CN212323730U - 一种总线型信号传输模块电路 - Google Patents

Abstract

一种总线型信号传输模块电路，属于信号传输模块领域，具体涉及一种总线型信号传输模块电路。本实用新型提供一种能够防止反接、安全性高的总线型信号传输模块电路。本实用新型中，总线接插件的输出端依次与过流保护电路、防反接电路和超欠压电路串联，超欠压电路分别与M组过流保护检测电路并联，M组过流保护检测电路分别与M组端口接插件连接；电源保护检测电路与超欠压电路连接，通信电路和处理器分别与电源保护检测电路连接，通信电路与总线接插件连接，通信电路和处理器双向连接，处理器分别与M组过流保护检测电路和N组输入输出电路并联，N组输入输出电路分别与M组端口接插件连接。本实用新型主要用于信号输入和输出。

Description

一种总线型信号传输模块电路

技术领域

本实用新型属于信号传输模块领域，具体涉及一种总线型信号传输模块电路。

背景技术

信号传输模块是连接计算机系统和外部设备的串行通讯或并行通讯的输入输出设备，被广泛应用于移动设备的外部扩展接口。目前，信号传输模块接入端口的正反极区分不明显，使用者万一疏忽，反接或短路后，端口会直接损坏，甚至可能导致外部元器件损坏。使用者在频繁的插拔的或承重容易导致设备卡顿，且插拔过程中会出现电涌等现象，使其安全性能不佳；再者，现有的信号传输模块均不具备完善的指示功能，无法得知其数据是否能够正常传送，也无法得知是否有数据输入或输出。

因此，就需要一种能够防止反接、安全性高的总线型信号传输模块电路。

实用新型内容

本实用新型针对现有的信号传输模块不能防止反接、安全性差的缺陷，提供一种能够防止反接、安全性高的总线型信号传输模块电路。

本实用新型的技术方案如下：

本实用新型所涉及的一种总线型信号传输模块电路，它包括总线接插件、过流保护电路、防反接电路、超欠压电路、M组过流保护检测电路、M组端口接插件、电源保护检测电路、通信电路、处理器和N组输入输出电路，所述总线接插件的输出端依次与过流保护电路、防反接电路和超欠压电路串联，所述超欠压电路的输出端分别与M组过流保护检测电路的输入端并联，所述M组过流保护检测电路的输出端分别与M组端口接插件的输入端连接；所述电源保护检测电路的输入端与超欠压电路的输出端连接，所述通信电路和处理器的输入端分别与电源保护检测电路的输出端连接，所述通信电路的输出端与总线接插件的输入端连接，所述通信电路和处理器双向连接，所述处理器的输出端分别与M组过流保护检测电路和N组输入输出电路的输入端并联，所述N组输入输出电路的输出端分别与M组端口接插件的输入端连接。

进一步地：它还包括指示灯电路，所述指示灯电路的输入端与处理器的输出端连接。

进一步地：所述总线接插件的信号端与上位机通讯连接，所述总线接插件的电源端与外部电源连接；所述M组端口接插件的输出端分别与N组数字量传感器的输入端并联。

进一步地：它还包括信号隔离电路、AD转换电路、隔离电源电路、K组信号调理电路和K组模拟量传感器，所述信号隔离电路的输入端与处理器的输入端连接，所述隔离电源电路的输入端与电源保护检测电路的输出端连接，所述隔离电源电路和信号隔离电路的输出端与AD转换电路的输入端连接，所述AD转换电路的输出端与K组信号调理电路的输入端串联，所述K组信号调理电路的输出端分别通过闲置的端口接插件的输入端连接，所述闲置的端口接插件的输出端分别与K组模拟量传感器的输入端并联。

进一步地：所述电源保护检测电路包括电源保护滤波电路和电源转换电路，所述电源转换电路包括24V转5V电源电路和5V转3.3V电源电路，所述电源保护滤波电路的输入端与超欠压电路的输出端连接，所述电源保护滤波电路的输出端与24V转5V电源电路的输入端连接，所述24V转5V电源电路的输出端与5V转3.3V电源电路的输入端连接，所述通信电路接入24V转5V电源电路和5V转3.3V电源电路之间，所述5V转3.3V电源电路与处理器的输入端连接。

进一步地：所述电源保护检测电路具体为PNP型电源保护检测电路，所述PNP型电源保护检测电路包括电阻R8、电阻R13、电阻R15、电容C4、电容C5、保险丝F2、MOS管Q4、第一电源和第二电源；所述电阻R8和电容C4的一端均与MOS管Q4的漏级连接，所述电阻R8的另一端与第一电源连接；所述电容C5和电阻R13的一端均与MOS管Q4的栅极连接，所述电阻R13的另一端与电阻R15的一端连接，所述保险丝F2的一端接入电阻R13和电阻R15之间，所述保险丝F2的另一端与第二电源连接；所述电阻R15、电容C4和电容C5的另一端和MOS管Q4的源级均接地；所述MOS管Q4的漏级与处理器连接，所述外部电源接入电阻R13和电阻R15之间。

进一步地：所述电源保护检测电路具体为NPN型电源保护检测电路，所述NPN型电源保护检测电路包括电阻R21、电阻R23、电阻R19、电容C6、电容C7、保险丝F4、MOS管Q6、第一电源和第二电源；所述电阻R21、电阻R23和电容C7依次串联，所述电阻R21的另一端与第二电源连接；所述保险丝F4的一端接入电阻R21和电阻R23之间，所述保险丝F4的另一端接地；所述MOS管Q6的栅极接入电阻R23和电容C7之间，所述MOS管Q6的漏级通过电阻R19与第一电源连接，所述电容C6的一端与MOS管Q6的漏级连接，所述电容C6和电容C7的另一端接地，所述MOS管Q6的源级接地；所述MOS管Q6的漏级与处理器连接，所述外部电源接入电阻R21和电阻R23之间。

进一步地：所述M组过流保护检测电路具体为PNP型信号检测输出电路，所述PNP型信号检测输出电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R11、电容C1、电容C2、电容C3、发光二极管D3、MOS管Q1、MOS管Q2、集成块U1、第一电源和第二电源；所述电阻R3与电阻R4串联，所述电阻R3的另一端接地，所述电阻R4的另一端通过电容C1接地；所述MOS管Q2的源级接入电阻R4和电容C1之间，所述MOS管Q2的栅极接地；所述电阻R1与电阻R2串联，所述电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏级连接，所述电阻R1的另一端与第二电源连接，所述MOS管Q1的栅极与第二电源连接，所述MOS管Q1的漏级通过电阻R11接地，所述电容C2的一端接入MOS管Q1和电阻R11之间，所述电容C2的另一端接地；所述集成块U1的光敏输入端与MOS管Q1的漏级连接，所述集成块U1的光敏输出端依次通过电阻R7和发光二极管D3接地，所述集成块U1的电平输入端通过电阻R5与第一电源连接，所述集成块U1的电平输出端接地，所述电容C3的一端接入电阻R5与集成块U1之间，所述电容C3的另一端接地；所述MOS管Q1的漏级为信号输入输出端口，所述处理器接入电阻R3和电阻R4之间。

进一步地：所述M组过流保护检测电路具体为NPN型信号检测输出电路，所述NPN型信号检测输出电路包括电阻R17、电阻R22、电阻R25、电阻R27、电阻R28、电容C8、电容C9、电容C10、发光二极管D4、MOS管Q8、集成块U2、第一电源和第二电源；所述电阻R27、电阻R28与电容C10依次串联，所述电阻R27和电容C10的另一端接地，所述MOS管Q8的源级接入电阻R28和电容C10之间，所述MOS管Q8的栅极接地，所述MOS管Q8的漏级通过电容C9接地，所述MOS管Q8的漏级通过电阻R25与第二电源连接；所述集成块U2的光敏输出端与MOS管Q8的漏级连接，所述电阻R17的一端与第二电源连接，所述电阻R17的另一端与发光二极管D4的正极连接，所述发光二极管D4的负极与集成块U2的光敏输入端连接，所述集成块U2的电平输出端接地，所述集成块U2的电平输入端通过电阻R22与第一电源连接，所述集成块U2的电平输入端通过电容C8接地；所述集成块U2的电平输入端与处理器的检测端口连接，所述处理器的控制端口接入电阻R27和电阻R28之间，所述MOS管Q8的漏级与信号输入输出端口连接。

进一步地：其中M、N和K均为正整数。

本实用新型的有益效果是：

本发明所涉及的一种总线型信号传输模块电路，为工控行业接线错误而引起端口或元器件损坏增加保护。保护端口本身不会损坏，并在短路或电压异常时停止对外部的电源供给，且不影响其他端口的电性能。[A1] 针对工业现场的实际应用情况，选用NPN或PNP模块电源检测电路，能够实现对电源模块的电源进行检测，并通过MOS管实现单片机检测，且通过保险丝对输入电流进行保护，起到过流保护的作用，通过电阻R13和R8对输入的电压进行分压，进一步保护MOS管，使其安全性更强。

附图说明

图1为本实用新型的16路数字量信号的总线型信号传输模块电路的电路框图；

图2为8路数字量信号的总线型信号传输模块电路的电路框图；

图3为6路数字量信号+2路模拟量信号的总线型信号传输模块的电路框图；

图4为PNP型电源保护检测电路的电路图；

图5为NPN型电源保护检测电路的电路图；

图6为PNP型信号检测输出电路的电路图；

图7为NPN型信号检测输出电路的电路图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型的技术方案做进一步的说明，但并不局限于此，凡是对本实用新型技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本实用新型技术方案的精神和范围，均应涵盖在本实用新型的保护范围中。

实施例1

结合图1-图3说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，它包括总线接插件、过流保护电路、防反接电路、超欠压电路、M组过流保护检测电路、M组端口接插件、电源保护检测电路、通信电路、处理器和N组输入输出电路，所述总线接插件的输出端依次与过流保护电路、防反接电路和超欠压电路串联，所述超欠压电路的输出端分别与M组过流保护检测电路的输入端并联，所述M组过流保护检测电路的输出端分别与M组端口接插件的输入端连接；所述电源保护检测电路的输入端与超欠压电路的输出端连接，所述通信电路和处理器的输入端分别与电源保护检测电路的输出端连接，所述通信电路的输出端与总线接插件的输入端连接，所述通信电路和处理器双向连接，所述处理器的输出端分别与M组过流保护检测电路和N组输入输出电路的输入端并联，所述N组输入输出电路的输出端分别与M组端口接插件的输入端连接。如此设置的目的是：所述总线接插件用于将外部电源传输至信号传输模块内，从而使其运行，同时将信号与上位机进行交换；所述总线接插件还能够与下一个模块级联，从而形成信号传输模块网络，电源依次经过过流保护电路、防反接电路和超欠压检测电路，然后进行分路，一路传输至电源转换模块进行调压滤波，用于给485通信电路和单片机供电，另一路用于给8组过流保护检测电路供电，然后依次通过PORT端口接插件给8路数字量传感器或者16路数字量传感器或者2路模拟量传感器供电，且每一路传感器同时作为执行器，所述传感器将其感应到的信号通过PORT端口接插件传输至单片机，单片机将处理后的信号通过485通信电路传输至上位机，从而形成完整的信号处理过程，其增设电源保护电路，使其根据不同的应用场景选择具有不同结构的保护电路的信号传输模块，避免供需不匹配的问题。

实施例2

结合实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，它还包括指示灯电路，所述指示灯电路的输入端与处理器的输出端连接。如此设置的目的是：所述指示灯电路用于显示单片机的工作状态，以及是否有故障。

实施例3

结合实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，所述总线接插件的信号端与上位机通讯连接，所述总线接插件的电源端与外部电源连接；所述M组端口接插件的输出端分别与N组数字量传感器的输入端并联。如此设置的目的是：所述总线接插件设置两组，一组用于与外部电源和上位机进行电流和信号的传输，另一组用于与其他信号传输模块级联。

实施例4

结合实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，它还包括信号隔离电路、AD转换电路、隔离电源电路、K组信号调理电路和K组模拟量传感器，所述信号隔离电路的输入端与处理器的输入端连接，所述隔离电源电路的输入端与电源保护检测电路的输出端连接，所述隔离电源电路和信号隔离电路的输出端与AD转换电路的输入端连接，所述AD转换电路的输出端与K组信号调理电路的输入端串联，所述K组信号调理电路的输出端分别通过闲置的端口接插件的输入端连接，所述闲置的端口接插件的输出端分别与K组模拟量传感器的输入端并联。如此设置的目的是：如图3所示，当所述K为2时，即信号调理电路为2组，其用于对两路模拟信号进行处理，每一路数字量和模拟量都对应着一个传感器。

实施例5

结合实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，所述电源保护检测电路包括电源保护滤波电路和电源转换电路，所述电源转换电路包括24V转5V电源电路和5V转3.3V电源电路，所述电源保护滤波电路的输入端与超欠压电路的输出端连接，所述电源保护滤波电路的输出端与24V转5V电源电路的输入端连接，所述24V转5V电源电路的输出端与5V转3.3V电源电路的输入端连接，所述通信电路接入24V转5V电源电路和5V转3.3V电源电路之间，所述5V转3.3V电源电路与处理器的输入端连接。如此设置的目的是：所述电源保护检测电路分为PNP型和NPN型。其中，保护电路常用的三组电源电压分别为+3.3V、+24V和+5V，根据其选用的保护电路的不同而选用不用的电源电压。

实施例6

结合图4和实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，所述电源保护检测电路具体为PNP型电源保护检测电路，所述PNP型电源保护检测电路包括电阻R8、电阻R13、电阻R15、电容C4、电容C5、保险丝F2、MOS管Q4、第一电源和第二电源；所述电阻R8和电容C4的一端均与MOS管Q4的漏级连接，所述电阻R8的另一端与第一电源连接；所述电容C5和电阻R13的一端均与MOS管Q4的栅极连接，所述电阻R13的另一端与电阻R15的一端连接，所述保险丝F2的一端接入电阻R13和电阻R15之间，所述保险丝F2的另一端与第二电源连接；所述电阻R15、电容C4和电容C5的另一端和MOS管Q4的源级均接地；所述MOS管Q4的漏级与处理器连接，所述外部电源接入电阻R13和电阻R15之间。如此设置的目的是：正常工作时，+24V_Out电源，经过保险丝F2对24V电源+输出，正常对外供电；同时+24V_Out电源，经过F2、R13连接到Q4门极，此时符合Q4导通条件，故而Q4导通；+3.3V电源经过R8、Q4流向GND，单片机检测引脚可检测到0电平。单片机检测到0电平即可认为+24V_Out电源对外供电功能正常。24V电源+输出对GND短路或过流或过温时，保险丝F2分断，+24V_Out电源，不能经过保险丝F2对24V电源+输出供电，同时+24V_Out电源，不能经过F2、R13连接到Q4门极，GND通过R15、R13连接到Q4门极，此时不符合Q4导通条件，故而Q4不导通；+3.3V电源经过R8流向单片机检测引脚，单片机检测引脚为1电平。单片机检测到1电平即可认为+24V_Out电源对外供电功能不正常。F2可替换为任何电流保护器件或者保护电路。R15、R13、R8、Q4、C4、C5组成的检测电路可有多种方案替代，例如光耦合器，运算放大器等，Q4可以替换为P沟道MOS，NPN三极管、PNP三极管等方式，包括隔离型或非隔离型的检测电路，正常工作时，F2导通，正常对外供电，Q4导通，单片机检测引脚为0；24V电源+输出短路或过流或过温时，F2分断，对外供电消失，Q4关断，单片机检测引脚为1。

实施例7

结合图5和实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，所述电源保护检测电路具体为NPN型电源保护检测电路，所述NPN型电源保护检测电路包括电阻R21、电阻R23、电阻R19、电容C6、电容C7、保险丝F4、MOS管Q6、第一电源和第二电源；所述电阻R21、电阻R23和电容C7依次串联，所述电阻R21的另一端与第二电源连接；所述保险丝F4的一端接入电阻R21和电阻R23之间，所述保险丝F4的另一端接地；所述MOS管Q6的栅极接入电阻R23和电容C7之间，所述MOS管Q6的漏级通过电阻R19与第一电源连接，所述电容C6的一端与MOS管Q6的漏级连接，所述电容C6和电容C7的另一端接地，所述MOS管Q6的源级接地；所述MOS管Q6的漏级与处理器连接，所述外部电源接入电阻R21和电阻R23之间。如此设置的目的是：正常工作时，GND经过保险丝F4对24V电源-输出，正常对外供电；同时GND经过F4、R23连接到Q6门极，此时不符合Q6导通条件，故而Q6不导通；+3.3V电源经过R19流向单片机检测，单片机检测引脚可检测到1电平。单片机检测到1电平即可认为GND对外供电功能正常。GND对任一电源+短路或过流或过温时，保险丝F4分断，GND不能经过保险丝F4对24V电源-输出供电，同时GND不能经过F4、R23连接到Q6门极，+24V通过R21、R23连接到Q6门极，此时符合Q6导通条件，故而Q6导通；+3.3V电源经过R19、Q6流向GND，单片机检测引脚为0电平。单片机检测到0电平即可认为GND对外供电功能不正常。F4可替换为任何电流保护器件或者保护电路。R21、R23、R19、Q6、C7、C6组成的检测电路可有多种方案替代，例如光耦合器，运算放大器等，Q6可以替换为P沟道MOS，NPN三极管、PNP三极管等方式，包括隔离型或非隔离型的检测电路，正常工作时，F4导通，正常对外供电，Q6关断，单片机检测引脚为1；24V电源-输出短路或过流或过温时，F4分断，对外供电消失，Q4导通，单片机检测引脚为0。

实施例8

结合图6和实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，所述M组过流保护检测电路具体为PNP型信号检测输出电路，所述PNP型信号检测输出电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R11、电容C1、电容C2、电容C3、发光二极管D3、MOS管Q1、MOS管Q2、集成块U1、第一电源和第二电源；所述电阻R3与电阻R4串联，所述电阻R3的另一端接地，所述电阻R4的另一端通过电容C1接地；所述MOS管Q2的源级接入电阻R4和电容C1之间，所述MOS管Q2的栅极接地；所述电阻R1与电阻R2串联，所述电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏级连接，所述电阻R1的另一端与第二电源连接，所述MOS管Q1的栅极与第二电源连接，所述MOS管Q1的漏级通过电阻R11接地，所述电容C2的一端接入MOS管Q1和电阻R11之间，所述电容C2的另一端接地；所述集成块U1的光敏输入端与MOS管Q1的漏级连接，所述集成块U1的光敏输出端依次通过电阻R7和发光二极管D3接地，所述集成块U1的电平输入端通过电阻R5与第一电源连接，所述集成块U1的电平输出端接地，所述电容C3的一端接入电阻R5与集成块U1之间，所述电容C3的另一端接地；所述MOS管Q1的漏级为信号输入输出端口，所述处理器接入电阻R3和电阻R4之间。如此设置的目的是：正常工作时，信号输入/输出端口的电平为1时，电流经过U1 LED、R7、D3、R11流动到GND，D3发光，U1光敏端导通，3.3V经过R5、U1光敏端、流动到GND，单片机检测为0电平。信号输入/输出端口的电平为0时，无电流经过U1 LED、R7、D3、R11流动到GND，D3不发光，U1光敏端关断，3.3V不能经过R5、U1光敏端、流动到GND，单片机检测为1电平。单片机控制端口为0时，单片机控制端经过R4连接到Q2门极，此时不符合Q2导通条件，Q2关断，+24V不能经过R1、R2、Q2流动到GND，此时不符合Q1开通条件，Q1不导通，信号输出输入端口为0电平。单片机控制端口为1时，单片机控制端经过R4连接到Q2门极，此时符合Q2导通条件，Q2导通，+24V经过R1、R2、Q2流动到GND，此时符合Q1开通条件，Q1导通，信号输出输入端口为1电平。检测与显示电路可有多种方案替代，例如光耦合器，运算放大器等，Q1可以替换为P沟道MOS，NPN三极管、PNP三极管等方式，D3可改换各种颜色、包括隔离型或非隔离型的检测电路，正常工作时，信号输入/输出端口的电平为1时，U1导通，D3发光，单片机检测为0信号输入/输出端口的电平为0时，U1关断，D3不发光，单片机检测为1。单片机控制端口为0时，Q2关断，Q1关断，不输出信号；单片机控制端口为1时，Q2导通，Q1导通，输出信号；信号输入/输出端口短路时，由于Q1自带过流、过温、短路保护机制，将关断。

实施例9

结合图7和实施例1说明本实施例，在本实施例中，本实施例所涉及的一种总线型信号传输模块电路，所述M组过流保护检测电路具体为NPN型信号检测输出电路，所述NPN型信号检测输出电路包括电阻R17、电阻R22、电阻R25、电阻R27、电阻R28、电容C8、电容C9、电容C10、发光二极管D4、MOS管Q8、集成块U2、第一电源和第二电源；所述电阻R27、电阻R28与电容C10依次串联，所述电阻R27和电容C10的另一端接地，所述MOS管Q8的源级接入电阻R28和电容C10之间，所述MOS管Q8的栅极接地，所述MOS管Q8的漏级通过电容C9接地，所述MOS管Q8的漏级通过电阻R25与第二电源连接；所述集成块U2的光敏输出端与MOS管Q8的漏级连接，所述电阻R17的一端与第二电源连接，所述电阻R17的另一端与发光二极管D4的正极连接，所述发光二极管D4的负极与集成块U2的光敏输入端连接，所述集成块U2的电平输出端接地，所述集成块U2的电平输入端通过电阻R22与第一电源连接，所述集成块U2的电平输入端通过电容C8接地；所述集成块U2的电平输入端与处理器的检测端口连接，所述处理器的控制端口接入电阻R27和电阻R28之间，所述MOS管Q8的漏级与信号输入输出端口连接。如此设置的目的是：正常工作时，信号输入/输出端口的电平为1时，无电流经过U2 LED、R17、D4、R25流动，D3不发光，U2光敏端关断，3.3V不能经过R22、U2光敏端、流动到GND，单片机检测为1电平。信号输入/输出端口的电平为0时，+24V电流经过U2 LED、R17、D4、R25流动到信号输入/输出端口，D3发光，U1光敏端导通，3.3V经过R22、U2光敏端、流动到GND，单片机检测为1电平。单片机控制端口为0时，单片机控制端经过R28连接到Q8门极，此时不符合Q8导通条件，Q8关断，GND不能经过Q8连接到信号输入/输出端口，信号输出输入端口为1电平。单片机控制端口为1时，单片机控制端经过R28连接到Q8门极，此时符合Q8导通条件，Q8导通，GND经过Q8连接到信号输入/输出端口，信号输出输入端口为1电平。检测与显示电路可有多种方案替代，例如光耦合器，运算放大器等，Q8可以替换为P沟道MOS，NPN三极管、PNP三极管等方式，D4可改换各种颜色、包括隔离型或非隔离型的检测电路，正常工作时，信号输入/输出端口的电平为0时，U2导通，D4发光，单片机检测为0信号输入/输出端口的电平为1时，U2关断，D4不发光，单片机检测为1。单片机控制端口为0时，Q8关断，不输出信号；单片机控制端口为1时，Q8导通，输出信号；信号输入/输出端口短路时，由于Q8自带过流、过温、短路保护机制，将关断。

Claims (10)

1.一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，它包括总线接插件、过流保护电路、防反接电路、超欠压电路、M组过流保护检测电路、M组端口接插件、电源保护检测电路、通信电路、处理器和N组输入输出电路，所述总线接插件的输出端依次与过流保护电路、防反接电路和超欠压电路串联，所述超欠压电路的输出端分别与M组过流保护检测电路的输入端并联，所述M组过流保护检测电路的输出端分别与M组端口接插件的输入端连接；所述电源保护检测电路的输入端与超欠压电路的输出端连接，所述通信电路和处理器的输入端分别与电源保护检测电路的输出端连接，所述通信电路的输出端与总线接插件的输入端连接，所述通信电路和处理器双向连接，所述处理器的输出端分别与M组过流保护检测电路和N组输入输出电路的输入端并联，所述N组输入输出电路的输出端分别与M组端口接插件的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，它还包括指示灯电路，所述指示灯电路的输入端与处理器的输出端连接。

3.根据权利要求1所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，所述总线接插件的信号端与上位机通讯连接，所述总线接插件的电源端与外部电源连接；所述M组端口接插件的输出端分别与N组数字量传感器的输入端并联。

4.根据权利要求3所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，它还包括信号隔离电路、AD转换电路、隔离电源电路、K组信号调理电路和K组模拟量传感器，所述信号隔离电路的输入端与处理器的输入端连接，所述隔离电源电路的输入端与电源保护检测电路的输出端连接，所述隔离电源电路和信号隔离电路的输出端与AD转换电路的输入端连接，所述AD转换电路的输出端与K组信号调理电路的输入端串联，所述K组信号调理电路的输出端分别通过闲置的端口接插件的输入端连接，所述闲置的端口接插件的输出端分别与K组模拟量传感器的输入端并联。

5.根据权利要求1-4任一项所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，所述电源保护检测电路包括电源保护滤波电路和电源转换电路，所述电源转换电路包括24V转5V电源电路和5V转3.3V电源电路，所述电源保护滤波电路的输入端与超欠压电路的输出端连接，所述电源保护滤波电路的输出端与24V转5V电源电路的输入端连接，所述24V转5V电源电路的输出端与5V转3.3V电源电路的输入端连接，所述通信电路接入24V转5V电源电路和5V转3.3V电源电路之间，所述5V转3.3V电源电路与处理器的输入端连接。

6.根据权利要求4所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，所述电源保护检测电路具体为PNP型电源保护检测电路，所述PNP型电源保护检测电路包括电阻R8、电阻R13、电阻R15、电容C4、电容C5、保险丝F2、MOS管Q4、第一电源和第二电源；所述电阻R8和电容C4的一端均与MOS管Q4的漏级连接，所述电阻R8的另一端与第一电源连接；所述电容C5和电阻R13的一端均与MOS管Q4的栅极连接，所述电阻R13的另一端与电阻R15的一端连接，所述保险丝F2的一端接入电阻R13和电阻R15之间，所述保险丝F2的另一端与第二电源连接；所述电阻R15、电容C4和电容C5的另一端和MOS管Q4的源级均接地；所述MOS管Q4的漏级与处理器连接，所述外部电源接入电阻R13和电阻R15之间。

7.根据权利要求4所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，所述电源保护检测电路具体为NPN型电源保护检测电路，所述NPN型电源保护检测电路包括电阻R21、电阻R23、电阻R19、电容C6、电容C7、保险丝F4、MOS管Q6、第一电源和第二电源；所述电阻R21、电阻R23和电容C7依次串联，所述电阻R21的另一端与第二电源连接；所述保险丝F4的一端接入电阻R21和电阻R23之间，所述保险丝F4的另一端接地；所述MOS管Q6的栅极接入电阻R23和电容C7之间，所述MOS管Q6的漏级通过电阻R19与第一电源连接，所述电容C6的一端与MOS管Q6的漏级连接，所述电容C6和电容C7的另一端接地，所述MOS管Q6的源级接地；所述MOS管Q6的漏级与处理器连接，所述外部电源接入电阻R21和电阻R23之间。

8.根据权利要求1-4任一项所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，所述M组过流保护检测电路具体为PNP型信号检测输出电路，所述PNP型信号检测输出电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R11、电容C1、电容C2、电容C3、发光二极管D3、MOS管Q1、MOS管Q2、集成块U1、第一电源和第二电源；所述电阻R3与电阻R4串联，所述电阻R3的另一端接地，所述电阻R4的另一端通过电容C1接地；所述MOS管Q2的源级接入电阻R4和电容C1之间，所述MOS管Q2的栅极接地；所述电阻R1与电阻R2串联，所述电阻R2的另一端与MOS管Q2的漏级连接，所述电阻R1的另一端与第二电源连接，所述MOS管Q1的栅极与第二电源连接，所述MOS管Q1的漏级通过电阻R11接地，所述电容C2的一端接入MOS管Q1和电阻R11之间，所述电容C2的另一端接地；所述集成块U1的光敏输入端与MOS管Q1的漏级连接，所述集成块U1的光敏输出端依次通过电阻R7和发光二极管D3接地，所述集成块U1的电平输入端通过电阻R5与第一电源连接，所述集成块U1的电平输出端接地，所述电容C3的一端接入电阻R5与集成块U1之间，所述电容C3的另一端接地；所述MOS管Q1的漏级为信号输入输出端口，所述处理器接入电阻R3和电阻R4之间。

9.根据权利要求1-4任一项所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，所述M组过流保护检测电路具体为NPN型信号检测输出电路，所述NPN型信号检测输出电路包括电阻R17、电阻R22、电阻R25、电阻R27、电阻R28、电容C8、电容C9、电容C10、发光二极管D4、MOS管Q8、集成块U2、第一电源和第二电源；所述电阻R27、电阻R28与电容C10依次串联，所述电阻R27和电容C10的另一端接地，所述MOS管Q8的源级接入电阻R28和电容C10之间，所述MOS管Q8的栅极接地，所述MOS管Q8的漏级通过电容C9接地，所述MOS管Q8的漏级通过电阻R25与第二电源连接；所述集成块U2的光敏输出端与MOS管Q8的漏级连接，所述电阻R17的一端与第二电源连接，所述电阻R17的另一端与发光二极管D4的正极连接，所述发光二极管D4的负极与集成块U2的光敏输入端连接，所述集成块U2的电平输出端接地，所述集成块U2的电平输入端通过电阻R22与第一电源连接，所述集成块U2的电平输入端通过电容C8接地；所述集成块U2的电平输入端与处理器的检测端口连接，所述处理器的控制端口接入电阻R27和电阻R28之间，所述MOS管Q8的漏级与信号输入输出端口连接。

10.根据权利要求4所述的一种总线型信号传输模块电路，其特征在于，其中M、N和K均为正整数。

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