CN212811276U - 一种继电器保护电路和逆变器系统 - Google Patents

Abstract

一种继电器保护电路和逆变器系统，其中继电器保护电路包括继电器和可控硅保护电路。继电器的触点开关的两个触点分别与逆变器的输入端和输出端连接。可控硅保护电路包括第一可控硅整流器和第二可控硅整流器，第一可控硅整流器和第二可控硅整流器均与继电器并联，且在电路中的连接方向相反。当继电器闭合或者断开时，其中一个可控硅整流器导通，由于可控硅整流器先于继电器通过电流，使得继电器触点开关闭合或者断开的时候几乎不会出现打火拉弧的现象，从而起到保护继电器的作用，提高了继电器和逆变器的使用寿命；同时也省下了继电器的动作时间，缩减了逆变器的模式切换时间。

Description

一种继电器保护电路和逆变器系统

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，具体涉及一种继电器保护电路和逆变器系统。

背景技术

继电器是具有隔离功能的自动开关元件，广泛应用于遥控、遥测、通讯、自动控制、机电一体化等领域的电力电子设备中，是最重要的控制元件之一。带触点的继电器开关时会产生电火花，形成拉弧效应，对周围环境造成电磁干扰，对继电器触点造成灼烧和损坏，严重影响继电器的使用寿命。因此，继电器往往采取各种灭弧技术，通过吸收或者减弱触点拉弧效应来保护继电器。另外继电器属于机械开关，当给继电器发出动作驱动信号时，继电器的触点从一边移动到另外一边是需要一定的时间的，这就是继电器的动作时间，一般功率继电器的动作时间为5-30ms。对于逆变器而言，继电器的使用寿命是决定逆变器寿命的重要指标之一；其次，逆变器的模式切换时间为检测时间与继电器动作时间的和，所以逆变器的模式切换时间也深受继电器动作时间的影响，如果继电器的动作时间太长则会导致用电设备掉电。

一种现有技术方案中，采用灭弧电路实现灭弧以保护继电器，该灭弧电路主要由电容和电阻构成，有一定的灭弧效果，但容易使触点产生冷粘。

另一种现有技术方案中，预先记录继电器闭合所需的时间T1和继电器断开所需的时间T2；当操作指令为闭合继电器时，检测到第一光耦合器件发送的零点信号后，延迟一个当前电网周期减去T1的时间向继电器发送闭合信号；当操作指令为断开继电器时，检测到第二光耦合器件发送的零点信号后，延迟一个当前电网周期减去T2的时间向继电器发送断开信号，使得继电器在闭合/断开的瞬间，刚好处在市电的零点时刻，继电器受到的冲击电流最小，以达到保护继电器的效果，提高继电器的使用寿命。但是此方案不能完全消除拉弧现象，也难以保证继电器能准确地在市电的零点时刻闭合/断开。

实用新型内容

本申请提供一种继电器保护电路和逆变器系统，从根源上避免拉弧效应的影响，提高继电器和逆变器的使用寿命，缩减了逆变器的切换时间。

根据第一方面，一种实施例中提供一种逆变器系统，包括：

逆变器；

继电器保护电路，包括：

继电器，包括线圈和触点开关；所述继电器的触点开关的两个触点分别与所述逆变器的输入端和输出端连接；

可控硅保护电路，包括：

第一可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输入端连接，阴极与所述逆变器的输出端连接，所述第一可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通；

第二可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输出端连接，阴极与所述逆变器的输入端连接，所述第二可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通。

一种实施例中，所述逆变器系统还包括：

继电器驱动电路，所述继电器驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收继电器闭合或断开信号，第一接线端和第二接线端则分别与所述继电器线圈的两端连接；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器闭合信号时，使所述继电器的线圈通电，以使所述触点开关闭合；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器断开信号时，使所述继电器的线圈断电，以使所述触点开关断开；

可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收可控硅驱动信号，第一输出端与所述第一可控硅整流器的门极连接，第二输出端与所述第二可控硅整流器的门极连接；当所述可控硅驱动电路的第二输入端接收到可控硅驱动信号时，所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端输出高电平，以使所述第一可控硅整流器和第二可控硅整流器导通；

所述可控硅驱动电路仅在所述继电器驱动电路接收到所述继电器闭合或断开信号的同时，接收到所述可控硅驱动信号。

一种实施例中，所述继电器驱动电路包括晶体管，所述晶体管的发射极作为所述继电器驱动电路的第二接线端，所述晶体管的基极作为所述继电器驱动电路的第二输入端，所述晶体管的集电极接地；

所述继电器驱动电路的第一输入端与第一接线端连接；

所述继电器闭合信号为低电平信号，所述继电器断开信号为高电平信号。

一种实施例中，所述可控硅驱动电路包括：

光耦电路，所述光耦电路的原边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输入端和第二输入端，所述光耦电路的副边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端；

第一电阻R1，第一电阻R1的一端与所述逆变器的输入端连接，另一端与所述第一可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的一端连接；

第二电阻R2，第二电阻R2的一端与所述逆变器的输出端连接，另一端与所述第二可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的另一端连接；

所述可控硅驱动信号为低电平信号。

一种实施例中，所述继电器驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的继电器闭合或断开信号；所述可控硅驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的可控硅驱动信号；

所述逆变器仅在发送所述继电器闭合或断开信号的同时，发送所述可控硅驱动信号。

根据第二方面，一种实施例中提供一种继电器保护电路，用于连接在逆变器的输入端和输出端之间，包括：

继电器，包括线圈和触点开关；所述继电器的触点开关的两个触点分别与所述逆变器的输入端和输出端连接；

可控硅保护电路，包括：

第一可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输入端连接，阴极与所述逆变器的输出端连接，所述第一可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通；

第二可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输出端连接，阴极与所述逆变器的输入端连接，所述第二可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通。

一种实施例中，所述继电器保护系统还包括：

继电器驱动电路，所述继电器驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收继电器闭合或断开信号，第一接线端和第二接线端则分别与所述继电器线圈的两端连接；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器闭合信号时，使所述继电器的线圈通电，以使所述触点开关闭合；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器断开信号时，使所述继电器的线圈断电，以使所述触点开关断开；

可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收可控硅驱动信号，第一输出端与所述第一可控硅整流器的门极连接，第二输出端与所述第二可控硅整流器的门极连接；当所述可控硅驱动电路的第二输入端接收到可控硅驱动信号时，所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端输出高电平，以使所述第一可控硅整流器和第二可控硅整流器导通；

所述可控硅驱动电路仅在所述继电器驱动电路接收到所述继电器闭合或断开信号的同时，接收到所述可控硅驱动信号。

一种实施例中，所述继电器驱动电路包括晶体管，所述晶体管的发射极作为所述继电器驱动电路的第二接线端，所述晶体管的基极作为所述继电器驱动电路的第二输入端，所述晶体管的集电极接地；

所述继电器驱动电路的第一输入端与第一接线端连接；

所述继电器闭合信号为低电平信号，所述继电器断开信号为高电平信号。

一种实施例中，所述可控硅驱动电路包括：

光耦电路，所述光耦电路的原边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输入端和第二输入端，所述光耦电路的副边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端；

第一电阻R1，第一电阻R1的一端与所述逆变器的输入端连接，另一端与所述第一可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的一端连接；

第二电阻R2，第二电阻R2的一端与所述逆变器的输出端连接，另一端与所述第二可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的另一端连接；

所述可控硅驱动信号为低电平信号。

一种实施例中，所述继电器驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的继电器闭合或断开信号；所述可控硅驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的可控硅驱动信号。

依据上述实施例的继电器保护电路和逆变器系统，通过将可控硅整流器跟继电器并联在一起，在继电器闭合或者断开的同时导通可控硅整流器，由于可控硅整流器属于电子开关，能够在接收到驱动信号的瞬间立即导通，先于继电器通过电流，使得继电器触点开关闭合或者断开的时候几乎不会出现打火拉弧的现象，从而起到保护继电器的作用，提高了继电器和逆变器的使用寿命；同时也省下了继电器的动作时间，缩减了逆变器的模式切换时间，防止用电设备掉电，提升了逆变器的品质。

附图说明

图1为一种实施例中逆变器系统的结构示意图；

图2为一种实施例中继电器保护电路的结构示意图；

图3为输入信号为交流信号的正半周时继电器保护电路中的电流方向图；

图4为输入信号为交流信号的负半周时继电器保护电路中的电流方向图；

图5为一种实施例中继电器保护电路中的继电器驱动电路的结构示意图；

图6为一种实施例中继电器保护电路中的可控硅驱动电路的结构示意图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本实用新型作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。

另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式。同时，方法描述中的各步骤或者动作也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图中的各种顺序只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的顺序，除非另有说明其中某个顺序是必须遵循的。

本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。

本实用新型充分利用可控硅具有以小电流(电压)控制大电流(电压)的作用，以及体积小、开关迅速等优点，合理应用到继电器保护电路和逆变器系统上，从根源上解决继电器开关时的拉弧现象，减小了继电器开关时触点的损耗，延长了继电器和逆变器的使用寿命。

请参考图1，如图1所示，本实用新型实施例提供的逆变器系统包括逆变器1和继电器保护电路2。其中，继电器保护电路2包括继电器10、可控硅保护电路20、继电器驱动电路30和可控硅驱动电路40，用于连接在逆变器1的输入端和输出端之间，下面具体说明。

请参考图2，如图2所示，继电器10包括线圈和触点开关，触点开关的两个触点分别和逆变器1的输入端和输出端连接。触点开关受线圈电磁效应的控制连接或者断开逆变器1的输入输出端。

可控硅保护电路20包括第一可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier，SCR)Q1和第二可控硅整流器Q2。第一可控硅整流器Q1的阳极与逆变器1的输入端连接，阴极与逆变器1的输出端连接，第二可控硅整流器Q2的阳极与逆变器1的输出端连接，阴极与逆变器1的输入端连接。第一可控硅整流器Q1和第二可控硅整流器Q2都仅在继电器10的触点开关开始闭合或断开的同时导通。由于SCR属于电子开关，因此是瞬间导通的。当继电器10的触点开关闭合时，由于触点开关属于机械开关，从其开始动作到最终闭合需要有一个动作时间，而在这个过程中，SCR已经导通，当继电器10的触点开关吸合瞬间，SCR已经接通逆变器1的输入输出两端，电流只流经SCR所在支路，所以继电器10不会产生拉弧现象；同理，当继电器10的触点开关断开时，由于SCR已经导通，电流只流经SCR所在支路，触点开关相当于无压差断开，也就不会出现拉弧现象，从而有效地保护了继电器的触点，同时也节省了继电器动作时间，缩减了逆变器切换时间。需要注意的是，SCR仅在继电器10的触点开关开始闭合或断开的同时导通。

由于SCR只能单向导电，因此，本实施例中针对于交流的输入输出信号，采用了Q1和Q2两个SCR与继电器10并联，且Q1和Q2在电路中的连接方向相反，从而保证交流信号在正负半周内都能够流过SCR。当输入为交流信号的正半周时，如图3所示，当继电器10的触点开关闭合时，第二可控硅整流器Q2同时导通，电流先流过第二可控硅整流器Q2，如图3中标号①所示的方向，之后第二可控硅整流器Q2截止，继电器10的触点开关闭合，电流从继电器10流过，如图3中标号②所示的方向；当继电器10的触点开关断开时，第二可控硅整流器Q2同时导通，电流只从第二可控硅整流器Q2流过，如图3中标号①所示的方向，之后第二可控硅整流器Q2截止。当输入为交流信号的负半周时，如图4所示，当继电器10的触点开关闭合时，第一可控硅整流器Q1同时导通，电流先流过第一可控硅整流器Q1，如图4中标号③所示的方向，之后第一可控硅整流器Q1截止，继电器10的触点开关闭合，电流从继电器10流过，如图4中标号④所示的方向；当继电器10的触点开关断开时，第一可控硅整流器Q1同时导通，电流只从第一可控硅整流器Q1流过，如图4中标号③所示的方向，之后第一可控硅整流器Q1截止。

请参考图5，如图5所示，继电器驱动电路30的第一输入端连接电源VCC，第二输入端用于接收继电器闭合或断开信号

第一接线端和第二接线端则分别与继电器10的线圈两端连接。当继电器驱动电路30的第二输入端接收到继电器闭合信号时，则使继电器10的线圈通电，以使触点开关闭合；当继电器驱动电路30的第二输入端接收到继电器断开信号时，则使继电器10的线圈断电，以使触点开关断开。

一种实施例中，继电器驱动电路30包括晶体管Q3，晶体管Q3的发射极作为继电器驱动电路30的第二接线端，基极作为继电器驱动电路30的第二输入端，集电极接地，且继电器驱动电路30的第一输入端与第一接线端是相连的。当对继电器驱动电路30的第二输入端(即晶体管Q3的基极)施加低电平信号时，晶体管Q3导通，电源VCC此时施加在继电器10的线圈两端，使继电器10的线圈通电，从而产生电磁效应使得触点开关闭合。而当对继电器驱动电路30的第二输入端施加高电平信号时，晶体管Q3截止，此时继电器10的线圈没有电流通过，触点开关断开。因此，本实施例中继电器闭合信号为低电平信号，继电器断开信号为高电平信号。

请参考图6，如图6所示，可控硅驱动电路40的第一输入端连接电源VCC，第二输入端用于接收可控硅驱动信号

第一输出端与第一可控硅整流器Q1的门极连接，第二输出端与第二可控硅整流器Q2的门极连接；当可控硅驱动电路40的第二输入端接收到可控硅驱动信号时，其第一输出端和第二输出端输出高电平，以使第一可控硅整流器Q1和第二可控硅整流器Q2导通。

一种实施例中，可控硅驱动电路40包括光耦电路41、第一电阻R1和第二电阻R2。光耦电路41的原边两端分别作为可控硅驱动电路40的第一输入端和第二输入端，光耦电路41的副边两端分别作为可控硅驱动电路40的第一输出端和第二输出端。在具体的实现方式中，可视情况根据电路设计的需要采用一个或多个光耦芯片来组成光耦电路41。第一电阻R1的一端与逆变器1的输入端连接，另一端与第一可控硅整流器Q1的门极和光耦电路41的副边的一端连接。第二电阻R2的一端与逆变器1的输出端连接，另一端与第二可控硅整流器Q2的门极和光耦电路41的副边的另一端连接。当对可控硅驱动电路40的第二输入端施加低电平信号时，光耦电路41的原边由于被施加正向电压VCC而导通，从而光耦电路41的副边导通。此时,当逆变器的输入为交流信号的正半周时，第二可控硅整流器Q2的阳极承受的为正向电压，且由于第二电阻R2的分压作用，其门极(即图6中的B处)电压也为正向电压，从而驱动第二可控硅整流器Q2导通，使电流可以从第二可控硅整流器Q2流过；而第一可控硅整流器Q1的阳极此时承受的为反向电压，所以并不导通。当逆变器的输入为交流信号的负半周时，第一可控硅整流器Q1的阳极承受的为正向电压，且由于第一电阻R1的分压作用，其门极(即图6中的A处)电压也为正向电压，从而驱动第一可控硅整流器Q1导通，使电流可以从第一可控硅整流器Q1流过；而第二可控硅整流器Q2的阳极此时承受的为反向电压，所以并不导通。因此，本实施例中可控硅驱动信号为低电平信号。

一种实施例中，继电器驱动电路30第二输入端与逆变器1连接，用于接收逆变器1发送的继电器闭合或断开信号

可控硅驱动电路40的第二输入端与逆变器1连接，用于接收逆变器1发送的可控硅驱动信号

当逆变器1检测到需要闭合继电器10的时候，会同时发送低电平的

信号和低电平的

信号，从而使得继电器10的触点开关闭合的同时SCR也导通，避免拉弧现象。同理，当逆变器1检测到需要断开继电器10的时候，会同时发送高电平的

信号和低电平的

信号，从而使得继电器10的触点开关断开的同时SCR也导通，避免拉弧现象。需要注意的是，逆变器1仅在发送继电器闭合或断开信号

的同时，发送可控硅驱动信号

依据上述实施例的继电器保护电路和逆变器系统，通过将可控硅整流器跟继电器并联在一起，在继电器闭合或者断开的同时导通可控硅整流器，由于可控硅整流器属于电子开关，能够在接收到驱动信号的瞬间立即导通，先于继电器通过电流，使得继电器触点开关闭合或者断开的时候几乎不会出现打火拉弧的现象，从而起到保护继电器的作用，提高了继电器和逆变器的使用寿命；同时也省下了继电器的动作时间，缩减了逆变器的模式切换时间，防止用电设备掉电，提升了逆变器的品质。

本文参照了各种示范实施例进行说明。然而，本领域的技术人员将认识到，在不脱离本文范围的情况下，可以对示范性实施例做出改变和修正。例如，各种操作步骤以及用于执行操作步骤的组件，可以根据特定的应用或考虑与系统的操作相关联的任何数量的成本函数以不同的方式实现(例如一个或多个步骤可以被删除、修改或结合到其他步骤中)。

虽然在各种实施例中已经示出了本文的原理，但是许多特别适用于特定环境和操作要求的结构、布置、比例、元件、材料和部件的修改可以在不脱离本披露的原则和范围内使用。以上修改和其他改变或修正将被包含在本文的范围之内。

前述具体说明已参照各种实施例进行了描述。然而，本领域技术人员将认识到，可以在不脱离本披露的范围的情况下进行各种修正和改变。因此，对于本披露的考虑将是说明性的而非限制性的意义上的，并且所有这些修改都将被包含在其范围内。同样，有关于各种实施例的优点、其他优点和问题的解决方案已如上所述。然而，益处、优点、问题的解决方案以及任何能产生这些的要素，或使其变得更明确的解决方案都不应被解释为关键的、必需的或必要的。本文中所用的术语“包括”和其任何其他变体，皆属于非排他性包含，这样包括要素列表的过程、方法、文章或设备不仅包括这些要素，还包括未明确列出的或不属于该过程、方法、系统、文章或设备的其他要素。此外，本文中所使用的术语“耦合”和其任何其他变体都是指物理连接、电连接、磁连接、光连接、通信连接、功能连接和/或任何其他连接。

具有本领域技术的人将认识到，在不脱离本实用新型的基本原理的情况下，可以对上述实施例的细节进行许多改变。因此，本实用新型的范围应仅由权利要求确定。

Claims (10)

1.一种逆变器系统，其特征在于，包括：

逆变器；

继电器保护电路，包括：

继电器，包括线圈和触点开关；所述继电器的触点开关的两个触点分别与所述逆变器的输入端和输出端连接；

可控硅保护电路，包括：

第一可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输入端连接，阴极与所述逆变器的输出端连接，所述第一可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通；

第二可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输出端连接，阴极与所述逆变器的输入端连接，所述第二可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通。

2.如权利要求1所述的逆变器系统，其特征在于，还包括：

继电器驱动电路，所述继电器驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收继电器闭合或断开信号，第一接线端和第二接线端则分别与所述继电器的线圈的两端连接；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器闭合信号时，使所述继电器的线圈通电，以使所述触点开关闭合；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器断开信号时，使所述继电器的线圈断电，以使所述触点开关断开；

可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收可控硅驱动信号，第一输出端与所述第一可控硅整流器的门极连接，第二输出端与所述第二可控硅整流器的门极连接；当所述可控硅驱动电路的第二输入端接收到可控硅驱动信号时，所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端输出高电平，以使所述第一可控硅整流器和第二可控硅整流器导通；

所述可控硅驱动电路仅在所述继电器驱动电路接收到所述继电器闭合或断开信号的同时，接收到所述可控硅驱动信号。

3.如权利要求2所述的逆变器系统，其特征在于，所述继电器驱动电路包括晶体管，所述晶体管的发射极作为所述继电器驱动电路的第二接线端，所述晶体管的基极作为所述继电器驱动电路的第二输入端，所述晶体管的集电极接地；

所述继电器驱动电路的第一输入端与第一接线端连接；

所述继电器闭合信号为低电平信号，所述继电器断开信号为高电平信号。

4.如权利要求3所述的逆变器系统，其特征在于，所述可控硅驱动电路包括：

光耦电路，所述光耦电路的原边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输入端和第二输入端，所述光耦电路的副边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端；

第一电阻R1，第一电阻R1的一端与所述逆变器的输入端连接，另一端与所述第一可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的一端连接；

第二电阻R2，第二电阻R2的一端与所述逆变器的输出端连接，另一端与所述第二可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的另一端连接；

所述可控硅驱动信号为低电平信号。

5.如权利要求4所述的逆变器系统，其特征在于，所述继电器驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的继电器闭合或断开信号；所述可控硅驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的可控硅驱动信号；

所述逆变器仅在发送所述继电器闭合或断开信号的同时，发送所述可控硅驱动信号。

6.一种继电器保护电路，用于连接在逆变器的输入端和输出端之间，其特征在于，包括：

继电器，包括线圈和触点开关；所述继电器的触点开关的两个触点分别与所述逆变器的输入端和输出端连接；

可控硅保护电路，包括：

第一可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输入端连接，阴极与所述逆变器的输出端连接，所述第一可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通；

第二可控硅整流器，其阳极与所述逆变器的输出端连接，阴极与所述逆变器的输入端连接，所述第二可控硅整流器仅在所述继电器的触点开关开始闭合或断开的同时导通。

7.如权利要求6所述的继电器保护电路，其特征在于，还包括：

继电器驱动电路，所述继电器驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收继电器闭合或断开信号，第一接线端和第二接线端则分别与所述继电器的线圈的两端连接；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器闭合信号时，使所述继电器的线圈通电，以使所述触点开关闭合；当所述继电器驱动电路的第二输入端接收到所述继电器断开信号时，使所述继电器的线圈断电，以使所述触点开关断开；

可控硅驱动电路，所述可控硅驱动电路的第一输入端连接电源，第二输入端用于接收可控硅驱动信号，第一输出端与所述第一可控硅整流器的门极连接，第二输出端与所述第二可控硅整流器的门极连接；当所述可控硅驱动电路的第二输入端接收到可控硅驱动信号时，所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端输出高电平，以使所述第一可控硅整流器和第二可控硅整流器导通；

所述可控硅驱动电路仅在所述继电器驱动电路接收到所述继电器闭合或断开信号的同时，接收到所述可控硅驱动信号。

8.如权利要求7所述的继电器保护电路，其特征在于，所述继电器驱动电路包括晶体管，所述晶体管的发射极作为所述继电器驱动电路的第二接线端，所述晶体管的基极作为所述继电器驱动电路的第二输入端，所述晶体管的集电极接地；

所述继电器驱动电路的第一输入端与第一接线端连接；

所述继电器闭合信号为低电平信号，所述继电器断开信号为高电平信号。

9.如权利要求8所述的继电器保护电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路包括：

光耦电路，所述光耦电路的原边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输入端和第二输入端，所述光耦电路的副边两端分别作为所述可控硅驱动电路的第一输出端和第二输出端；

第一电阻R1，第一电阻R1的一端与所述逆变器的输入端连接，另一端与所述第一可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的一端连接；

第二电阻R2，第二电阻R2的一端与所述逆变器的输出端连接，另一端与所述第二可控硅整流器的门极和所述光耦电路的副边的另一端连接；

所述可控硅驱动信号为低电平信号。

10.如权利要求9所述的继电器保护电路，其特征在于，所述继电器驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的继电器闭合或断开信号；所述可控硅驱动电路的第二输入端与所述逆变器连接，用于接收所述逆变器发送的可控硅驱动信号。

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