CN212158824U - 光电探测单元、光电探测组件以及激光测距器件 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种光电探测单元、光电探测组件以及激光测距器件，光电探测单元包括：基底；光电探测结构，形成于基底内，用于接收光信号并转换为电信号；后端电路，形成于基底内，用于对电信号进行处理后通过数据端口输出，后端电路与光电探测结构沿X轴方向并排分布；光学组件，沿Y轴方向叠设于基底上，用于接收自基底一侧入射的光线并调节光线的路径以使光线入射至光电探测结构上。通过将后端电路和光电探测结构集成于同一基底上，且光学组件用于接收侧面入射的光并调整光路使光线入射至光电探测结构上，可以省略电路的键合工艺，且可将多个光电探测单元进行组装形成线阵或面阵并避免布线困难的问题，组装形成的结构也能够灵活拆卸。

Description

光电探测单元、光电探测组件以及激光测距器件

技术领域

本申请涉及光电探测领域，特别是涉及一种光电探测单元、光电探测组件以及激光测距器件。

背景技术

单光子探测器(Single Photon Avalanche Diode，SPAD)是一种具有高增益、高灵敏度等优点的探测器，广泛应用于核医学、高能物理、精密分析、激光探测与测量(Lidar)等领域。单个SPAD可以看作为一个1bit的超高速ADC，连接一个简单的反向器即可直接产生数字信号，如“无信号”时输出“0”，“有信号”时输出“1”。为了测量光的强度信号，SPAD在深度探测领域中使用以下两种典型的表现形式：

(1)硅光电倍增管(SiPM,Silicon photomultiplier)。阵列中的SPAD输出端子(port)并联在一起，作为一个整体输出信号，但由于有多个SPAD子单元，所以可以实现对信号光强度的识别。

(2)SPAD阵列(SPAD array)。阵列的中的SPAD的每个像素单独输出，从而可以直接生成影像。

在实际的光电产品中，上述各类光电探测结构还需与后端电路电连接，后端电路用于对电信号进行处理后输出。通常，光电探测结构和后端电路分别形成于不同的晶片上，并通过键合方式使后端电路与光电探测组件电连接。然而，上述光电探测结构与后端电路的连接方式，存在以下问题：

第一，上述方式包含键合工艺，其制备工序较多，成本较高。

第二，每一个SPAD均需要对应一个后端电路对其电信号进行处理，当制成SPAD面阵时，则需要布局大量的后端电路，SPAD面阵密度越高，电路走线越困难，对应的布线工艺难度和成本也提高。

第三，当制成SPAD线阵或面阵，线阵或面阵形成于同一基底上，其整体结构固定，不能够再灵活调整SPAD线阵或面阵的结构。

实用新型内容

基于此，有必要针对现有技术中的光电探测产品的后端电路的制备工艺复杂且布线困难的技术问题，提供一种光电探测单元、光电探测组件以及激光测距器件。

为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种光电探测单元。

一种光电探测单元，包括：

基底；

光电探测结构，形成于所述基底内，用于接收光信号并转换为电信号；

后端电路，形成于所述基底内，用于对所述光电探测结构形成的电信号进行处理后通过数据端口输出，所述后端电路与所述光电探测结构沿X轴方向并排分布，所述X轴方向平行于基底顶面；

光学组件，沿Y轴方向叠设于所述基底上，所述光学组件具有朝向所述光电探测单元一侧的入光面，所述入光面接收自所述光电探测单元一侧入射的光线并调节所述光线的路径以使所述光线入射至所述光电探测结构上，所述Y轴方向垂直于基底顶面。

在其中一个实施例中，所述光学组件位于所述光电探测结构的上方。

在其中一个实施例中，所述光学组件包括入光面，所述光学组件将入射至所述入光面上的光线反射至所述光电探测结构上。

在其中一个实施例中，所述光电探测结构包括单个单光子探测器、单光子探测器阵列、硅光电倍增管以及硅光电倍增管阵列中的任意一种。

上述光电探测单元，光电探测结构和后端电路均集成于同一基底内且沿X轴方向并列分布，光学组件设置于光电探测结构上方，光学组件可以接收来自基底一侧入射的光线并调节光线的路径以使光线入射至光电探测结构上。在传统技术中，光学组件是接收其上方入射的光线并使光线入射至光电探测结构上，而在本申请中，首先，光学组件是接收其侧方入射的光线并光线入射至光电探测结构上，由此可便于将多个光电探测单元进行叠设以形成光电探测线阵或光电探测面阵。其次，由于后端电路与光电探测结构是集成于同一基底上，由此节省了键合工序，且当多个光电探测单元组装成光电探测线阵或光电探测面阵时，也不存在后端电路走线困难的问题。再者，当多个光电探测单元组装成光电探测线阵或光电探测面阵后，也能够根据需要拆卸或重组该光电探测线阵或光电探测面阵，以灵活调整光电探测线阵或光电探测面阵的结构。

本申请还提供了一种光电探测组件。

一种光电探测组件，包括多个如上述的光电探测单元，各所述光电探测单元具有垂直于所述X轴方向的第一侧面和第二侧面，其中，所述第一侧面位于所述光电探测结构背离所述后端电路的一侧，所述光电探测单元沿Y轴方向和/或Z轴方向排布，各所述光电探测单元的第一侧面位于所述光电探测组件的同一侧。

在其中一个实施例中，各所述光电探测单元的第一侧面相互对齐，各所述光电探测单元的第二侧面相互对齐。

在其中一个实施例中，各所述光电探测单元的第一侧面相互对齐，各所述光电探测单元的第二侧面形成台阶结构。

在其中一个实施例中，所述数据端口自所述基底的顶面和/或底面引出，相邻所述光电探测单元的数据端口依次连接。

在其中一个实施例中，所述数据端口自所述基底的第二侧面引出，各所述数据端口相互连接。

上述光电探测组件，均是由上述光电探测单元叠设而成。由于每个光电探测单元属于一个独立的单元，因此，可以根据需要灵活对光电探测单元进行组装，以形成所需的光电探测产品，且组装完成的光电探测线阵和光电探测面阵也可以灵活拆分并重新调整分布，灵活度较高。同时，由于后端电路与光电探测结构集成于同一基底内，当多个光电探测单元组装完成后，并不涉及后端电路的布线，因此避免了后端电路布线困难的问题。

本申请还提供了一种激光测距器件。

一种激光测距器件，还包括激光发射器和光电探测组件，其中，所述光电探测组件为上述的光电探测组件，所述激光发射器具有发光面且所述激光发射器发射的光线经目标物体反射后朝向所述光电探测组件的侧面发射。

在其中一个实施例中，所述激光发射器夹设于光电探测单元之间。

在其中一个实施例中，所述激光测距器件包括N所述激光发射器，N个所述激光发射器均匀分布于所述光电探测组件内，N≥1。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为一实施例的光电探测单元沿Z轴方向的侧剖图；

图1b为一实施例的光电探测单元的俯视图；

图2a为一实施例的沿Y轴方向叠设的光电探测组件沿Z轴方向的侧剖图；

图2b为一实施例的对应图2a的线阵结构的俯视图；

图2c为一实施例的沿Y轴方向叠设的线阵结构的结构示意图；

图2d为另一实施例的沿Y轴方向叠设的线阵结构的结构示意图；

图3a为一实施例的沿Z轴方向并排分布的光电探测组件沿Z轴方向的侧剖图；

图3b为一实施例的对应图3a的光电探测组件的俯视图；

图3c为一实施例的沿Z轴方向并排分布的线阵结构的结构示意图；

图4a为一实施例的沿Y轴方向和Z轴方向并排分布的光电探测组件沿Z轴方向的侧剖图；

图4b为一实施例的对于图4a的光电探测组件的俯视图；

图4c为一实施例的面阵结构的结构示意图；

图4d为另一实施例的面阵结构的结构示意图；

图5为一实施例的各光电探测单元的第一侧面和第二侧面位置关系示意图；

图6为另一实施例的各光电探测单元的第一侧面和第二侧面位置关系示意图；

图7为一实施例的激光测距器件的结构示意图；

图8为另一实施例的激光测距器件的结构示意图；

图9为具有多个激光发射器的激光测距器件的结构示意图；

图10为激光测距器件的工作光路图。

元件标号说明：

光电探测单元：10；基底：100；第一侧面：100A；第二侧面：100B；光电探测结构：110；后端电路：120；数据端口：121；光学组件：200；激光发射器：300。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分，这些元件、部件、区、层、掺杂类型和/或部分不应当被这些术语限制。

空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

如图1a和图1b所示，其中，图1a为光电探测单元沿Z轴方向(垂直于纸张的方向)的侧剖图，图1b为光电探测单元的俯视图。

光电探测单元10包括基底100、光电探测结构110、后端电路120以及光学组件200。其中，光电探测结构110和后端电路120均形成于基底100内且沿X轴方向并排分布，X轴方向平行于基底100顶面。光电探测结构110用于接收光信号并转化为电信号，后端电路120用于对光电探测结构110所产生的电信号进行处理后通过数据端口121输出。光学组件200沿Y轴方向叠设于基底100上，其中，Y轴方向垂直于基底100的顶面，光学组件200具体可位于光电探测结构110的上方。光学组件200具有朝向光电探测单元10一侧的入光面，该入光面用于接收自光电探测单元10侧面入射的光线并调节光线的路径以使光线入射至光电探测结构110上，即，光学组件200接收的光线来自光电探测单元的侧面。在一实施例中，上述光学组件200接收的光线沿平行于X轴的方向入射至光学组件200上，再由光学组件200调节光路，使光线偏转并入射至光电探测结构110。在其他实施例中，发光组件200的入光面接收自光电探测单元侧面入射的光线，该光线并非一定需要与X轴方向平行，光线入射方向也可以与X轴呈一定的角度，即倾斜入射至光学组件200的入光面，然后再经光学组件改变光路并使光线入射至光电探测结构110上。需要说明的是，本申请中各个结构的尺寸以及尺寸关系并不做限定，附图所示的各个结构的形貌、尺寸仅用作示例说明，但并不以此为限。

上述光电探测单元，光电探测结构110和后端电路120均集成于同一基底100内且沿X轴方向并列分布，光学组件200设置于光电探测结构110上方，光学组件200可以接收来自基底100一侧入射的光线并调节光线的路径以使光线入射至光电探测结构110上。在传统技术中，光学组件是接收其上方入射的光线并使光线入射至光电探测结构上，而在本申请中，光学组件200是接收其侧方入射的光线并使光线入射至光电探测结构110上，由此可便于将多个光电探测单元进行叠设以形成光电探测线阵或光电探测面阵。其次，由于后端电路120与光电探测结构110是集成于同一基底100上，由此节省了键合工序，且当多个光电探测单元组装成光电探测线阵或光电探测面阵时，也不存在后端电路120走线困难的问题。同时，当多个光电探测单元组装成光电探测线阵或光电探测面阵后，也能够根据需要拆卸或重组该光电探测线阵或光电探测面阵，以灵活调整光电探测线阵或光电探测面阵的结构。

可以理解的，光电探测结构110包括位于光电转换结构以及位于光电转换结构上的感光层，其中，感光层即为光电探测结构110接收光信号的结构，在本申请中，对于光电探测结构110的光电转换结构和感光层的分布在此不做限定，只要感光层能够接收到经光学组件200偏转后的光线即可。在本实施例中，感光层位于基底顶面，经光学组件200偏转后的光线容易入射至感光层上。

在一实施例中，上述光电探测结构110为单个单光子探测器(SPAD)、单光子探测器阵列(SPAD Array)、硅光电倍增管(SiPM)或硅光电倍增管(SiPMArray)中的任意一种。

在一实施例中，光学组件200包括反射结构，光学组件200将入射至入光面上的光线反射至光电探测结构上。具体的，光学组件的入光面与基底100顶面之间的夹角为θ，该夹角θ可根据实际情况调节。在一实施例中，0°＜θ≤90°，具体可取45°。在一实施例中，光学组件200包括折射结构，自光电探测单元10侧面入射的光入射至光学组件200的入光面后，再利用光学组件200对光线的折射作用改变光线路径，以使折射后的光线入射至光电探测结构110上。当然，在其他实施例中，也可以利用其他光学组件，只要能改变光线路径即可。

在一实施例中，光电探测单元10上的数据端口121的数量大于等于1，即后端电路120可以只形成一个数据端口121传输数据，也可以形成多个数据端口121传输数据，例如形成2个数据端口121，其中一个数据端口121用作信号输入端，另一个数据端口121用作信号输出端。可以理解的，后端电路也可以形成多个数据端口121，在本申请中，对此数据端口121的数量不做限定。

本申请还涉及一种光电探测组件，包括多个上述的光电探测单元，各光电探测单元具有朝X轴方向相对设置的第一侧面100A和第二侧面100B，其中，所述第一侧面100A位于光电探测结构110背离后端电路120的一侧。具体的，第一侧面100A和第二侧面100B可分别垂直于X轴方向。光电探测单元沿Y轴方向和/或Z轴方向排布，各光电探测单元的第一侧面100A位于光电探测组件的同一侧，其中，X轴、Y轴和Z轴两两垂直。

在一实施例中，如图2a和图2b所示，其中，图2a为光电探测组件沿Z轴方向的侧剖图，图2b为光电探测组件的俯视图。各光电探测单元具有垂直于X轴方向的第一侧面100A和第二侧面100B，其中，第一侧面100A位于光电探测结构110背离后端电路120的一侧，各光电探测单元沿Y轴方向依次叠设，形成线阵结构，且各光电探测单元的第一侧面100A位于线阵结构的同一侧。其中，各光电探测单元沿Y轴方向叠设的方式可灵活选择。如图2c所示为一实施例中光电探测单元10沿Y轴方向叠设所形成的线阵结构的结构示意图，在本实施例中，各个光电探测单元的光学组件200和基底100的位置关系相同，例如在图2c中，在每个光电探测单元中，光学组件200均位于基底100在视图中的上方，光学组件200和基底100依次交替设置。如图2d所示为另一实施例中光电探测单元10沿Y轴方向叠设所形成的线阵结构的结构示意图，在本实施例中，相邻的光电探测单元相互对称，即在叠设过程中，部分光电探测单元先上下翻转后再进行叠设。

在一实施例中，如图3a和图3b所示，其中，图3a为光电探测组件沿Z轴方向的侧剖图，图3b为光电探测组件的俯视图。各光电探测单元具有朝X轴方向相对设置的第一侧面100A和第二侧面100B，其中，第一侧面100A位于光电探测结构110背离后端电路120的一侧，各光电探测单元沿Z轴方向依次并排分布，形成线阵结构，且各光电探测单元的第一侧面100A位于该线阵结构的同一侧。如图3c所示为光电探测单元10沿Z轴方向并排分布所形成的线阵结构的结构示意图。

在一实施例中，如图4a和图4b所示，其中，图4a为光电探测组件沿Z轴方向的侧剖图，图4b为光电探测组件的俯视图。各光电探测单元具有朝X轴方向相对设置的第一侧面100A和第二侧面100B，其中，第一侧面100A位于光电探测结构110背离后端电路120的一侧，光电探测单元沿Y轴依次叠设并沿Z轴方向并排分布，形成面阵结构，且各光电探测单元的第一侧面100A位于面阵结构的同一侧。如图4c所示为一实施例中光电探测单元10沿Y轴方向和Z轴方向排布所形成的面阵结构的结构示意图，在本实施例中，沿Y轴方向，基底100和光学组件200依次交替设置。如图4d所示为另一实施例中光电探测单元10沿Y轴方向和Z轴方向排布所形成的面阵结构的结构示意图，在本实施例中，沿Y轴方向，相邻的光电探测单元相互对称，即在叠设过程中，部分光电探测单元先上下翻转后再进行叠设。

在一实施例中，如图5所示，各光电探测单元的第一侧面100A相互对齐，各光电探测单元的第二侧面100B相互对齐，即所形成的光电探测组件也具有平整的侧面。在一实施例中，如图6所示，各光电探测单元的第一侧面100A相互对齐，各光电探测单元的第二侧面100B则形成台阶结构。在其他实施例中，各光电探测单元的第一侧面100A的位置关系和各光电探测单元的第二侧面的位置关系可根据实际情况灵活设置。

在一实施例中，上述形成的各类光电探测组件，其相邻光电探测单元的后端电路120的数据端口121连接，最终通过少数几根甚至只通过一根数据线将各后端电路120的处理电信号依次输出。在一实施例中，如图2a或图3b所示，数据端口121自基底100的顶面和/或底面引出，相邻光电探测单元之间的数据端口依次连接。在一实施例中，如图5或图6所示，各光电探测单元具有自第二侧面100B引出的数据端口121，自第二侧面100B引出的数据端口121相互连接，以对各光电探测单元处理后的电信号汇合后通过一根数据线依次输出。

上述光电探测组件，均是由上述光电探测单元拼装而成，拼装而成的光电探测组件，从其侧面接收入射光并将光线偏转至各个单元的光电探测结构上。由于每个光电探测单元属于一个独立的单元，因此，可以根据需要灵活对光电探测单元进行组装，以形成所需的光电探测产品，且组装完成的光电探测线阵和光电探测面阵也可以灵活拆分并重新调整分布，灵活度较高。同时，由于后端电路120与光电探测结构110集成于同一基底100内，当多个光电探测单元组装完成后，并不涉及后端电路120的布线，因此避免了后端电路120布线困难的问题。

本申请还涉及一种激光测距器件，包括激光发射器以及光电探测组件，其中，光电探测组件为上述任一种光电探测组件，激光发射组件发射的光线经目标物体反射后朝向光电探测组件的侧面发射。

在一实施例中，激光发射器300夹设于光电探测组件中的光电探测单元之间。如图7所示，光电探测组件为线阵结构，激光发射器300夹设于上下(或左右)光电探测单元之间。如图8所示，光电探测组件为面阵结构，激光发射器300位于面阵结构中间且四周被光电探测单元包围。在一实施例中，如图9所示，激光测距器件包括N个激光发射器，N个激光发射器均分布于光电探测组件内，N≥1，具体可均匀分布于光电探测组件内。

在上述实施例中，通过将激光发射器300置于光电探测组件中，形成“收-发-收”的拼接形式，一方面，激光发射器300与光电探测单元10之间的间距较小，视差较小。另一方面，如图10所示，激光发射器300具有发光面300A，激光发射器300的发光面300A发射光线，在本实施例中，光电探测组件的第一侧面100A和嵌于光电探测组件内的激光发射器300的发光面300A朝向光电探测组件的同一侧，例如均朝向图示的X轴方向。激光发射器300朝目标物体发射光线，经目标物体反射回来的光线可以通过激光发射器300周围的多个光电探测单元进行探测，从而可以最大化地对光线进行探测。

这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例，这样可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造技术导致的形状偏差。例如，图中显示的结构实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件结构的实际形状，且并不限定本申请的范围。

上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种光电探测单元，其特征在于，包括：

基底；

光电探测结构，形成于所述基底内，用于接收光信号并转换为电信号；

后端电路，形成于所述基底内，用于对所述光电探测结构形成的电信号进行处理后通过数据端口输出，所述后端电路与所述光电探测结构沿X轴方向并排分布，所述X轴方向平行于基底顶面；

光学组件，沿Y轴方向叠设于所述基底上，所述光学组件具有朝向所述光电探测单元一侧的入光面，所述入光面接收自所述光电探测单元侧面入射的光线并调节所述光线的路径以使所述光线入射至所述光电探测结构上，所述Y轴方向垂直于基底顶面。

2.如权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述光学组件位于所述光电探测结构的上方。

3.如权利要求1所述的光电探测单元，其特征在于，所述光学组件包括反射结构，所述光学组件将入射至所述入光面上的光线反射至所述光电探测结构上。

4.如权利要求1至3任一项所述的光电探测单元，其特征在于，所述光电探测结构包括单个单光子探测器、单光子探测器阵列、硅光电倍增管以及硅光电倍增管阵列中的任意一种。

5.一种光电探测组件，其特征在于，包括多个如权利要求1至4任一项所述的光电探测单元，各所述光电探测单元具有朝X轴方向相对设置的第一侧面和第二侧面，其中，所述第一侧面位于所述光电探测结构背离所述后端电路的一侧，所述光电探测单元沿Y轴方向和/或Z轴方向排布，各所述光电探测单元的第一侧面位于所述光电探测组件的同一侧。

6.如权利要求5所述的光电探测组件，其特征在于，各所述光电探测单元的第一侧面相互对齐，各所述光电探测单元的第二侧面相互对齐。

7.如权利要求5所述的光电探测组件，其特征在于，各所述光电探测单元的第一侧面相互对齐，各所述光电探测单元的第二侧面形成台阶结构。

8.如权利要求5至7任一项所述的光电探测组件，其特征在于，所述数据端口自所述基底的顶面和/或底面引出，相邻所述光电探测单元的数据端口依次连接。

9.如权利要求5至7任一项所述的光电探测组件，其特征在于，所述数据端口自所述基底的第二侧面引出，各所述数据端口相互连接。

10.一种激光测距器件，其特征在于，还包括激光发射器和光电探测组件，其中，所述光电探测组件为权利要求5至9任一项所述的光电探测组件，所述激光发射器发射的光线经目标物体反射后朝向所述光电探测组件的侧面发射。

11.如权利要求10所述的激光测距器件，其特征在于，所述激光发射器夹设于光电探测单元之间。

12.如权利要求11所述的激光测距器件，其特征在于，所述激光测距器件包括N个所述激光发射器，N个所述激光发射器均匀分布于所述光电探测组件内，N≥1。

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