CN211654587U - 一种高频低等效串联电阻高频电容器 - Google Patents

Abstract

本实用新型属于电容陶瓷器技术领域，尤其是一种高频低等效串联电阻高频电容器，包括电容器本体、内电极层、外部电极和钡镐陶瓷层；所述电容器本体的两侧设置外部电极；电容器本体的内部设置内电极层和钡镐陶瓷层；所述的外部电极自内至外依次为银电极层、镍电极层和锡电极层；所述银电极层中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极层为纯银内电极层；所述纯银内电极中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极层设置有多个，多个内电极层均与外部电极电性连接；多个内电极层交错设置与钡镐陶瓷层交替堆叠。本实用新型大幅降低损耗系数，实现了低电容超低损耗以及高电容超低损耗之高频微波组件产品。

Description

一种高频低等效串联电阻高频电容器

技术领域

本实用新型涉及电容陶瓷器技术领域，尤其涉及一种高频低等效串联电阻高频电容器。

背景技术

由于高频电容组件，若要达到低损耗，往往不是容易达成。由于组件制造过程中，高频电容组件结构，包括有钡镐陶瓷层以及电极层，需要彼此匹配并透过结构设计才有办法降低损耗，因此，目前开发的电容组件，虽然都使用低损耗的陶瓷材料，但是往往却因为其他制造的工艺技术影响，导致制造出来的组件，仍没办法达到低损耗、低等效串联电阻特性。因而若要能够突破传统工艺，达到制作出来的组件具有低损耗、低等效串联电阻特性，则在金属电极层以及结构设计工艺部分，要做特别之调整，包括让电极层密度致密并且孔隙降低提高电导性、设计调整降低阻抗，才有办法达到低损耗低等效串联电阻特性。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的没有办法达到低损耗的缺点，而提出的一种高频低等效串联电阻高频电容器；该产品的主要属于电容陶瓷器中的第一类NPO产品，其名称为温度补偿特性电容，由于其温度范围变化率非常小，在于ppm范围之变化，因此其应用领域属于应用在高频率段范围，频率范围从1MHz到10GHz范围，都属于其应用范围。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种高频低等效串联电阻高频电容器，包括电容器本体、一组内电极、钡镐陶瓷层和外部电极；所述电容器本体的两侧对称设置有外部电极；电容器本体的内部设置一组内电极和钡镐陶瓷层；所述的外部电极自内至外依次为银电极层、镍电极层和锡电极层；所述银电极层中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极为银钯或银内电极；所述银钯或银内电极中金属粉末的粒度≦1μm；一组内电极均与外部电极电性连接。

优选的，所述外部电极的总厚度为30±15mm。

优选的，所述的一组内电极设置有两种，两种内电极均与外部电极电性连接；两种内电极交错设置同时与钡镐陶瓷层交替堆叠。

优选的，所述的一组内电极设置有四种，四种内电极均与外部电极电性连接；其中两种内电极处于同一水平面，两种内电极之间设置有间隔A；另两种内电极处于同一水平面，且两种内电极之间设置有间隔B；间隔A和间隔B交错设置，四种纯银内电极与钡镐陶瓷层交替堆叠。

优选的，交错设置的内电极之间的钡镐陶瓷层的厚度为10μm-450μm。

优选的，所述银金属粉末的粒度和银金属粉末的粒度介于0.4-0.8μm。

优选的，钡镐陶瓷层的介电常数为13-18，损耗系数Df≦0.006%。

优选的，所述一组内电极的排列设计为非串联模式。

本实用新型的有益效果：本实用新型将陶瓷材料与金属电极共同制作成微波组件，大幅降低损耗系数，实现了如实施例1的低电容超低损耗以及实施例2的高电容超低损耗之高频微波组件产品。该产品的主要属于电容陶瓷器中的第一类NPO产品，其名称为温度补偿特性电容，由于其温度范围变化率非常小，在于ppm范围之变化，因此其应用领域属于应用在高频率段范围，频率范围从1MHz到20GHz范围，都属于其应用范围；将陶瓷材料与金属电极共同制作并透过结构设计工艺完成组件，大幅降低损耗系数及高频段低等效串联电阻特性，实现了高频段低等校串联电阻之高频应用组件产品。

附图说明

图1为本本申请实施例1高频低等效串联电阻高频电容器侧面剖面图；

图2为本申请实施例1高频低等效串联电阻高频电容器端面剖面图。

图3为本申请实施例1高频低等效串联电阻高频电容器俯视图。

图4为本申请实施例1高频低等效串联电阻高频电容器侧视图。

图5为本申请实施例2高频低等效串联电阻高频电容器侧面剖面图。

图6为本申请实施例2高频低等效串联电阻高频电容器端面剖面图。

图7为本申请实施例2高频低等效串联电阻高频电容器俯视图。

图8为本申请实施例2高频低等效串联电阻高频电容器侧视图

图中：1电容器本体、2内电极、3钡镐陶瓷层、4银电极层、5镍电极层、6锡电极层、7间隔A、8间隔B。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例一

如图1-4所示，为本实用新型的一种高频低等效串联电阻高频电容器，包括电容器本体1、一组内电极2、钡镐陶瓷层3和外部电极；所述电容器本体1的两侧对称设置有外部电极；电容器本体1的内部设置一组内电极2和钡镐陶瓷层3；所述的外部电极自内至外依次为银电极层4、镍电极层5和锡电极层6；所述银电极层4中银金属粉末的粒度≦1μm，因此达到具有烧结后，内电极层具备高致密特性；所述的内电极2为银钯或银内电极；所述银钯或银内电极中金属粉末的粒度≦1μm；一组内电极2均与外部电极电性连接。

所述外部电极的总的厚度为30±15mm。

所述钡镐陶瓷层3的介电常数为13~38，损耗系数Df≦0.006%，所述的一组内电极2设置有两种，两种内电极2均与外部电极电性连接；两种内电极2交错设置同时与钡镐陶瓷层3交替堆叠。

交错设置的内电极2之间的钡镐陶瓷层3的厚度为10μm-450μm。

所述银金属粉末的粒度和银金属粉末的粒度介于0.4-0.8μm；钡镐陶瓷层3的介电常数为13-18，损耗系数Df≦0.006%，一般而言，若是制作出来的电容组件，其损耗系数DF≦0.01%，则通常就可以达到低损耗之要求,但在于高频等效串联电阻特性上的表现就不见得可以有效发挥。因此，若要达成组件具备有超低损耗且具低等效串联电阻特性，则包括材料要选取适用之介电常数材料，以及具备超低损耗特性，最重要的是还必须透过结构设计来搭配,才能同时兼具高频段低等效串联电阻表现特性。

所述一组内电极2的排列设计为非串联模式。

过去多数厂商都只有以超低损耗之陶瓷粉末进行控制，但对于内外电极以及结构设计方面并没有特别要求，导致制作出来的元组件并无法达到DF≦0.01%及高频段低等效串联电阻特性之要求，而其中主要原因就在于：

1.电极材料的金属粉末，若用到的金属粉末颗粒没有经过均匀细化，则会导致烧结后，金属层内部的孔隙过多，以及缺陷过多，导致烧结完之后，致密度无法提高，使得损耗系数仍旧偏高，因而多数组件之损耗系数DF≧0.01%，因而仍旧无法制作出超低损耗之组件。

银钯或是纯银内电极中银钯或是纯银金属粉末的粒度≦1μm；因此达到具有烧结后，内电极层具备高致密特性。银金属粉末的粒度优选的介于0.4-0.8μm之间。

2.内部结构设计的安排,减少等校串连电阻的影响,就是在设计上必须避免电容元件结构有串连的型态产生.另外导体的本质及导体厚度的应用设计也是影响阻抗的原因之一.透过结构设计提高电导性能力以及内部结构安排避免串接形式,利用材料与设计的搭配,达到低损耗、高频段应用低等效串联电阻的特性。

实施例二

如图5-8所示，为本实用新型的一种高频低等效串联电阻高频电容器，包括电容器本体1、一组内电极2、钡镐陶瓷层3和外部电极；所述电容器本体1的两侧对称设置有外部电极；电容器本体1的内部设置一组内电极2和钡镐陶瓷层3；所述的外部电极自内至外依次为银电极层4、镍电极层5和锡电极层6；所述银电极层4中银金属粉末的粒度≦1μm，因此达到具有烧结后，内电极层具备高致密特性；所述的内电极2为银钯或银内电极；所述银钯或银内电极中金属粉末的粒度≦1μm；一组内电极2均与外部电极电性连接。

所述外部电极的总的厚度为30±15mm。

所述钡镐陶瓷层3的介电常数为13~38，损耗系数Df≦0.006%，所述的一组内电极2设置有四种，四种内电极2均与外部电极电性连接；其中两种内电极2处于同一水平面，两种内电极之间设置有间隔A 7；另两种内电极2处于同一水平面，且两种内电极之间设置有间隔B 8；间隔A 7和间隔B 8交错设置，四种纯银内电极2与钡镐陶瓷层3交替堆叠。

交错设置的内电极2之间的钡镐陶瓷层3的厚度为10μm-450μm。

所述银金属粉末的粒度和银金属粉末的粒度介于0.4-0.8μm；钡镐陶瓷层3的介电常数为13-18，损耗系数Df≦0.006%，一般而言，若是制作出来的电容组件，其损耗系数DF≦0.01%，则通常就可以达到低损耗之要求,但在于高频等效串联电阻特性上的表现就不见得可以有效发挥。因此，若要达成组件具备有超低损耗且具低等效串联电阻特性，则包括材料要选取适用之介电常数材料，以及具备超低损耗特性，最重要的是还必须透过结构设计来搭配,才能同时兼具高频段低等效串联电阻表现特性。

所述一组内电极2的排列设计为非串联模式。

过去多数厂商都只有以超低损耗之陶瓷粉末进行控制，但对于内外电极以及结构设计方面并没有特别要求，导致制作出来的元组件并无法达到DF≦0.01%及高频段低等效串联电阻特性之要求，而其中主要原因就在于：

1.电极材料的金属粉末，若用到的金属粉末颗粒没有经过均匀细化，则会导致烧结后，金属层内部的孔隙过多，以及缺陷过多，导致烧结完之后，致密度无法提高，使得损耗系数仍旧偏高，因而多数组件之损耗系数DF≧0.01%，因而仍旧无法制作出超低损耗之组件。

银钯或是纯银内电极中银钯或是纯银金属粉末的粒度≦1μm；因此达到具有烧结后，内电极层具备高致密特性。银金属粉末的粒度优选的介于0.4-0.8μm之间。

2.内部结构设计的安排,减少等校串连电阻的影响,就是在设计上必须避免电容元件结构有串连的型态产生.另外导体的本质及导体厚度的应用设计也是影响阻抗的原因之一.透过结构设计提高电导性能力以及内部结构安排避免串接形式,利用材料与设计的搭配,达到低损耗、高频段应用低等效串联电阻的特性。

上面所述的实施例仅仅是本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定，在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域中普通工程技术人员对本实用新型的技术方案作出的各种变型和改进均应落入本实用新型的保护范围。

Claims (8)

1.一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：包括电容器本体（1）、一组内电极（2）、钡镐陶瓷层（3）和外部电极；所述电容器本体（1）的两侧对称设置有外部电极；电容器本体（1）的内部设置一组内电极（2）和钡镐陶瓷层（3）；所述的外部电极自内至外依次为银电极层（4）、镍电极层（5）和锡电极层（6）；所述银电极层（4）中银金属粉末的粒度≦1μm；所述的内电极（2）为银钯或银内电极；所述银钯或银内电极中金属粉末的粒度≦1μm；一组内电极（2）均与外部电极电性连接，所述一组内电极（2）的排列设计为非串联模式。

2.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：所述外部电极的总厚度为30±15mm。

3.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：所述钡镐陶瓷层（3）的介电常数为13~38，损耗系数Df≦0.006%。

4.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：所述的一组内电极（2）设置有两种，两种内电极（2）均与外部电极电性连接；两种内电极（2）交错设置同时与钡镐陶瓷层（3）交替堆叠。

5.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：所述的一组内电极（2）设置有四种，四种内电极（2）均与外部电极电性连接；其中两种内电极（2）处于同一水平面，两种内电极之间设置有间隔A（7）；另两种内电极（2）处于同一水平面，且两种内电极之间设置有间隔B（8）；间隔A（7）和间隔B（8）交错设置，四种纯银内电极（2）与钡镐陶瓷层（3）交替堆叠。

6.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：交错设置的内电极（2）之间的钡镐陶瓷层（3）的厚度为10μm-450μm。

7.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：所述银金属粉末的粒度和银金属粉末的粒度介于0.4-0.8μm。

8.根据权利要求1所述的一种高频低等效串联电阻高频电容器，其特征在于：钡镐陶瓷层（3）的介电常数为13-18，损耗系数Df≦0.006%。

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