CN212771040U - 一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒 - Google Patents
一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212771040U CN212771040U CN202021513525.2U CN202021513525U CN212771040U CN 212771040 U CN212771040 U CN 212771040U CN 202021513525 U CN202021513525 U CN 202021513525U CN 212771040 U CN212771040 U CN 212771040U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cylinder
- graphite
- single crystal
- guide
- coating structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 37
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010439 graphite Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,包括外筒以及内筒,外筒与内筒之间固定设有石墨毡层,内筒的内壁涂覆有碳化硅涂层,且内筒的内壁固定设有两个调节组件,两个调节组件均包括转接块、转轴、导流板、第一铰接座、气缸和第二铰接座,两个转接块固定设置在内筒的内壁,两个转接块均通过转轴分别与两个导流板的一端转动连接,两个导流板的一侧均固定设有第一铰接座,本实用新型的有益效果是:通过设置的外筒与内筒双层结构,当导流筒在使用过程中内筒或外筒发生破裂时,导流筒不会掉入石英坩埚内,避免了生产过程中石英坩埚破裂对原料造成的污染,提高了生产效率,降低了生产成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种导流筒,特别涉及一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,属于单晶炉技术领域。
背景技术
导流筒作为单晶炉中重要的组成部分,对晶体的生长有很大的影响,其在单晶炉中的主要作用是控制氩气的流向来降低晶棒的温度。导流筒一般用高纯的石墨材料制成的,现有的导流筒都是单层的石墨结构,由于石墨本体长时间在高温环境下使用,会使导流筒发生破裂,掉进硅熔体中污染原料并砸坏石英坩埚,并且导流筒结构固定,炉体内氩气流在不同阶段是不一样的,这时候只能通过外部结构调整来保持氩气流的稳定。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,以解决上述背景技术中提出的现有的导流筒都是单层的石墨结构易发生破裂的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,包括外筒以及内筒,所述外筒与内筒之间固定设有石墨毡层,所述内筒的内壁涂覆有碳化硅涂层,且所述内筒的内壁固定设有两个调节组件,两个所述调节组件均包括转接块、转轴、导流板、第一铰接座、气缸和第二铰接座,两个所述转接块固定设置在内筒的内壁,两个所述转接块均通过转轴分别与两个导流板的一端转动连接,两个所述导流板的一侧均固定设有第一铰接座,两个所述第一铰接座分别与两个气缸的活塞杆铰接,两个所述第二铰接座固定设置在内筒的内壁,两个所述第二铰接座分别与两个气缸的一端铰接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,两个所述导流板的导热系数大于内筒和外筒的导热系数。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述内筒的顶端固定设有环形固定板,所述环形固定板通过两个固定螺栓与外筒的顶端螺纹连接。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述外筒的底端固定设有环形支撑板,所述环形支撑板顶端的两侧均开设有卡槽,所述内筒的底端固定设有与卡槽相卡合的卡块。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述内筒两侧的顶端均固定设有吊板,两个所述吊板的底端均开设有吊孔。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述石墨毡层的表面固定设有石墨纸层。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,通过设置导热系数不一样的导流板和内筒,有效地增大单晶炉导流筒内部的纵向温度梯度,提高单晶的增长速度;同时,通过气缸驱动导流板运动来调整单晶炉内部氩气流,使其始终保持稳定,确保单晶硅棒的生产质量;通过设置的外筒与内筒双层结构,当导流筒在使用过程中内筒或外筒发生破裂时,导流筒不会掉入石英坩埚内,避免了生产过程中石英坩埚破裂对原料造成的污染,提高了生产效率,降低了生产成本;通过在内筒内壁设置碳化硅涂层能够提高了导流筒的强度和耐热性能,提高其使用寿命,通过设置的石墨毡层和石墨纸层能增强保温效果,且具有热场反射作用。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的剖面结构示意图;
图3为本实用新型调节组件的放大结构示意图。
图中:1、外筒;2、内筒;3、石墨毡层;4、碳化硅涂层;5、环形固定板;6、固定螺栓;7、环形支撑板;8、吊板;9、吊孔;10、调节组件;101、转接块;102、转轴;103、导流板;104、第一铰接座;105、气缸;106、第二铰接座;11、卡槽;12、卡块。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3,本实用新型提供了一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,包括外筒1以及内筒2,外筒1与内筒2之间固定设有石墨毡层3,内筒2的内壁涂覆有碳化硅涂层4,且内筒2的内壁固定设有两个调节组件10,两个调节组件10均包括转接块101、转轴102、导流板103、第一铰接座104、气缸105和第二铰接座106,两个转接块101固定设置在内筒2的内壁,两个转接块101均通过转轴102分别与两个导流板103的一端转动连接,两个导流板103的一侧均固定设有第一铰接座104,两个第一铰接座104分别与两个气缸105的活塞杆铰接,两个第二铰接座106固定设置在内筒2的内壁,两个第二铰接座106分别与两个气缸105的一端铰接,通过气缸105的活塞杆伸缩能够调整导流板103的角度,带动其进行运动。
优选的,两个导流板103的导热系数大于内筒2和外筒1的导热系数,导流板103的导热系数比内筒2的导热系数大,导流板103散热较内筒2快,因此导流板103所在区域的炉温比内筒2区域的炉温低,从而通过导流板103能够有效地增大单晶炉导流筒内部的纵向温度梯度;内筒2的顶端固定设有环形固定板5,环形固定板5通过两个固定螺栓6与外筒1的顶端螺纹连接,便于使内筒2与外筒1之间进行固定连接;外筒1的底端固定设有环形支撑板7,环形支撑板7顶端的两侧均开设有卡槽11,内筒2的底端固定设有与卡槽11相卡合的卡块12,通过卡块12与卡槽11的卡合便于对内筒2的位置进行初步限定;内筒2两侧的顶端均固定设有吊板8,两个吊板8的底端均开设有吊孔9,便于对该导流筒进行吊运,使用更加便捷;石墨毡层3的表面固定设有石墨纸层,能增强保温效果,且具有热场反射作用。
具体使用时,本实用新型一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,首先将内筒2设置在外筒1的内部,在外筒1与内筒2之间设置石墨毡层3和石墨纸层,通过设置的石墨毡层3和石墨纸层能增强保温效果,且具有热场反射作用,然后使内筒2底端的卡块12与环形支撑板7顶端开设的卡槽11相卡合,对内筒2的位置进行初步限定,接着通过固定螺栓6使内筒2顶端设置的环形固定板5与外筒1固定连接,完成外筒1与内筒2的安装,当导流筒在使用过程中内筒2或外筒1发生破裂时,导流筒不会掉入石英坩埚内,避免了生产过程中石英坩埚破裂对原料造成的污染,提高了生产效率,通过在内筒2内壁设置碳化硅涂层4能够提高了导流筒的强度和耐热性能,在内筒2内壁设置导热系数不一样的导流板103,导流板103的导热系数比内筒2的导热系数大,导流板103散热较内筒2快,因此导流板103所在区域的炉温比内筒2区域的炉温低,从而通过导流板103能够有效地增大单晶炉导流筒内部的纵向温度梯度,通过气缸105驱动导流板103进行运动来调整单晶炉内部氩气流,使其始终保持稳定,确保单晶硅棒的生产质量,提高生产效率。
在本实用新型的描述中,需要理解的是,指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,包括外筒(1)以及内筒(2),其特征在于,所述外筒(1)与内筒(2)之间固定设有石墨毡层(3),所述内筒(2)的内壁涂覆有碳化硅涂层(4),且所述内筒(2)的内壁固定设有两个调节组件(10),两个所述调节组件(10)均包括转接块(101)、转轴(102)、导流板(103)、第一铰接座(104)、气缸(105)和第二铰接座(106),两个所述转接块(101)固定设置在内筒(2)的内壁,两个所述转接块(101)均通过转轴(102)分别与两个导流板(103)的一端转动连接,两个所述导流板(103)的一侧均固定设有第一铰接座(104),两个所述第一铰接座(104)分别与两个气缸(105)的活塞杆铰接,两个所述第二铰接座(106)固定设置在内筒(2)的内壁,两个所述第二铰接座(106)分别与两个气缸(105)的一端铰接。
2.根据权利要求1所述的一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,其特征在于:两个所述导流板(103)的导热系数大于内筒(2)和外筒(1)的导热系数。
3.根据权利要求1所述的一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,其特征在于:所述内筒(2)的顶端固定设有环形固定板(5),所述环形固定板(5)通过两个固定螺栓(6)与外筒(1)的顶端螺纹连接。
4.根据权利要求1所述的一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,其特征在于:所述外筒(1)的底端固定设有环形支撑板(7),所述环形支撑板(7)顶端的两侧均开设有卡槽(11),所述内筒(2)的底端固定设有与卡槽(11)相卡合的卡块(12)。
5.根据权利要求1所述的一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,其特征在于:所述内筒(2)两侧的顶端均固定设有吊板(8),两个所述吊板(8)的底端均开设有吊孔(9)。
6.根据权利要求1所述的一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒,其特征在于:所述石墨毡层(3)的表面固定设有石墨纸层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021513525.2U CN212771040U (zh) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202021513525.2U CN212771040U (zh) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN212771040U true CN212771040U (zh) | 2021-03-23 |
Family
ID=75039806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202021513525.2U Expired - Fee Related CN212771040U (zh) | 2020-07-28 | 2020-07-28 | 一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN212771040U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113337880A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-09-03 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置 |
-
2020
- 2020-07-28 CN CN202021513525.2U patent/CN212771040U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113337880A (zh) * | 2021-04-19 | 2021-09-03 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN212771040U (zh) | 一种具有高强涂层结构的单晶炉用石墨导流筒 | |
CN204825129U (zh) | 一种高效多晶硅铸锭炉的热场结构 | |
CN203383010U (zh) | 造纸网定型机用加热装置 | |
CN2804129Y (zh) | 单晶炉的保温装置 | |
CN210938525U (zh) | 一种光学玻璃片加工用粗磨机 | |
CN217600901U (zh) | 一种用于石墨导流筒的吊装装置 | |
CN215560795U (zh) | 一种用于大尺寸单晶硅棒的导流筒 | |
CN112877768B (zh) | 用于半导体晶棒生长的导流筒、生长装置及生长方法 | |
CN216074096U (zh) | 一种单晶炉用组合式外导流筒 | |
CN201945180U (zh) | 高温加热炉炉门多晶氧化铝纤维复合模块衬里结构 | |
CN201495105U (zh) | 一种梯度控温的铸锭炉加热器 | |
CN107794570B (zh) | 一种用于太阳能石英坩埚旋转伸缩的多功能调节装置 | |
CN215366060U (zh) | 用于提升大尺寸直拉单晶引放成活率的双uv型底加热器 | |
CN202164378U (zh) | 节能用单晶炉保温热场 | |
CN212293835U (zh) | 一种用于提高晶体利用率的保温结构 | |
CN206751970U (zh) | 一种单晶硅生长炉用保温隔热筒 | |
CN217077853U (zh) | 新型单晶炉热场镂空保温炉底 | |
CN216472817U (zh) | 一种可进行冷却降温的瓶罐玻璃熔炉窑坎 | |
CN219078867U (zh) | 一种防滑落的锆刚玉电熔砖吊装装置 | |
CN220056065U (zh) | 一种可调节的钢结构用挂件工装 | |
CN220373152U (zh) | 一种拆装工装 | |
CN218372081U (zh) | 一种可调水平的模具安装底座 | |
CN218469558U (zh) | 一种高纯氧化铝陶瓷坩埚 | |
CN212480525U (zh) | 一种石英管安装管套 | |
CN220903792U (zh) | 一种石墨棒加工用夹具机构 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20210323 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |