CN212136649U - 高抑制小型化平面低通滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种高抑制小型化平面低通滤波器，滤波器整体结构为平面微波结构，由输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构、介质基材和金属地构成。本实用新型通过采用谐振单元嵌套结构，提高滤波器的平面空间利用率。对比相同抑制效果的平面高低阻抗低通滤波器，本实用新型的滤波器面积缩小近30％。同时不同谐振单元引入不同的电感电容，有效抑制了滤波器谐波频点，拓宽了阻带宽度。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种高抑制小型化平面低通滤波器，涉及无线通信领域，具体涉及微波毫米波射频领域。
背景技术
滤波器作为通信系统中的选频器件，其作用是抑制无用的干扰，筛选有用的信号。随着频谱资源的紧张化，滤波器在通信系统中越来越重要。低通滤波器用于天馈、混频器等，对信道信号的质量至关重要。其中高抑制低通平面滤波器，可以兼容主流工艺灵活应用于通讯设备，同时对通信系统的干扰强有力的抑制。
平面低通滤波器一般使用高低阻抗线、发卡、梳状线等结构作为单个谐振单元，进行级联。这种利用谐振单元逐个级联的方式，弱化了平面空间的利用效率，滤波器面积较大。
实用新型内容
本实用新型的提供一种高抑制小型化平面低通滤波器。使用不同尺寸谐振单元嵌套，提高平面空间的利用率，有效减小滤波器的占用空间。
为了达到上述的目的，本实用新型提供一种高抑制小型化平面低通滤波器，包括：输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构、介质基材和金属地。其中，
所述输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构位于介质基板一侧，金属地位于介质基板另一侧；
所述谐振单元间耦合结构连接谐振单元；所述内嵌谐振单元嵌套在谐振单元中。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述滤波器整体结构为平面微波结构。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构为表面传输电路。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述输入输出耦合结构，连接首个或末个谐振单元，并对外提供输入输出端口。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述单个谐振单元为任意形状，通过电磁耦合在工作频点形成所需电磁谐振。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述输入输出端耦合结构连接外部器件以及滤波器用于测试或者组成电路链路。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述谐振单元和内嵌谐振单元，尺寸不一样，相互嵌套。
上述高抑制小型化平面低通滤波器，其中，所述印制采用PCB印刷工艺或者薄膜工艺或者半导体工艺。
与现有技术相比，本实用新型的技术有益效果是，
本实用新型采用谐振单元嵌套结构，提高滤波器的平面空间利用率。对比相同抑制效果的平面高低阻抗低通滤波器，本实用新型的滤波器面积缩小近 50％。同时不同谐振单元引入不同的电感电容，有效抑制了谐波频点，拓宽了阻带宽度。
附图说明
本实用新型的高抑制小型化平面低通滤波器由以下的实施例及附图给出。
图1小型化高抑制平面低通滤波器示例1示例图；
图2小型化高抑制平面低通滤波器示例1具体结构图；
图3小型化高抑制平面低通滤波器示例1结果。
其中，输入输出端耦合结构1、谐振单元2、内嵌谐振单元3、谐振单元间耦合结构4、介质基材5和金属地6。
具体实施方式
以下将结合图1～图3对本实用新型的高抑制小型化平面低通滤波器作进一步的详细描述。
本实用新型的射频前端具体实施方式如下：
1小型化高抑制平面低通滤波器，其特征在于：整体结构为平面微波结构。
2进一步的，滤波器由输入输出端耦合结构1、谐振单元2、内嵌谐振单元 3、谐振单元间耦合结构4、介质基材5和金属地6构成。
3进一步的，输入端耦合结构1、输出端耦合结构2、谐振单元3、内嵌谐振单元4、谐振单元间耦合结构5为表面传输电路。
4所述输入输出耦合结构1，连接首个(末个)谐振单元，并对外提供输入 /输出端口。
5进一步的，一个滤波器有两个输入输出耦合结构，且为互易关系。
6所述谐振单元2，单个谐振单元2可以为任意形状，通过电磁耦合在工作频点形成所需电磁谐振。
8进一步的，单个滤波器可以有若干个谐振单元2。
9进一步的，单个内嵌谐振单元3嵌套在单个谐振单元2中。
10进一步的，单个谐振单元2中并不一定需要嵌套内嵌谐振单元3。
11进一步的，谐振单元耦合结构5连接各个谐振单元。
本实用新型通过采用谐振单元嵌套结构，提高滤波器的平面空间利用率。对比相同抑制效果的平面高低阻抗低通滤波器，本实用新型的滤波器面积缩小近30％。同时不同谐振单元引入不同的电感电容，有效抑制了滤波器谐波频点，拓宽了阻带宽度。
Claims (7)
1.高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，包括：输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构、介质基材和金属地；
所述输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构位于介质基板一侧，金属地位于介质基板另一侧；
所述谐振单元间耦合结构连接谐振单元；所述内嵌谐振单元嵌套在谐振单元中。
2.如权利要求1所述的高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，所述滤波器整体结构为平面微波结构。
3.如权利要求1所述的高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，所述输入输出端耦合结构、谐振单元、内嵌谐振单元、谐振单元间耦合结构为表面传输电路。
4.如权利要求1所述的高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，所述输入输出端耦合结构，连接首个或末个谐振单元，并对外提供输入输出端口。
5.如权利要求1所述的高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，所述谐振单元为任意形状，通过电磁耦合在工作频点形成所需电磁谐振。
6.如权利要求1所述的高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，所述输入输出端耦合结构连接外部器件以及滤波器用于测试或者组成电路链路。
7.如权利要求1所述的高抑制小型化平面低通滤波器，其特征在于，所述谐振单元和内嵌谐振单元，尺寸不一样，相互嵌套。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202020240271.5U CN212136649U (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 高抑制小型化平面低通滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
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| CN202020240271.5U CN212136649U (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 高抑制小型化平面低通滤波器 |
Publications (1)
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| CN212136649U true CN212136649U (zh) | 2020-12-11 |
Family
ID=73677581
Family Applications (1)
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| CN202020240271.5U Active CN212136649U (zh) | 2020-03-03 | 2020-03-03 | 高抑制小型化平面低通滤波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN212136649U (zh) |
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2020
- 2020-03-03 CN CN202020240271.5U patent/CN212136649U/zh active Active
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