CN212492856U - 一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置 - Google Patents
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Abstract
本发实用新型开了一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,属于硅颗粒加工技术领域。该装置包括围成圆环形的气体主导管,气体主导管围成的圆形空腔两侧固定安装有密封盖板;所述的气体主导管上连接有与气体主导管管腔连通的进气管,气体主导管内圆壁上开设有若干个气体支导管和雾化喷嘴,气体支导管的外壁上也安装有若干个雾化喷嘴;气体支导管和雾化喷嘴均处于有密封盖板密封的圆形空腔内;在两侧的密封盖板上安装有进料管和出料管。本实用新型能够进过加工使二氧化硅微粉颗粒表面形成稳定的硅羟基键,降低球形二氧化硅微粉表面能,实现球形二氧化硅微粉的顺畅生产并能够提高产品在产业链下游的使用性能。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种硅颗粒加工装置,具体是一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置。
背景技术
目前,球形二氧化硅微粉的制备方法有很多,包括火焰成球法,高温熔融喷射法、等离子体法和化学合成法等。其中火焰成球法、高温熔融喷射法和等离子体法等方法因颗粒在成球的过程中,外界提供给颗粒的热能一部分用于融化颗粒,另一部分则转化为颗粒自身的能量。同时,成球的颗粒过程,二氧化硅颗粒表面的硅羟基发生脱水,形成不稳定的硅氧键,导致生产出来的球形二氧化硅微粉具有较高的表面能,这会增加球形硅微粉收集难度和使用性能。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有技术的不足,提供一种降低球形二氧化硅微粉表面能效果好、提高二氧化硅微粉使用性能的装置。
本实用新型所要解决的技术问题是通过以下技术方案来实现的:本实用新型是一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,其特点是:包括围成圆环形的气体主导管,气体主导管围成的圆形空腔两侧固定安装有密封盖板;所述的气体主导管上连接有与气体主导管管腔连通的进气管,气体主导管内圆壁上开设有若干个气体支导管和雾化喷嘴,气体支导管的外壁上也安装有若干个雾化喷嘴;气体支导管和雾化喷嘴均处于有密封盖板密封的圆形空腔内;在两侧的密封盖板上安装有进料管和出料管。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现,以上所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置中,所述的气体主导管内圆管壁上均匀开设有3根指向圆形空腔圆心的气体支导管,3根气体支导管的外端封闭且固定在中心架上。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现,以上所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置中,每个雾化喷嘴通过其内螺纹连接至气体导管壁预设的雾化喷嘴安装部上,安装部上设置有外螺纹。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下技术方案进一步实现,以上所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置中,一侧的密封盖板上均匀设置有3个进料管,另一侧的密封盖板上设有3个出料管。
本实用新型所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现,以上所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置中,进料管与出料管上均固定安装有连接法兰。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
(1)本实用新型能够安装在球形二氧化硅微粉输送管道中,对二氧化硅微粉进行加工,降低其表面能,实现球形二氧化硅微粉的顺畅生产并能够提高产品在产业链下游的使用性能。
(2)本实用新型中布设的气体支导管和雾化喷嘴的能够提高对二氧化硅微粉的加工均匀性,进一步提升该装置降低球形二氧化硅微粉表面能的效果。
附图说明
图1是本实用新型降低球形二氧化硅微粉表面能的装置的一种结构示意图;
图2是本实用新型A-A的剖视图示意图;
图3是图2中B部分的放大图。
具体实施方式
以下参照附图进一步描述本实用新型的具体技术方案,以便于本领域的技术人员进一步地理解本实用新型,而不构成对其权利的限制。
实施例1,参照图1-图3,一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,包括围成圆环形的气体主导管12,气体主导管12围成的圆形空腔15的两侧固定安装有密封盖板1;所述的气体主导管12上连接有与气体主导管管腔连通的进气管11,气体主导管12内圆壁上开设有若干个气体支导管13和雾化喷嘴14,气体支导管13的外壁上也安装有若干个雾化喷嘴14;气体支导管13和雾化喷嘴14均处于有密封盖板1密封的圆形空腔内15;在两侧的密封盖板1上安装有进料管16和出料管19。
实施例2,实施例1所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置中,气体主导管12内圆管壁上均匀开设有三根指向圆形空腔15的圆心的气体支导管13,三根气体支导管的外端封闭且固定在中心架20上;这样能够避免不同支管内的气体发生冲突,影响该装置的性能;在每根气体支导管13上安装两个雾化喷嘴14,在气体主导管内圆壁上均匀布置六个雾化喷嘴14;
每个雾化喷嘴14通过其内螺纹连接至气体导管壁预设的雾化喷嘴安装部18上,安装部18上设置有外螺纹。
实施例3,实施例1所述的降低球形二氧化硅微粉的表面能的装置中,一侧的密封盖板1上均匀设置有三个进料管16,另一侧的密封盖板1上设有三个出料管19;进料管16与出料管上19均固定安装有连接法兰17。
使用时,分别将球形二氧化硅微粉的输入管21、输出管22与降低球形二氧化硅微粉表面能的装置的进料管16和出料管19连接;球形二氧化硅微粉从进料管16进入气体主导管12围成的且由密封盖板1密封的圆形空腔内15;接着将含有去离子水的气体通过进气管11输送至气体主导管12内,然后送至各气体支导管13,再通过雾化喷嘴14高速喷出,与流经圆形空腔15内的球形二氧化硅微粉发生碰撞,使球形二氧化硅微粉表面形成稳定的硅羟基键,降低其表面能,再经出料管19输出至球形二氧化硅微粉输出管22,进入下一道工序;输入气体主导管12的含有去离子水的压缩气体的压力范围为0.1MPa~0.4MPa;经过处理后的球形二氧化硅微粉表面能降低,能够更好的使用于下游的产品链上。
Claims (5)
1.一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,其特征在于:包括围成圆环形的气体主导管,气体主导管围成的圆形空腔两侧固定安装有密封盖板;所述的气体主导管上连接有与气体主导管管腔连通的进气管,气体主导管内圆壁上开设有若干个气体支导管和雾化喷嘴,气体支导管的外壁上也安装有若干个雾化喷嘴;气体支导管和雾化喷嘴均处于有密封盖板密封的圆形空腔内;在两侧的密封盖板上安装有进料管和出料管。
2.根据权利要求1所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,其特征在于:所述的气体主导管内圆管壁上均匀开设有3根指向圆形空腔圆心的气体支导管,3根气体支导管的外端封闭且固定在中心架上。
3.根据权利要求1所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,其特征在于:每个雾化喷嘴通过其内螺纹连接至气体导管壁预设的雾化喷嘴安装部上,安装部上设置有外螺纹。
4.根据权利要求1所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,其特征在于:一侧的密封盖板上均匀设置有3个进料管,另一侧的密封盖板上设有3个出料管。
5.根据权利要求1或4所述的降低球形二氧化硅微粉表面能的装置,其特征在于:进料管与出料管上均固定安装有连接法兰。
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CN202021486682.9U CN212492856U (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置 |
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CN202021486682.9U Active CN212492856U (zh) | 2020-07-24 | 2020-07-24 | 一种降低球形二氧化硅微粉表面能的装置 |
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CN (1) | CN212492856U (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114289881A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-08 | 杭州电子科技大学 | 一种在硅基材料内部形成球形空腔的方法和设备 |
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2020
- 2020-07-24 CN CN202021486682.9U patent/CN212492856U/zh active Active
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