CN212062292U - 一种真空灭弧室的屏蔽罩 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及一种真空灭弧室的屏蔽罩,涉及真空灭弧室配件的技术领域,屏蔽罩包括承载部和管状的屏蔽筒,承载部与屏蔽筒一体成型,在屏蔽筒背离承载部的端口朝向端口内周向设置有凸缘。本实用新型具有延长了屏蔽罩的使用寿命的优点。
Description
技术领域
本实用新型涉及真空灭弧室配件的技术领域,尤其是涉及一种真空灭弧室的屏蔽罩。
背景技术
真空灭弧室,又名真空开关管,是中高压电力开关的核心部件,其主要作用是,通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流,避免事故和意外的发生,主要应用于电力的输配电控制系统以及冶金、矿山、石油、化工等配电系统。
现有技术参考授权公告号为:CN202159627U的实用新型专利,开了一种高压真空灭弧室,包括绝缘外壳a、绝缘外壳b、绝缘外壳c;绝缘外壳b的外端面设置静盖板,绝缘外壳c与动盖板的连接处设置有动均压罩;绝缘外壳b与绝缘外壳c构成的外壳内中间位置设置有屏蔽筒;绝缘外壳a的两端还设置有静导电杆与动导电杆,静导电杆的端头设置有静触头,动导电杆的端头设置有动触头,动触头与动盖板之间还通过设置在动导电杆表面的波纹管连接;静导电杆上设置有静屏蔽罩,动导电杆上设置有动屏蔽罩;动盖板的开口处设置有导向套。该使用新型具延长使用寿命的优点。
上述中的现有技术方案存在以下缺陷:静盖板和静均压罩之间采用后期连接合成一体的方式连接,由于人工操作的原因,使得静盖板中部的孔与均压罩同心度不高,当后期组装在真空灭弧室内使用时,动触头与均压罩存在偏心,导致动触头和均压罩内壁形成的电场不均匀,动触头和均压罩之间始终朝向一个方向放电产生电弧,使得均压罩的使用寿命缩短。
实用新型内容
针对现有技术存在的不足,本实用新型的目的是提供一种真空灭弧室的屏蔽罩,安装孔和环形槽两者与屏蔽罩同心度更高,减少了后期动触头与屏蔽筒偏心二产生的局部放电可能性,具有延长了屏蔽罩的使用寿命的优点。
本实用新型的上述目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种真空灭弧室的屏蔽罩,屏蔽罩包括承载部和管状的屏蔽筒,承载部与屏蔽筒一体成型,在屏蔽筒背离承载部的端口朝向端口内周向设置有凸缘。
通过采用上述技术方案,承载部与屏蔽筒一体连接,减少了真空灭弧室的真空室漏气的可能,同时具有安装孔和环形槽两者与屏蔽罩同心度高的优点,安装动触头和静触头后,动触头和屏蔽筒之间的电场更加均匀,减少局部集中放电的可能性,延长了屏蔽罩的使用寿命。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述凸缘远离屏蔽筒一侧沿周向设置有屏蔽环。
通过采用上述技术方案,屏蔽环使得原本积聚在凸缘边缘处的电荷均匀分布在屏蔽环的主平面,减少凸缘边缘处放电的可能。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述承载部为一块平板,承载部靠近凸缘一侧的主平面中部开有环形槽。
通过采用上述技术方案,环形槽方便用于定位安装静触头,使得静触头与该屏蔽罩的同心度更高。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述承载部背离凸缘的一侧的主平面中部开设有安装孔。
通过采用上述技术方案,安装孔方便用于定位安装该屏蔽罩,使得屏蔽罩与后期安装的动触头的同心度更高。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述环形槽的槽底面粗糙度小于或等于Ra1.6。
通过采用上述技术方案,当环形槽内安装有静触头且处于通电状态时,较低的粗糙度使得静触头与环形槽的槽底面之间的缝隙更小,减小电弧产生的可能。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述承载部、屏蔽筒和凸缘以及屏蔽环连接过渡的地方均倒成圆角。
通过采用上述技术方案,将连接处倒成锐角,可以减少积聚的电荷,进一步减小连接处形成电弧的可能。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述凸缘远离屏蔽筒一侧沿周向设置有朝向屏蔽筒内壁的卷边。
通过采用上述技术方案,卷边可以将凸缘上的电场进一步屏蔽,进一步减少动触头和屏蔽筒产生二次放电的可能。
本实用新型在一较佳示例中可以进一步配置为:所述屏蔽罩内壁镀有三氧化二铝或者氧化锆材料的镀层。
通过采用上述技术方案,屏蔽罩的屏蔽筒在接触带电弧时,利用三氧化二铝或者氧化锆材料的耐高温性质,镀层使得屏蔽筒的受热能力更佳,使屏蔽罩的使用寿命更长。
综上所述,本实用新型包括以下至少一种有益技术效果:
1.屏蔽筒和承载部一体成型,使得安装孔和环形槽两者与屏蔽罩同心度更高,减少了应后期安装的动触头和屏蔽筒偏心而产生局部放电的可能,延长了屏蔽罩的使用寿命;
2.屏蔽筒和承载部一体成型,减少了屏蔽罩漏气的可能。
附图说明
图1是本实用新型实施例一的整体结构示意图;
图2是图1中A-A向剖视图;
图3是图2中B部分的放大示意图;
图4是本实用新型实施例一的使用状态示意图;
图5是本实用新型实施例二的整体结构示意图;
图6是图5中C部分的放大示意图。
附图标记:1、屏蔽罩;11、承载部;111、环形槽;112、安装孔;12、屏蔽筒; 13、凸缘;14、屏蔽环;15、镀层;16、卷边;2、静触头;3、动触头;4、绝缘筒。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
实施例一:参照图1,一种真空灭弧室的屏蔽罩,屏蔽罩1包括一体成型的承载部11和屏蔽筒12。
参照图2和图3,承载部11可以为一个圆形平板,承载部11其中一主平面作为基准面,在基准面中部开有一和安装孔112,安装孔112可以为一个圆形成孔,安装孔112可以方便后期安装定位该屏蔽罩1;在承载部11背离基准面的侧面中部开有一道圆环形的环形槽111,环形槽111可以方便定位安装静触头2;为减小静触头2与环形槽111的槽底之间产生电弧的可能,要求环形槽111的槽底面的粗糙度小于或等于Ra1.6;环形槽111可以采用挤压成型或者精铣的加工方式制作。
参照图2和图4,承载部11开有环形槽111的主平面边缘处延伸有屏蔽筒12,屏蔽筒12为一个内部中空的管状构件;屏蔽筒12的开口处朝向开口内延伸有圆环形状的凸缘13,凸缘13和屏蔽筒12以及承载部11形成一个半封闭的空腔;一体成型的结构使得真空灭弧室的真空室减少漏气的现象,同时保证了安装孔112与环形槽111的同心度。
由于静触头2正常工作时处于带电状态,屏蔽罩1的各部分的形状不同,其之间形成电场也不同,为使减少凸缘13边缘放电的可能,在凸缘13靠近其中轴线的侧面向外周向延伸有圆筒状的屏蔽环14。
凸缘13背离承载部11的一侧面作为安装面,在后期使用绝缘筒4进行密封时,为使其密封效果更好,安装面和基准面的平面度不低于GB1184-80中的9级公差,如直径为35.5mm时,平面度公差值为0.025mm;安装面和基准面可以采用精车的加工方式制作。
承载部11、屏蔽筒12和凸缘13以及屏蔽环14连接过渡的地方均倒成圆角,圆角使得电荷不会积聚在一个角上,使电离飞出形成电弧的可能减小。
该屏蔽罩1可以使用无氧铜材料制作,铜材具有良好的延展性,当需要挤压成型时更容易加工,且铜的导热性能较好,可以使真空灭弧室产生的热量散发,降低真空灭弧室的温度。
为使后期安装的绝缘筒4与屏蔽罩1处于同轴线,安装面和基准面之间的平行度不低于GB1184-80中的8级公差,如直径为35.5mm时,平行度公差值为0.040mm。由于静触头2同轴线固定于环形槽111内,当安装好静触头2和同轴线设置的动触头3后需要保持两者的抵接面平行,环形槽111的槽底面与基准面的平行度不低于GB1184-80中的8级公差,如直径为35.5mm时,平行度公差值为0.040mm。
本实用新型的工作原理如下:
参照图4,由于承载部11与屏蔽筒12一体成型,减少了因承载部11和屏蔽筒12连接部连接不紧密而出现漏气的可能,使得安装孔112和环形槽111两者与屏蔽罩1同心度更高;安装面与基准面平行可以使得后期安装的绝缘筒4和屏蔽罩1同轴线,且密闭连接,环形槽111的槽底面与基准面平行,可以使得静触头2与基准面平行,进而使得后期与屏蔽罩1同轴线安装的动触头3与静触头2两个零件的抵接面平行;使接触面之间的面积尽量处于全贴合状态,两个触头之间没有缝隙就不会形成电场,减少在使用过程中动触头3和静触头2之间形成电场使电子飞出形成电弧的可能;当动触头3与静触头2分离断开电路的瞬间,两触头之间形成强大的电场使得电子飞出,屏蔽罩1的容纳腔侧壁将飞出的电子吸附一部分,使得电弧出现的可能性减小。
实施例二:参照图5和图6,一种真空灭弧室的屏蔽罩,与实施例一相比不同之处在于:在屏蔽罩1的内壁处镀有耐高温且传热能力好的镀层15,镀层15可以采用三氧化二铝或者氧化锆等材料;将实施例一中的圆筒状屏蔽环14替换为朝向屏蔽筒12底部的卷边16,卷边与屏蔽筒12之间采用焊接的方式固定,卷边16的一侧设有水平的台阶环,在凸缘13远离承载部11的一侧开有阶梯环,阶梯环与台阶环相适配进行定位。
与实施例一相比优点在于:由于动触头3和静触头2分离的瞬间产生的电弧可以导致高温,镀层15使得屏蔽筒12的内部受热能力更好,当接触电弧时,屏蔽筒12内壁不易发生局部融化,导致屏蔽筒12的内壁不光滑使得电场不均匀,同时增加屏蔽罩1的使用寿命;卷边16使得屏蔽筒凸缘13处的电荷均匀分布,减少动触头3和静触头2分离时二次放电的可能。
本具体实施方式的实施例均为本实用新型的较佳实施例,并非依此限制本实用新型的保护范围,故:凡依本实用新型的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本实用新型的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:屏蔽罩(1)包括承载部(11)和管状的屏蔽筒(12),承载部(11)与屏蔽筒(12)一体成型,在屏蔽筒(12)背离承载部(11)的端口朝向端口内周向设置有凸缘(13)。
2.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述凸缘(13)远离屏蔽筒(12)一侧沿周向设置有屏蔽环(14)。
3.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述承载部(11)为一块平板,承载部(11)靠近凸缘(13)一侧的主平面中部开有环形槽(111)。
4.根据权利要求3所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述承载部(11)背离凸缘(13)的一侧的主平面中部开设有安装孔(112)。
5.根据权利要求3所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述环形槽(111)的槽底面粗糙度小于或等于Ra1.6。
6.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述承载部(11)、屏蔽筒(12)和凸缘(13)以及屏蔽环(14)连接过渡的地方均倒成圆角。
7.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述凸缘(13)远离屏蔽筒(12)一侧沿周向设置有朝向屏蔽筒(12)内壁的卷边(16)。
8.根据权利要求1所述的一种真空灭弧室的屏蔽罩,其特征在于:所述屏蔽罩(1)内壁镀有三氧化二铝或者氧化锆材料的镀层(15)。
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- 2020-05-20 CN CN202020856410.7U patent/CN212062292U/zh active Active
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