CN211829149U - 介质滤波器 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种介质滤波器,包括至少两个三模介质谐振器;至少一个连接块,所述连接块位于相邻两个三模介质谐振器相连接的位置,所述连接块与通过其连接的两个三模介质谐振器一体化压制成型,所述连接块用于实现所述两个三模介质谐振器之间的能量耦合;以及,覆盖所述三模介质谐振器表面、所述连接块表面的金属化导电层。本实用新型的介质滤波器,采用与三模介质谐振器一体化压制成型的连接块实现连接块两侧三模介质谐振器之间的能量耦合,简化了实现实心介质滤波器腔间耦合的结构的制造工艺。
Description
技术领域
本实用新型涉及通信器件技术领域,具体涉及一种介质滤波器。
背景技术
为了缩小滤波器体积和提升滤波器性能,介质滤波器越来越多的应用到现有基站滤波器。其中,多模介质滤波器由于可以在一个介质块中实现多个独立谐振频率,具有更大的体积和性能优势。但,现有三模介质滤波器的腔间耦合大多采用两个介质块拼接处的非金属化窗口实现,比如,采用焊接工艺固定两个三模介质谐振器,通过两个三模介质谐振器相接触表面的非金属化窗口实现两个三模介质谐振器之间腔间耦合。由于拼接工艺的复杂性,导致窗口的拼接公差难以控制,且三模介质谐振器拼接成滤波器后难以对耦合窗口进行调试,更加大了工艺难度。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种介质滤波器,简化了实现实心介质滤波器腔间耦合结构的制造工艺。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种介质滤波器,包括至少两个三模介质谐振器,其还包括,
至少一个连接块,所述连接块位于相邻两个三模介质谐振器相连接的位置,所述连接块与通过其连接的两个三模介质谐振器一体化压制成型,所述连接块用于实现所述两个三模介质谐振器之间的能量耦合;
以及,覆盖所述三模介质谐振器表面、所述连接块表面的金属化导电层。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块的底面与所述两个三模介质谐振器的底面共面设置。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块位于所述三模介质谐振器的中间部位连接所述两个三模介质谐振器。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块为立方体状结构。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块的横向宽度与所述两个三模介质谐振器之间能量耦合的交叉耦合量有关。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块的纵向长度与所述两个三模介质谐振器之间各谐振模式的能量耦合量有关。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块通过压制成型工艺加工其横向宽度和纵向长度;或者,所述连接块压制成型后通过磨削工艺加工其横向宽度和纵向长度。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块相接于所述三模介质谐振器的部位设有倒角;或者,所述三模介质谐振器相接于所述连接块的部位设有倒角。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块的部分表面未被导电层覆盖。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块表面未被导电层覆盖的面积与所述连接块所处位置相接的两个三模介质谐振器的之间能量耦合的交叉耦合量相关。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述连接块、三模介质谐振器由固态介电材料一体化压制成型。
本实用新型的有益效果:
本实用新型的介质滤波器,采用与三模介质谐振器一体化压制成型的连接块实现连接块两侧三模介质谐振器之间的能量耦合,简化了实现实心介质滤波器腔间耦合的结构的制造工艺。
附图说明
图1是本实用新型第一实施例中介质滤波器的结构示意图;
图2是图1所示介质滤波器的主视结构示意图
图3是本实用新型第二实施例中介质滤波器的结构示意图;
图4是本实用新型第三实施例中介质滤波器的结构示意图;
图5是包括两个三模介质谐振器和一个连接块构成的介质滤波器的频率响应曲线示意图。
图中标号说明:
2-介质块,4-连接块,6-金属化导电层,8a、8b-三模介质谐振器,10-棱边切角,12-未覆盖导电层部位。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步说明,以使本领域的技术人员可以更好地理解本实用新型并能予以实施,但所举实施例不作为对本实用新型的限定。
实施例
本实施例公开一种介质滤波器,参照图1所示,其包括至少两个三模介质谐振器(8a、8b),三模介质谐振器8a、三模介质谐振器8b优选为立方体状结构的介质块2;还包括至少一个连接块4,该连接块4用于实现三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b之间的能量耦合;该连接块4位于三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b相连接的位置,且与位于其两侧的三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b一体化压制成型;该介质滤波器还包括覆盖介质谐振器表面、连接块表面的金属化导电层6,具体可以通过在一体化干压成型的介质谐振器和连接块表面进行电镀金属来形成,金属可以为银,也可以为其它满足实际需要的金属,比如,铜、铝等。
通过连接块4将位于其两侧的三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b的三个谐振模式的其中一个模式能量耦合。其中,连接块4与位于其两侧的两个三模介质谐振器一体化压制成型简化了实现实心介质滤波器腔间耦合的结构的制造工艺。
通常,两个三模介质谐振器之间的连接块的数量为一个,而一个介质滤波器所包括的连接块的个数可以为一个或者多于一个,可以依据实际需要的传输零点的个数和频率来确定连接块的数量和位置(指位于哪两个三模介质谐振器之间)。
具体的,通过干压成型工艺将固态介电材料一体化干压成型获得连接块和三模介质谐振器。其中,所使用的介电材料优选为陶瓷,陶瓷具有较高的介电常数(为36),硬度和耐高温的性能也都较好,因此成为射频滤波器领域常用的固态介电材料。当然,介电材料也可以选用本领域技术人员所知的其它材料,如玻璃、电绝缘的高分子聚合物等。为方便一体化成型,上述连接块4的底面与三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b的底面共面设置,便于一体化成型的同时降低成型难度。
上述连接块4优选为立方体状结构,其等效于消失模波导。一体化干压成型获得连接块和三模介质谐振器的过程中,为了降低成型难度、提高成型良率,上述连接块4相接于三模介质谐振器8a、三模介质谐振器8b的部位设有倒角;或者,三模介质谐振器8a、三模介质谐振器8b相接于上述连接块4的部位设有倒角。优选倒圆角。
上述连接块4位于三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b的中间部位连接三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b。三模介质谐振器的中间部位为三个谐振模式的其中一个谐振模式的磁场最强位置,连接块4位于该磁场最强位置连接三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b,使得连接块4将位于其两侧的三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b的三个谐振模式的其中一个模式能量耦合形成主模耦合。
参照图1所示,上述连接块4的横向宽度W与三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b之间能量耦合的交叉耦合量有关。也就是,可以通过调节连接块4的横向宽度W来调节三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b之间的交叉耦合量。连接块4的横向宽度越宽,对三个谐振模式中除主模以外的其它模式的耦合效果越强。
参照图2所示,上述连接块4的纵向长度L与三模介质谐振器8a和三模介质谐振器8b之间各谐振模式的能量耦合量有关,包括主模耦合量和交叉耦合量。也就是,可以通过调节连接块4的纵向长度L来调节介质滤波器的主模耦合和交叉耦合。连接块4的纵向长度L越长,滤波器的主模耦合和交叉耦合均越大。根据滤波器实际需要的交叉耦合量、交叉耦合的数量(或者传输零点的个数)、主模耦合量、频率来确定连接块4的横向宽度W和纵向长度L。其中,连接块4的横向宽度W和纵向长度L可以在连接块4的压制成型工艺中加工,还可以在压制成型之后的磨削工艺中加工。
进一步的,采用本发明设计的介质滤波器,可以调节连接块4的横向宽度W和纵向长度L来控制交叉耦合的强弱,进而实现更多传输零点。图5所示为包括两个三模介质谐振器和一个连接块的介质滤波器的频率响应曲线(横坐标为频率,纵坐标为衰减量),通过调节连接块4的横向宽度W和纵向长度L可以实现四个传输零点,见图5中用“○”标识的位置。
参照图2所示,上述连接块4的部分表面可以未被导电层覆盖(见未覆盖导电层部位12),连接块4表面未被导电层覆盖的面积与上述连接块所处位置相接的两个三模介质谐振器的之间能量耦合的交叉耦合量相关。也就是,可以通过去除连接块4的部分导电层,来调节位于其两侧的两个三模介质谐振器之间交叉耦合的耦合量。具体的,可以通过打磨的方式调整连接块4表面的导电层被去除部分的面积。
参照图3、4所示,上述三模介质谐振器8a或/和三模介质谐振器8b的棱边切角10,该棱边切角10用于其所在三模介质谐振器实现谐振器内部三个谐振模式的耦合。
以上所述实施例仅是为充分说明本实用新型而所举的较佳的实施例,本实用新型的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本实用新型基础上所作的等同替代或变换,均在本实用新型的保护范围之内。本实用新型的保护范围以权利要求书为准。
Claims (10)
1.一种介质滤波器,包括至少两个三模介质谐振器,其特征在于:其还包括,
至少一个连接块,所述连接块位于相邻两个三模介质谐振器相连接的位置,所述连接块与通过其连接的两个三模介质谐振器一体化压制成型,所述连接块用于实现所述两个三模介质谐振器之间的能量耦合;
以及,覆盖所述三模介质谐振器表面、所述连接块表面的金属化导电层。
2.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块的底面与所述两个三模介质谐振器的底面共面设置。
3.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块位于所述三模介质谐振器的中间部位连接所述两个三模介质谐振器。
4.如权利要求1-3任一项所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块为立方体状结构。
5.如权利要求4所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块的横向宽度与所述两个三模介质谐振器之间能量耦合的交叉耦合量有关。
6.如权利要求4所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块的纵向长度与所述两个三模介质谐振器之间各谐振模式的能量耦合量有关。
7.如权利要求4所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块通过压制成型工艺加工其横向宽度和纵向长度;或者,所述连接块压制成型后通过磨削工艺加工其横向宽度和纵向长度。
8.如权利要求4所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块相接于所述三模介质谐振器的部位设有倒角;或者,所述三模介质谐振器相接于所述连接块的部位设有倒角。
9.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块的部分表面未被导电层覆盖,所述连接块表面未被导电层覆盖的面积与所述连接块所处位置相接的两个三模介质谐振器之间能量耦合的交叉耦合量相关。
10.如权利要求1所述的介质滤波器,其特征在于:所述连接块、三模介质谐振器由固态介电材料一体化压制成型。
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CN112736383A (zh) * | 2020-12-30 | 2021-04-30 | 无锡爱德为科技有限公司 | 一种用于多模介质滤波器的可调耦合结构 |
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