所述纵向填塞体与纵向V形槽之间保持有预设间距的排气通道。
2.根据权利要求1所述的基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于:所述横向填塞体和纵向填塞体的截面形状呈V形结构。
3.根据权利要求2所述的基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于:所述横向填塞体与横向V形槽之间保持有10~30μm的排气通道,所述纵向填塞体与纵向V形槽之间保持有10~30μm的排气通道。
4.根据权利要求2所述的基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于:所述横向填塞体和纵向填塞体均匀分布在所述上EVA粘结层的下表面或下EVA粘结层的上表面。
5.根据权利要求2所述的基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于:所述横向填塞体和纵向填塞体的材质为EVA。
6.根据权利要求2所述的基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于:所述横向填塞体和纵向填塞体的高度为20~30μm。
7.根据权利要求1所述的基于太阳能电池的封装胶膜,其特征在于:所述横向V形槽以及纵向V形槽的深度为30~60μm。
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