CN211860633U - 一种半导体静电消除装置 - Google Patents

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张鹏
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Abstract

本实用新型公开了一种半导体静电消除装置,包括出气口滤网、风扇、主体、进气口滤网、离子发射针、固定条和离子发生器,所述出气口滤网位于整个装置的一端,所述进气口滤网位于整个装置的另一端,所述出气口滤网与所述进气口滤网之间设有所述主体,所述主体的内部设有所述离子发生器,所述主体的一端设有所述风扇,所述主体的另一端设有所述离子发射针,所述离子发射针和所述风扇之间设有所述固定条。本实用新型中,出气口滤网和进气口滤网设计有网格状过滤层可以有效的过滤空气中的灰尘,设计有吸水层减少水汽对装置的腐蚀,出气口滤网和进气口滤网与主体螺纹连接方便拆卸,离子发射针和离子发生器可以产生离子与半导体中的离子中和消除静电。

Description

一种半导体静电消除装置
技术领域
本实用新型涉及除静电领域,具体来说,涉及一种半导体静电消除装置。
背景技术
由于辐射、摩擦或是传导,使得物体带有不同的静电,这种静电对物体本身具有一定的副作用,为了解决这类问题,使用离子消除静电的技术得到了广泛的应用。
静电消除装置在发射出离子时会与空气中的其他离子结合从而产生灰尘,而现有的静电消除装置整体难以拆分存在难以清洁的问题,若长时间不清理了则会对装置产生损害。
针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种半导体静电消除装置,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体静电消除装置,包括出气口滤网、风扇、主体、进气口滤网、离子发射针、固定条和离子发生器,所述出气口滤网位于整个装置的一端,所述进气口滤网位于整个装置的另一端,所述出气口滤网与所述进气口滤网之间设有所述主体,所述主体的内部设有所述离子发生器,所述主体的一端设有所述风扇,所述主体的另一端设有所述离子发射针,所述离子发射针和所述风扇之间设有所述固定条,所述固定条与所述主体固定连接。
进一步的,所述出气口滤网和所述进气口滤网的结构相同,所述出气口滤网靠近所述风扇的一端设有网格状过滤层,所述出气口滤网远离所述风扇的一端设有吸水层,所述网格状过滤层与所述吸水层固定连接,所述出气口滤网的内壁设有螺纹,所述出气口滤网和所述进气口滤网均与所述主体螺纹连接。
进一步的,所述风扇包括扇叶和转轴,所述扇叶与所述转轴固定连接,所述风扇与所述固定条固定连接。
进一步的,所述主体的两侧均设有螺纹连接块,所述螺纹连接块与所述主体固定连接,所述主体的四角均设有固定孔,所述固定孔的内壁设有螺纹。
进一步的,所述离子发射针位于所述主体的内壁,所述离子发射针与所述主体固定连接。
进一步的,所述离子发生器位于所述主体的内部,所述离子发生器与所述主体的外壳固定连接,所述离子发生器与所述离子发射针固定连接。
进一步的,所述固定条与所述主体的内壁固定连接,所述固定条的中心位置远离所述风扇的一侧设有电机盒,所述电机盒与所述固定条固定连接,所述电机盒的输出端与所述风扇的转轴固定连接。
与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
1.本实用新型中,出气口滤网和进气口滤网设计有网格状过滤层可以有效的过滤空气中的灰尘,设计有吸水层减少水汽对装置的腐蚀。
2.本实用新型中,出气口滤网和进气口滤网与主体螺纹连接方便拆卸,同时主体内部结构简单便于清洁。
3.本实用新型中,离子发射针和离子发生器可以产生离子与半导体中的离子中和消除静电。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据本实用新型实施例整体的结构示意图;
图2是根据本实用新型实施例风扇的结构示意图;
图3是根据本实用新型实施例主体的结构示意图;
图4是根据本实用新型实施例主体的正视图;
图5是根据本实用新型实施例出气口的剖视图。
附图标记:
1、出气口滤网;2、风扇;3、主体;4、进气口滤网;5、离子发射针;6、固定条;7、离子发生器;101、网格状过滤层;102、吸水层;201、扇叶;202、转轴;301、固定孔;302、螺纹连接块;601、电机盒。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
在本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“顶部”、“底部”、“一侧”、“另一侧”、“前面”、“后面”、“中间部位”、“内部”、“顶端”、“底端”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制;术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性;此外,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
请参阅图1-5,根据本实用新型实施例的一种半导体静电消除装置,包括出气口滤网1、风扇2、主体3、进气口滤网4、离子发射针5、固定条6 和离子发生器7,所述出气口滤网1位于整个装置的一端,所述进气口滤网4位于整个装置的另一端,所述出气口滤网1与所述进气口滤网4之间设有所述主体3,所述主体3的内部设有所述离子发生器7,所述主体3的一端设有所述风扇2,所述主体3的另一端设有所述离子发射针5,所述离子发射针5和所述风扇2之间设有所述固定条6,所述固定条6与所述主体3固定连接。
其中,所述出气口滤网1和所述进气口滤网4的结构相同,所述出气口滤网1靠近所述风扇2的一端设有网格状过滤层101,所述出气口滤网1 远离所述风扇2的一端设有吸水层102,所述网格状过滤层101与所述吸水层102固定连接,所述出气口滤网1的内壁设有螺纹,所述出气口滤网 1和所述进气口滤网4均与所述主体3螺纹连接。
其中,所述风扇2包括扇叶201和转轴202,所述扇叶201与所述转轴202固定连接,所述风扇2与所述固定条6固定连接。
其中,所述主体3的两侧均设有螺纹连接块302,所述螺纹连接块302 与所述主体3固定连接,所述主体3的四角均设有固定孔301,所述固定孔301的内壁设有螺纹。
其中,所述离子发射针5位于所述主体3的内壁,所述离子发射针5 与所述主体3固定连接。
其中,所述离子发生器7位于所述主体3的内部,所述离子发生器7 与所述主体3的外壳固定连接,所述离子发生器7与所述离子发射针5固定连接。
其中,所述固定条6与所述主体3的内壁固定连接,所述固定条6的中心位置远离所述风扇2的一侧设有电机盒601,所述电机盒601与所述固定条6固定连接,所述电机盒601的输出端与所述风扇2的转轴202固定连接。
工作原理
在具体应用时,对该装置通电,离子发生器7产生离子,随后离子发射针 5将离子发射出去,电机盒601带动风扇2转动,通过空气流动带动离子流动,通过不同离子结合的特性对半导体元器件消除静电,当装置内部产生灰尘时,将出气口滤网1和进气口滤网4拧下对装置内部进行清理。
此外,出气口滤网1和进气口滤网设4计有网格状过滤层101可以有效的过滤空气中的灰尘,设计有吸水层102减少水汽对装置的腐蚀,出气口滤网1和进气口滤网4与主体3螺纹连接方便拆卸,同时主体3内部结构简单便于清洁,离子发射针5和离子发生器7可以产生离子与半导体中的离子中和消除静电。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限定本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种半导体静电消除装置,其特征在于,包括出气口滤网(1)、风扇(2)、主体(3)、进气口滤网(4)、离子发射针(5)、固定条(6)和离子发生器(7),所述出气口滤网(1)位于整个装置的一端,所述进气口滤网(4)位于整个装置的另一端,所述出气口滤网(1)与所述进气口滤网(4)之间设有所述主体(3),所述主体(3)的内部设有所述离子发生器(7),所述主体(3)的一端设有所述风扇(2),所述主体(3)的另一端设有所述离子发射针(5),所述离子发射针(5)和所述风扇(2)之间设有所述固定条(6),所述固定条(6)与所述主体(3)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种半导体静电消除装置,其特征在于,所述出气口滤网(1)和所述进气口滤网(4)的结构相同,所述出气口滤网(1)靠近所述风扇(2)的一端设有网格状过滤层(101),所述出气口滤网(1)远离所述风扇(2)的一端设有吸水层(102),所述网格状过滤层(101)与所述吸水层(102)固定连接,所述出气口滤网(1)的内壁设有螺纹,所述出气口滤网(1)和所述进气口滤网(4)均与所述主体(3)螺纹连接。
3.根据权利要求1所述的一种半导体静电消除装置,其特征在于,所述风扇(2)包括扇叶(201)和转轴(202),所述扇叶(201)与所述转轴(202)固定连接,所述风扇(2)与所述固定条(6)固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种半导体静电消除装置,其特征在于,所述主体(3)的两侧均设有螺纹连接块(302),所述螺纹连接块(302)与所述主体(3)固定连接,所述主体(3)的四角均设有固定孔(301),所述固定孔(301)的内壁设有螺纹。
5.根据权利要求1所述的一种半导体静电消除装置,其特征在于,所述离子发射针(5)位于所述主体(3)的内壁,所述离子发射针(5)与所述主体(3)固定连接。
6.根据权利要求1所述的一种半导体静电消除装置,其特征在于,所述离子发生器(7)位于所述主体(3)的内部,所述离子发生器(7)与所述主体(3)的外壳固定连接,所述离子发生器(7)与所述离子发射针(5)固定连接。
7.根据权利要求1所述的一种半导体静电消除装置,其特征在于,所述固定条(6)与所述主体(3)的内壁固定连接,所述固定条(6)的中心位置远离所述风扇(2)的一侧设有电机盒(601),所述电机盒(601)与所述固定条(6)固定连接,所述电机盒(601)的输出端与所述风扇(2)的转轴(202)固定连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112533345A (zh) * 2020-11-18 2021-03-19 深圳市中明科技股份有限公司 一种二极管芯片的去静电装置
CN112533345B (zh) * 2020-11-18 2024-05-31 深圳市中明科技股份有限公司 一种二极管芯片的去静电装置

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