CN212111858U - 一种mzi光波分复用器芯片 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于光通信技术领域，尤其为一种MZI光波分复用器芯片，包括架体，衬底层的上端面设置有下包层，下包层的上端面设置有芯层，芯层的上端面设置有上包层，芯层的前端面设置有输入端，芯层的后端面设置有输出端，输出端的内侧面设置有光波导，光波导的一侧设置有横标记线，光波导的上端面设置有竖标记线，架体的下端面设置有磨砂层。本实用新型通过设置下包层，衬底层与上包层，减小了装置的体积，降低了装置生产的成本，节省了工厂的人力、物力与财力，避免工厂的生产工作受到影响，通过设置芯层与光波导，能提高插入时的损耗均匀性，同时增大产品的可靠性，为使用人员的使用提供便利。

Description

一种MZI光波分复用器芯片

技术领域

本实用新型涉及光通信技术领域，具体为一种MZI光波分复用器芯片。

背景技术

在五G网络的前传部分，光波分复用与解复用器是核心部件，而光波分复用与解复用器的核心部件是芯片，在目前五G网络中，使用传统的薄膜滤波片型波分复用器。

存在以下问题：

1、传统装置需要将自聚焦透镜、薄膜滤波片、准直器、套管等光学元件等元件组合在一起，导致装置体积大，同时也提高了制造成本，导致制造成本占到整个产品成本的百分之二十五以上，成本高给工厂的生产带来了影响。

2、传统装置采用串联的方式完成，第一个通道损耗小，最后一个通道损耗大，随着通道数的增加，差距更加明显，导致插入损耗均匀性差，同时独立的光学元件通过胶水粘接进行连接，导致产品的可靠性将低。

实用新型内容

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种MZI光波分复用器芯片，解决了传统装置体积大、制造的成本高且插入损耗均匀性差以及产品的可靠性差的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种MZI光波分复用器芯片，包括架体，所述架体的上端面设置有放置槽，所述放置槽的上端面设置有软垫，所述软垫的上端面设置有衬底层，所述衬底层的上端面设置有下包层，所述下包层的上端面设置有芯层，所述芯层的上端面设置有上包层，所述芯层的前端面设置有输入端，所述芯层的后端面设置有输出端，所述输出端的内侧面设置有光波导，所述光波导的一侧设置有横标记线，所述光波导的上端面设置有竖标记线，所述架体的下端面设置有磨砂层。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述放置槽固定连接于架体的上端面，所述软垫固定连接于放置槽的上端面。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述衬底层活动连接于软垫的上端面，所述下包层活动连接于衬底层的上端面。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述芯层活动连接于下包层的上端面，所述上包层固定连接于芯层的上端面。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述输入端固定连接于芯层的前端面，所述输出端固定连接于芯层的后端面。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述光波导固定连接于输出端的内侧面，所述横标记线固定连接于光波导的一侧。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述竖标记线固定连接于光波导的上端面，所述磨砂层固定连接于架体的下端面。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述下包层的材料为SiO₂，所述芯层的材料为SiO₂与GeO₂。

与现有技术相比，本实用新型提供了一种MZI光波分复用器芯片，具备以下有益效果：

1、该MZI光波分复用器芯片，通过设置下包层，衬底层与上包层，减小了装置的体积，降低了装置生产的成本，节省了工厂的人力、物力与财力,避免工厂的生产工作受到影响。

2、该MZI光波分复用器芯片，通过设置芯层与光波导，能提高插入时的损耗均匀性，同时增大产品的可靠性，为使用人员的使用提供便利。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型输出端的剖视图；

图3为本实用新型架体的结构图。

图中：1、架体；2、放置槽；3、软垫；4、衬底层；5、下包层；6、芯层；7、上包层；8、输入端；9、光波导；10、竖标记线；11、横标记线；12、磨砂层；13、输出端。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-3，本实用新型提供以下技术方案：一种MZI光波分复用器芯片，包括架体1，架体1的上端面设置有放置槽2，放置槽2的上端面设置有软垫3，软垫3的上端面设置有衬底层4，衬底层4的上端面设置有下包层5，下包层5的上端面设置有芯层6，芯层6的上端面设置有上包层7，芯层6的前端面设置有输入端8，芯层6的后端面设置有输出端13，输出端13的内侧面设置有光波导9，光波导9的一侧设置有横标记线11，光波导9的上端面设置有竖标记线10，架体1的下端面设置有磨砂层12。

本实施方案中，架体1避免在安装装置时衬底层4移动，衬底层4为装置的主体结构，为下包层5、芯层6与上包层7作支撑，芯层6与光波导9配合使用，能提高插入时的损耗均匀性，同时增大产品的可靠性，为工作人员的使用提供便利。

具体的，放置槽2固定连接于架体1的上端面，软垫3固定连接于放置槽2的上端面。

本实施例中，放置槽2为软垫3提供了支撑作用，软垫3避免衬底层4与放置槽2硬性接触。

具体的，衬底层4活动连接于软垫3的上端面，下包层5活动连接于衬底层4的上端面。

本实施例中，衬底层4用于固定下包层5的位置，下包层5对芯层6提供支撑作用。

具体的，芯层6活动连接于下包层5的上端面，上包层7固定连接于芯层6的上端面。

本实施例中，芯层6为输入端8与输出端13提供了安装位置，上包层7用于对芯层6提供保护作用。

具体的，输入端8固定连接于芯层6的前端面，输出端13固定连接于芯层6的后端面。

本实施例中，输入端8用于连接输入光纤，输出端13为输出光纤提供了连接位置。

具体的，光波导9固定连接于输出端13的内侧面，横标记线11固定连接于光波导9的一侧。

本实施例中，光波导9确保了光信号传输的质量，横标记线11为光波导9提供了横向的定位点。

具体的，竖标记线10固定连接于光波导9的上端面，磨砂层12固定连接于架体1的下端面。

本实施例中，竖标记线10为光波导9提供了竖向的定位点，磨砂层12增加架体1与接触面之间的摩擦力。

具体的，下包层5的材料为SiO₂，芯层6的材料为SiO₂与GeO₂。

本实施例中，SiO₂作为下包层5的材料提高了装置的光传播性，SiO₂与GeO₂作为下芯层6的材料提高了芯层的光传播性。

本实用新型的工作原理及使用流程：工作人员安装时，先将衬底层4放到架体1上，避免在安装装置时衬底层4移动，再将下包层5、芯层6与上包层7依次放置到衬底层4上，下包层5、上包层7与衬底层4，减小了装置的体积，降低了装置生产的成本，节省了工厂的人力、物力与财力，芯层6上的光波导9，减少输出光纤与芯片的耦合损耗，保证了光信号的传输质量，增大产品的可靠性，为使用人员的使用提供便利。

最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种MZI光波分复用器芯片，包括架体（1），其特征在于：所述架体（1）的上端面设置有放置槽（2），所述放置槽（2）的上端面设置有软垫（3），所述软垫（3）的上端面设置有衬底层（4），所述衬底层（4）的上端面设置有下包层（5），所述下包层（5）的上端面设置有芯层（6），所述芯层（6）的上端面设置有上包层（7），所述芯层（6）的前端面设置有输入端（8），所述芯层（6）的后端面设置有输出端（13），所述输出端（13）的内侧面设置有光波导（9），所述光波导（9）的一侧设置有横标记线（11），所述光波导（9）的上端面设置有竖标记线（10），所述架体（1）的下端面设置有磨砂层（12）。

2.根据权利要求1所述的一种MZI光波分复用器芯片，其特征在于：所述放置槽（2）固定连接于架体（1）的上端面，所述软垫（3）固定连接于放置槽（2）的上端面。

3.根据权利要求1所述的一种MZI光波分复用器芯片，其特征在于：所述衬底层（4）活动连接于软垫（3）的上端面，所述下包层（5）活动连接于衬底层（4）的上端面。

4.根据权利要求1所述的一种MZI光波分复用器芯片，其特征在于：所述芯层（6）活动连接于下包层（5）的上端面，所述上包层（7）固定连接于芯层（6）的上端面。

5.根据权利要求1所述的一种MZI光波分复用器芯片，其特征在于：所述输入端（8）固定连接于芯层（6）的前端面，所述输出端（13）固定连接于芯层（6）的后端面。

6.根据权利要求1所述的一种MZI光波分复用器芯片，其特征在于：所述光波导（9）固定连接于输出端（13）的内侧面，所述横标记线（11）固定连接于光波导（9）的一侧。

7.根据权利要求1所述的一种MZI光波分复用器芯片，其特征在于：所述竖标记线（10）固定连接于光波导（9）的上端面，所述磨砂层（12）固定连接于架体（1）的下端面。

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