CN212476874U - 一种图形化外延生长的设备结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及图形化功能层制备技术领域，且公开了一种图形化外延生长的设备结构，包括真空腔室，所述真空腔室一端设置有供气管，且所述供气管与所述真空腔室固定连接，所述供气管远离所述真空腔室一端设置有真空泵，且所述真空泵与所述供气管固定连接。该一种图形化外延生长的设备结构，通过设置真空腔室，将晶圆置于真空腔室，有利于功能膜层的均匀性，同时极大的减少污染提高成品率，激光发生器通过激光窗口向真空腔室内部照射，激光窗口允许激光通过并照射在晶圆的表面，激光发生器产生的激光通过光学聚焦系统形成纳米尺度光斑，使得装置与3D打印机相比可以打印纳米级图案，可应用在集成电路制备。
Description
技术领域
本实用新型涉及图形化功能层制备技术领域，具体为一种图形化外延生长的设备结构。
背景技术
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
目前，现有的3D打印机是利用粉末溶胶做原料逐层打印的方式构造物体的设备，小到牙齿大到建筑设施都可制造，然而在半导体集成电路制造方面图形化尺寸降到了纳米量级，3D打印无法施展，纳米尺度的打印设备尚未空白，因此需要对该图形化功能层进行改进。
实用新型内容
针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种图形化外延生长的设备结构，具备可以打印纳米级图案，可应用在集成电路制备和可直接“打印”图形化功能层的优点，解决了现有的3D打印机是利用粉末溶胶做原料逐层打印的方式构造物体的设备，小到牙齿大到建筑设施都可制造，然而在半导体集成电路制造方面图形化尺寸降到了纳米量级，3D打印无法施展，纳米尺度的打印设备尚未空白，因此需要对该图形化功能层进行改进的问题。
本实用新型提供如下技术方案：一种图形化外延生长的设备结构，包括真空腔室，所述真空腔室一端设置有供气管，且所述供气管与所述真空腔室固定连接，所述供气管远离所述真空腔室一端设置有真空泵，且所述真空泵与所述供气管固定连接，所述真空腔室外侧设置有激光窗口，且所述激光窗口与所述真空腔室固定连接，所述真空腔室右上方设置有操作面板，且所述操作面板与所述真空腔室固定连接，所述真空腔室内部底端设置有加热室，且所述加热室与所述真空腔室固定连接，所述加热室上表面设置有加热台面，且所述加热台面与所述加热室固定连接，所述加热台面上表面设置有晶圆，且所述晶圆与所述加热台面固定连接，所述真空腔室内侧壁设置有聚光镜，且所述聚光镜与所述真空腔室固定连接。
优选的，所述真空腔室内部真空度可时时调控，调控的范围为零点一至一万帕。
优选的，所述真空腔室的内部设置有高纯度惰性气体或还原性气体，所述惰性气体为氮气或者氩气，所述还原性气体为氢气。
优选的，所述供气管内部设置前驱体，所述前驱体为一种或两种或多种气态化学品。
优选的，所述驱体是两种以上化学品时，可根据需要同时或交替通入所述真空腔室的内部。
优选的，所述激光窗口设置在所述晶圆和振镜之间，所述激光窗口的材料为高纯石英或玻璃或石英晶体或氟化钠晶体等，优选石英玻璃。
与现有技术对比，本实用新型具备以下有益效果：
1、该一种图形化外延生长的设备结构，通过设置真空腔室，将晶圆置于真空腔室，有利于功能膜层的均匀性，同时极大的减少污染提高成品率，激光发生器通过激光窗口向真空腔室内部照射，激光窗口允许激光通过并照射在晶圆的表面，激光发生器产生的激光通过光学聚焦系统形成纳米尺度光斑，使得装置与3D打印机相比可以打印纳米级图案，可应用在集成电路制备，因此增加了该图形化外延生长的设备结构的实用性。
2、该一种图形化外延生长的设备结构，通过设置振镜系统，振镜系统在计算机程序驱动下完成图形扫描，与集成电路设备光刻机相比该设置可直接“打印”图形化功能层，成本和成品率潜力巨大，因此增加了该图形化外延生长的设备结构的实用性。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
图2为本实用新型中的真空腔室内部结构示意图；
图3为本实用新型的工作系统结构示意图。
图中：1、操作面板；2、真空泵；3、供气管；4、真空腔室；5、激光窗口；6、加热室；7、加热台面；8、聚光镜；9、晶圆。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3，一种图形化外延生长的设备结构，包括真空腔室4，真空腔室4内部真空度可时时调控，调控的范围为零点一至一万帕，真空腔室4的内部设置有高纯度惰性气体或还原性气体，惰性气体为氮气或者氩气，还原性气体为氢气，真空腔室4一端设置有供气管3，且供气管3与真空腔室4固定连接，供气管3内部设置前驱体，前驱体为一种或两种或多种气态化学品，驱体是两种以上化学品时，可根据需要同时或交替通入真空腔室4的内部，供气管3远离真空腔室4一端设置有真空泵2，且真空泵2与供气管3固定连接，真空腔室4外侧设置有激光窗口5，且激光窗口5与真空腔室4固定连接，激光窗口5设置在晶圆9和振镜之间，激光窗口5的材料为高纯石英或玻璃或石英晶体或氟化钠晶体等，优选石英玻璃，真空腔室4右上方设置有操作面板1，且操作面板1与真空腔室4固定连接，真空腔室4内部底端设置有加热室6，且加热室6与真空腔室4固定连接，加热室6上表面设置有加热台面7，且加热台面7与加热室6固定连接，加热台面7上表面设置有晶圆9，且晶圆9与加热台面7固定连接，真空腔室4内侧壁设置有聚光镜8，且聚光镜8与真空腔室4固定连接。
工作时，将晶圆9放置在加热台面7的上表面，加热台面7固定在真空腔室4的内部，真空腔室4与真空泵2通过供气管3连接，真空腔室4内部的供气管3提供前驱体，通过设置激光窗口5允许激光通过并照射在晶圆9的表面，激光系统包括人机界面或计算机和操作面板1，振镜系统，光学聚焦系统和激光发生器，激光发生器产生的激光通过光学聚焦系统形成纳米尺度光斑，振镜系统在计算机程序驱动下完成图形扫描。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (6)
1.一种图形化外延生长的设备结构，包括真空腔室(4)，其特征在于：所述真空腔室(4)一端设置有供气管(3)，且所述供气管(3)与所述真空腔室(4)固定连接，所述供气管(3)远离所述真空腔室(4)一端设置有真空泵(2)，且所述真空泵(2)与所述供气管(3)固定连接，所述真空腔室(4)外侧设置有激光窗口(5)，且所述激光窗口(5)与所述真空腔室(4)固定连接，所述真空腔室(4)右上方设置有操作面板(1)，且所述操作面板(1)与所述真空腔室(4)固定连接，所述真空腔室(4)内部底端设置有加热室(6)，且所述加热室(6)与所述真空腔室(4)固定连接，所述加热室(6)上表面设置有加热台面(7)，且所述加热台面(7)与所述加热室(6)固定连接，所述加热台面(7)上表面设置有晶圆(9)，且所述晶圆(9)与所述加热台面(7)固定连接，所述真空腔室(4)内侧壁设置有聚光镜(8)，且所述聚光镜(8)与所述真空腔室(4)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构，其特征在于：所述真空腔室(4)内部真空度可时时调控，调控的范围为零点一至一万帕。
3.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构，其特征在于：所述真空腔室(4)的内部设置有高纯度惰性气体或还原性气体，所述惰性气体为氮气或者氩气，所述还原性气体为氢气。
4.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构，其特征在于：所述供气管(3)内部设置前驱体，所述前驱体为一种或两种或多种气态化学品。
5.根据权利要求4所述的一种图形化外延生长的设备结构，其特征在于：所述驱体是两种以上化学品时，可根据需要同时或交替通入所述真空腔室(4)的内部。
6.根据权利要求1所述的一种图形化外延生长的设备结构，其特征在于：所述激光窗口(5)设置在所述晶圆(9)和振镜之间，所述激光窗口(5)的材料为高纯石英或玻璃或石英晶体或氟化钠晶体等，优选石英玻璃。
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| CN202020541308.8U CN212476874U (zh) | 2020-04-13 | 2020-04-13 | 一种图形化外延生长的设备结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202020541308.8U CN212476874U (zh) | 2020-04-13 | 2020-04-13 | 一种图形化外延生长的设备结构 |
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| CN (1) | CN212476874U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111364019A (zh) * | 2020-04-13 | 2020-07-03 | 艾华(无锡)半导体科技有限公司 | 一种图形化外延生长的设备结构 |
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2020
- 2020-04-13 CN CN202020541308.8U patent/CN212476874U/zh active Active
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