CN212726878U - 一种改善原边psr电源芯片动态响应的电路 - Google Patents
一种改善原边psr电源芯片动态响应的电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN212726878U CN212726878U CN202021975611.5U CN202021975611U CN212726878U CN 212726878 U CN212726878 U CN 212726878U CN 202021975611 U CN202021975611 U CN 202021975611U CN 212726878 U CN212726878 U CN 212726878U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diode
- circuit
- dynamic response
- triode
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Abstract
本实用新型公开了一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，由变压器T1，三极管Q1，三极管Q2，二极管D1，二极管D2，二极管D3，极性电容CE1，极性电容CE2，极性电容CE3组成。本实用新型提供一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，可以增加原边PSR电源芯片的动态响应速度，使原边PSR电源芯片输出电压在动态负载条件下仍能保持稳定，从而避免了单片机设备因为欠压而重新启动，极大的提高了产品的使用效果与稳定性，很好的促进了行业的发展。
Description
技术领域
本实用新型属于电子电路领域，具体是指一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路。
背景技术
随着带单片机芯片的小家电类产品的兴起，很多小家电类产品使用原边PSR的芯片去做电源输出部分，由于原边PSR芯片的先天性缺陷，其输出动态响应非常之慢，在单片机负载不停动作时，输出电压响应不过来容易掉电，造成单片机由于欠压而重新启动复位现象，原来正在执行的程序中断，使终端客户的使用感极差。该电路可以很好的解决这一问题，使客户在使用原边PSR芯片做电源部分不在存在输出动态响应很慢这一诟病。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服上述问题，提供一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，可以增加原边PSR电源芯片的动态响应速度，使原边PSR电源芯片输出电压在动态负载条件下仍能保持稳定，从而避免了单片机设备因为欠压而重新启动，极大的提高了产品的使用效果与稳定性，很好的促进了行业的发展。
本实用新型的目的通过下述技术方案实现：
一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，由变压器T1，三极管Q1，三极管Q2，P极与变压器T1的12脚相连接、N极与三极管Q1的集电极相连接的二极管D2，P极与变压器T1的9脚相连接、N极与三极管Q1的发射极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极同时与变压器T1的7脚和三极管Q2的发射极相连接的极性电容CE1，正极与二极管D2的N极相连接、负极与极性电容CE1的负极相连接的极性电容CE2，P极与极性电容CE1的正极相连接、N极同时与三极管Q1的基极和三极管Q2的基极相连接的二极管D3，以及正极与二极管D3的N极相连接、负极与极性电容CE1的负极相连接的极性电容CE3组成。
作为优选，所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的集电极相连接。
作为优选，所述三极管Q1的集电极接+8V电源，三极管Q1的发射极作为电路的+5V电源输出端且与单片机设备相连接，三极管Q2的发射极接地。
作为优选，所述变压器T1的1脚和5脚作为电路的电源输入端。
作为优选，所述变压器T1的型号为EE1310，三极管Q1的型号为S8050NPN，三极管Q2的型号为S8550PNP，二极管D1的型号为SS54，二极管D2的型号为SS56，二极管D3的型号为SS24，极性电容CE1的值1000μF/10V，极性电容CE2和极性电容CE3的值均为1000μF/16V。
本实用新型与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
本实用新型可以增加原边PSR电源芯片的动态响应速度，使原边PSR电源芯片输出电压在动态负载条件下仍能保持稳定，从而避免了单片机设备因为欠压而重新启动，极大的提高了产品的使用效果与稳定性，很好的促进了行业的发展。
附图说明
图1为本实用新型的电路结构图。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步的详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，由变压器T1，三极管Q1，三极管Q2，P极与变压器T1的12脚相连接、N极与三极管Q1的集电极相连接的二极管D2，P极与变压器T1的9脚相连接、N极与三极管Q1的发射极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极同时与变压器T1的7脚和三极管Q2的发射极相连接的极性电容CE1，正极与二极管D2的N极相连接、负极与极性电容CE1的负极相连接的极性电容CE2，P极与极性电容CE1的正极相连接、N极同时与三极管Q1的基极和三极管Q2的基极相连接的二极管D3，以及正极与二极管D3的N极相连接、负极与极性电容CE1的负极相连接的极性电容CE3组成。
所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的集电极相连接。所述三极管Q1的集电极接+8V电源，三极管Q1的发射极作为电路的+5V电源输出端且与单片机设备相连接，三极管Q2的发射极接地。所述变压器T1的1脚和5脚作为电路的电源输入端。
所述变压器T1的型号为EE1310，三极管Q1的型号为S8050NPN，三极管Q2的型号为S8550PNP，二极管D1的型号为SS54，二极管D2的型号为SS56，二极管D3的型号为SS24，极性电容CE1的值1000μF/10V，极性电容CE2和极性电容CE3的值均为1000μF/16V。
工作原理：正常工作时一路+5V电压经二极管D1整流，极性电容CE1滤波输出给单片机供电，同时另一路+5V电压经二极管D3对极性电容CE3充电，+8V电压经二极管D2整流，极性电容CE2滤波给三极管Q1的集电极供电，由于三极管Q1的基极和发射极反偏，三极管Q1此时截止，故+5V输出这一路电源由+5V这一路直接供电。当+5V电路接单片机设备，由于设备突然对+5V电源进行拉大负载时，由于原边PSR动态响应比较慢的特点，此时如果+5V输出电压低于4.3V时，三极管Q1马上出现集电极大于基极大于发射极正偏条件，故而三极管Q1马上导通给+5V单片机设备电路提供电能，使输出电压维持大于4.3V以上，避免单片机由于欠压而重新启动现象。
如上所述，便可很好的实现本实用新型。
Claims (5)
1.一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，其特征在于：由变压器T1，三极管Q1，三极管Q2，P极与变压器T1的12脚相连接、N极与三极管Q1的集电极相连接的二极管D2，P极与变压器T1的9脚相连接、N极与三极管Q1的发射极相连接的二极管D1，正极与二极管D1的N极相连接、负极同时与变压器T1的7脚和三极管Q2的发射极相连接的极性电容CE1，正极与二极管D2的N极相连接、负极与极性电容CE1的负极相连接的极性电容CE2，P极与极性电容CE1的正极相连接、N极同时与三极管Q1的基极和三极管Q2的基极相连接的二极管D3，以及正极与二极管D3的N极相连接、负极与极性电容CE1的负极相连接的极性电容CE3组成。
2.根据权利要求1所述的一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，其特征在于：所述三极管Q1的发射极与三极管Q2的集电极相连接。
3.根据权利要求2所述的一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，其特征在于：所述三极管Q1的集电极接+8V电源，三极管Q1的发射极作为电路的+5V电源输出端且与单片机设备相连接，三极管Q2的发射极接地。
4.根据权利要求3所述的一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，其特征在于：所述变压器T1的1脚和5脚作为电路的电源输入端。
5.根据权利要求4所述的一种改善原边PSR电源芯片动态响应的电路，其特征在于：所述变压器T1的型号为EE1310，三极管Q1的型号为S8050NPN，三极管Q2的型号为S8550PNP，二极管D1的型号为SS54，二极管D2的型号为SS56，二极管D3的型号为SS24，极性电容CE1的值1000μF/10V，极性电容CE2和极性电容CE3的值均为1000μF/16V。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202021975611.5U CN212726878U (zh) | 2020-09-10 | 2020-09-10 | 一种改善原边psr电源芯片动态响应的电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202021975611.5U CN212726878U (zh) | 2020-09-10 | 2020-09-10 | 一种改善原边psr电源芯片动态响应的电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN212726878U true CN212726878U (zh) | 2021-03-16 |
Family
ID=74926036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202021975611.5U Active CN212726878U (zh) | 2020-09-10 | 2020-09-10 | 一种改善原边psr电源芯片动态响应的电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212726878U (zh) |
-
2020
- 2020-09-10 CN CN202021975611.5U patent/CN212726878U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN203574531U (zh) | 基于高频振荡信号的mos管驱动电路 | |
| CN217335186U (zh) | 一种双电源自动切换电路及双电源供电电路 | |
| CN106533144B (zh) | 防反接及电流反灌电路 | |
| CN204167895U (zh) | 浪涌电压抑制电路 | |
| CN204856368U (zh) | 一种单片机供电电路 | |
| CN212726878U (zh) | 一种改善原边psr电源芯片动态响应的电路 | |
| CN211556973U (zh) | 一种电池备份管理电路 | |
| CN105356437A (zh) | 一种防浪涌电路 | |
| CN205377371U (zh) | 一种铅酸蓄电池欠压保护自动控制电路 | |
| CN102969704A (zh) | 一种预充电电路 | |
| CN205051415U (zh) | 一种锂电池充电电路 | |
| CN204271916U (zh) | 一种开关电源用的辅助供电电路 | |
| CN212304746U (zh) | 一种防反接保护电路 | |
| CN212231150U (zh) | 一种微能量采集芯片、电路及设备 | |
| CN204721240U (zh) | 一种开关电源电路 | |
| CN208923882U (zh) | 一种通过单片机自关断节能电路模块 | |
| CN202282641U (zh) | 一种集成灶高频点火的供电电路 | |
| CN202503331U (zh) | 一种用于降低电池管理芯片自耗电的电路及电池 | |
| CN204859016U (zh) | 一种ac-dc转换电路 | |
| CN215646228U (zh) | 低电保护电路以及移动通讯设备 | |
| CN201467324U (zh) | 一种低功耗cpu待机切换电路 | |
| CN205750611U (zh) | 一种稳压器控制电路 | |
| CN219695283U (zh) | 一种简易型输入电压检测电路 | |
| CN219760863U (zh) | 一种boost pfc电路的延时开关电路 | |
| CN202997528U (zh) | 简易的带欠压保护的交流整流保护电源装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Room 101-401, building 38, digital Silicon Valley Industrial Park, No. 999, Yinhuang East Road, Maanshan economic and Technological Development Zone, 243000, Anhui Province Patentee after: Dongke semiconductor (Anhui) Co.,Ltd. Address before: Room 101-401, building 38, digital Silicon Valley Industrial Park, No. 999, Yinhuang East Road, Maanshan economic and Technological Development Zone, 243000, Anhui Province Patentee before: ANHUI DONGKE SEMICONDUCTOR Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |