CN211907686U - Nfc天线结构及电子设备 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种NFC天线结构及电子设备，所述NFC天线结构包括复合高分子聚合物薄膜以及设置于所述复合高分子聚合物薄膜上的天线与金手指；所述天线与所述金手指电连接且所述天线与所述金手指设置于所述复合高分子聚合物薄膜的同一侧表面。本实用新型提供的NFC天线结构及电子设备，厚度超薄且性能稳定。

Description

NFC天线结构及电子设备

【技术领域】

本实用新型涉及天线技术领域，尤其涉及一种NFC天线结构及电子设备。

【背景技术】

由NFC(NearField Communication)又称近距离无线通信，是一种短距离的高频无线通信技术。由于该天线识别距离短，能耗低，安全性高等诸多特点，已成为越来越多的通信厂商研发和生产的对象。

传统的NFC天线需要在手机上占据较大的空间，大部分手机都使用铁氧体 +FPC形式构成NFC天线，天线面积大于10cm²，厚度大于0.3mm，天线一般放置在主板上方的电池盖上，同时要求主板和盖子之间要留足0.4mm的装贴高度。由此产生的问题是，对于市场追求超薄机型或空间有限的机型，整机高度越来越薄的情况下无法保证主板(或电池)与盖子之间能够留出足够大的空间来装贴天线。

鉴于此，实有必要提供一种新的NFC天线结构及电子设备以克服上述缺陷。

【实用新型内容】

本实用新型的目的是提供一种厚度超薄且性能稳定的NFC天线结构及电子设备。

为了实现上述目的，本实用新型提供一种NFC天线结构，包括复合高分子聚合物薄膜以及设置于所述复合高分子聚合物薄膜上的天线与金手指；所述天线与所述金手指电连接且所述天线与所述金手指设置于所述复合高分子聚合物薄膜的同一侧表面。

在一个优选实施方式中，所述复合高分子聚合物薄膜由高分子有机化合物经高分子合成工艺加工制成内含金属高分子的成分复合聚合物，并经拉膜工艺后生成。

在一个优选实施方式中，所述复合高分子聚合物薄膜表面是通过激光镭雕形成高附着力的微观粗糙表面，微观粗糙表面经化学镀后生成所述天线与所述金手指。

在一个优选实施方式中，所述复合高分子聚合物薄膜的微观粗糙表面采用的化学镀的镀液中的金属离子为铜离子和镍离子，镀液中的铜离子和镍离子经还原后变成铜与镍。。

在一个优选实施方式中，所述天线呈环形并设置于所述复合高分子聚合物薄膜的边缘，所述金手指位于所述复合高分子聚合物薄膜的一侧边缘。

在一个优选实施方式中，所述复合高分子聚合物薄膜的厚度在 0.035-0.05mm范围内。

在一个优选实施方式中，所述NFC天线结构的厚度在0.05-0.1mm范围内。

本实用新型还提供一种电子设备，包括NFC天线结构、主板、前壳与后盖，所述前壳与所述后盖抵接用于收容所述NFC天线结构与主板，所述主板与所述前壳固定连接；所述NFC天线结构中背离所述金手指的一侧表面，抵接于所述后盖朝向所述主板的表面；所述主板朝向所述后盖的表面，设置有对应于所述金手指的天线弹片；所述天线弹片抵接于对应的金手指实现所述主板与所述NFC天线结构的电连接。

在一个优选实施方式中，所述后盖上凸起形成凸块；所述复合高分子聚合物薄膜上开设有对应于所述凸块的通孔，且所述通孔在所述天线的环形范围内；所述复合高分子聚合物薄膜通过所述通孔套于所述凸块上且与所述后盖固定连接。

在一个优选实施方式中，所述后盖上还凸起形成至少两个定位柱，所述复合高分子聚合物薄膜上开设有对应于所述定位柱的定位孔，所述定位孔套于对应的定位柱上。

本实用新型提供的NFC天线结构，通过在复合高分子聚合物薄膜上激光镭雕化学镀生成天线与金手指，使得NFC天线结构的厚度相对现有的NFC天线结构厚度超薄且性能稳定。本实用新型提供的NFC天线结构，厚度超薄且性能稳定。

【附图说明】

图1为本实用新型提供的NFC天线结构的结构图。

图2为本实用新型提供的电子设备的分解图。

图3为电子设备中NFC天线结构与后盖配合的结构图。

【具体实施方式】

为了使本实用新型的目的、技术方案和有益技术效果更加清晰明白，以下结合附图和具体实施方式，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解的是，本说明书中描述的具体实施方式仅仅是为了解释本实用新型，并不是为了限定本实用新型。

请参照图1，本实用新型提供一种NFC天线结构100，包括复合高分子聚合物薄膜10以及设置于复合高分子聚合物薄膜10上的天线20与金手指30。天线20与金手指30电连接且天线20与金手指30设置于复合高分子聚合物薄膜 10的同一侧表面。

本实施方式中，复合高分子聚合物薄膜10的厚度在0.035-0.05mm范围内。具体的，所述复合高分子聚合物薄膜10上可进行LDS(Laser Direct Structuring，激光直接成型)工艺进而实现电路设计功能。对比传统的LDS工艺，不需要开模注塑结构件，天线设计空间大；并且复合高分子聚合物薄膜10属于超薄膜，最薄能达到0.035mm。此外，复合高分子聚合物薄膜10同样为耐高温柔性材料，可耐 500℃的高温，可180°弯折，折弯次数可达50万次，使得复合高分子聚合物薄膜10的性能极为可靠。

进一步的，复合高分子聚合物薄膜10由高分子有机化合物经高分子合成工艺加工制成内含金属高分子成分的复合聚合物，并经拉膜工艺后生成。本实施方式中，高分子有机化合物经高分子合成工艺加工制成内含金属的高分子成分复合聚合物，即高分子有机化合物通过聚合反应使得复合聚合物可以通过激光照射后释放出金属粒子。也即复合高分子聚合物薄膜10可以通过激光照射后释放出金属粒子，使得复合高分子聚合物薄膜10满足激光镭雕条件。

更进一步的，复合高分子聚合物薄膜10的表面是通过激光镭雕形成高附着力的微观粗糙表面，微观粗糙表面经化学镀后生成天线20与金手指30。具体的，复合高分子聚合物薄膜10按照激光镭雕路径形成规则的高附着力的微观粗糙表面，通过化学镀技术使得镀液中的金属离子还原成金属并能够按照激光镭雕的路径沉积于复合高分子聚合物薄膜10上，进而形成天线20与金手指30。

本实施方式中，复合高分子聚合物薄膜10的微观粗糙表面采用的化学镀的镀液中的金属离子为铜离子和镍离子。镀液中的铜离子和镍离子经还原后变成铜与镍。其中铜用于提高天线20与金手指30的导电性，镍用于提高天线20与金手指30的提高抗蚀性和耐磨性，增加光泽和美观。

本实施例中，天线20呈环形并设置于复合高分子聚合物薄膜10的边缘，金手指30位于复合高分子聚合物薄膜10的一侧边缘，方便与其他结构配合。

本实施例中，NFC天线结构100的厚度在0.05-0.1mm范围内，且NFC天线结构100的厚薄均匀，性能稳定，一致性较好，精度高。

本实用新型提供的NFC天线结构100，通过在复合高分子聚合物薄膜10上进行激光镭雕化学镀生成天线20与金手指30，使得NFC天线结构100的厚度更薄。本实用新型提供的NFC天线结构100，厚度超薄且性能稳定。

请参照图2及图3，本实用新型还提供一种电子设备200，包括NFC天线结构100、主板201、前壳202与后盖203。其中前壳202与后盖203抵接用于收容NFC天线结构100与主板201，主板201与前壳202固定连接。NFC天线结构100中背离金手指30的一侧表面，抵接于后盖203朝向主板201的表面。主板201中朝向后盖203的表面，设置有对应于金手指30的天线弹片2011。天线弹片2011抵接于对应的金手指30，以此实现主板201与NFC天线结构100 的电连接。由于NFC天线结构100的厚度超薄，极大的节约天线结构的占用空间，进而方便电子设备200的厚度做的更薄。

本实施例中，后盖203上凸起形成凸块2031。复合高分子聚合物薄膜10上开设有对应于凸块2031的通孔101，且通孔101在天线20的环形范围内。复合高分子聚合物薄膜10通过通孔101套于凸块2031上且与后盖203固定连接。由于复合高分子聚合物薄膜10的厚度超薄，所以便于加工各种形状、通孔以适应不同的结构。

此外，后盖203上还凸起形成至少两个定位柱2032，复合高分子聚合物薄膜10上开设有对应于定位柱2032的定位孔102，定位孔102套于对应的定位柱 2032上。定位柱2032的设置，便于复合高分子聚合物薄膜10快速精确的与后盖203定位，节约了定位时间，提高了工作效率。

本实用新型并不仅仅限于说明书和实施方式中所描述，因此对于熟悉领域的人员而言可容易地实现另外的优点和修改，故在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念的精神和范围的情况下，本实用新型并不限于特定的细节、代表性的设备和这里示出与描述的图示示例。

Claims (10)

1.一种NFC天线结构，其特征在于：包括复合高分子聚合物薄膜以及设置于所述复合高分子聚合物薄膜上的天线与金手指；所述天线与所述金手指电连接且所述天线与所述金手指设置于所述复合高分子聚合物薄膜的同一侧表面。

2.如权利要求1所述的NFC天线结构，其特征在于：所述复合高分子聚合物薄膜由高分子有机化合物经高分子合成工艺加工制成内含金属高分子的成分复合聚合物，并经拉膜工艺后生成。

3.如权利要求2所述的NFC天线结构，其特征在于：所述复合高分子聚合物薄膜表面是通过激光镭雕形成高附着力的微观粗糙表面，微观粗糙表面经化学镀后生成所述天线与所述金手指。

4.如权利要求3所述的NFC天线结构，其特征在于：所述化学镀的镀液中的金属离子为铜离子和镍离子，镀液中的铜离子和镍离子经还原后变成铜与镍。

5.如权利要求1所述的NFC天线结构，其特征在于：所述天线呈环形并设置于所述复合高分子聚合物薄膜的边缘，所述金手指位于所述复合高分子聚合物薄膜的一侧边缘。

6.如权利要求1所述的NFC天线结构，其特征在于：所述复合高分子聚合物薄膜的厚度在0.035-0.05mm范围内。

7.如权利要求6所述的NFC天线结构，其特征在于：所述NFC天线结构的厚度在0.05-0.1mm范围内。

8.一种电子设备，其特征在于：包括任一项所述权利要求1-7所述的NFC天线结构、主板、前壳与后盖，所述前壳与所述后盖抵接用于收容所述NFC天线结构与主板，所述主板与所述前壳固定连接；所述NFC天线结构中背离所述金手指的一侧表面，抵接于所述后盖朝向所述主板的表面；所述主板中朝向所述后盖的表面，设置有对应于所述金手指的天线弹片；所述天线弹片抵接于对应的金手指实现所述主板与所述NFC天线结构的电连接。

9.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于：所述后盖上凸起形成凸块；所述复合高分子聚合物薄膜上开设有对应于所述凸块的通孔，且所述通孔在所述天线的环形范围内；所述复合高分子聚合物薄膜通过所述通孔套于所述凸块上且与所述后盖固定连接。

10.如权利要求8所述的电子设备，其特征在于：所述后盖上还凸起形成至少两个定位柱，所述复合高分子聚合物薄膜上开设有对应于所述定位柱的定位孔，所述定位孔套于对应的定位柱上。

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