CN211579862U - 一种反激电源输入电流补偿电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种反激电源输入电流补偿电路。包括：输入电压连接整流桥的输入端，所述整流桥的输出端连接至反激模块、补偿电阻的一端，所述反激模块的另一端连接至MOS管的漏极，所述MOS管的源极连接滤波电阻、检测电阻的一端，所述检测电阻的另一端接地，所述滤波电阻、所述补偿电阻的另一端连接至芯片的CS端，所述芯片的GND端接地。本实用新型电路是典型的带有输入电流补偿电路的反激拓扑结构，可以有效地实现在不同输入电压下实现电流保护功能；输入电压补偿电路因为只有一个电阻或者一串电阻，所以具有结构简单、成本低、抗干扰能力强等优点。

Description

一种反激电源输入电流补偿电路

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，特别是涉及一种反激电源输入电流补偿电路。

背景技术

UC2845作为一款经典的电流型PWM控制芯片，得到了广泛的应用。峰值电流模式能够快速的通过检测原边开关电流来感应输入电压和输出负载的变化，从而使系统的输出调整率非常好。同时当原边开关电流在电流检测电阻上的压降即芯片CS端引脚采样电压达到1V时，即触发内部逐周期电流限制功能，关闭PWM输出。从而实现电源模块的整体过载、短路保护功能。

但在实际应用过程中存在问题。对于反激电源，一般应用在全范围输入电压85~264VAC下，此时对于原边开关电流检测电阻的选取就造成了困扰。如果以低压输入85VAC为选取标准，则不能够在高压输入下实现电流保护功能。如果以265VAC输入为选取标准，则不能在低压下实现同等输出功率需求。所以对于在不同输入电压下都能实现电源的过载、短路功能的精准保护显得至关重要。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种反激电源输入电流补偿电路，安全有效、结构简单的输入电压补偿电路设计。

本实用新型解决其技术问题采用的技术方案是，提出一种反激电源输入电流补偿电路，包括：输入电压连接整流桥的输入端，所述整流桥的输出端连接至反激模块、补偿电阻的一端，所述反激模块的另一端连接至MOS管的漏极，所述MOS管的源极连接滤波电阻、检测电阻的一端，所述检测电阻的另一端接地，所述滤波电阻、所述补偿电阻的另一端连接至芯片的CS端，所述芯片的GND端接地。

进一步的，所述整流桥的输出端连接第一滤波电容的正极端。

进一步的，还包括第二滤波电容，所述第二滤波电容的一端连接至所述芯片的CS端，所述第二滤波电容的另一端连接至所述芯片的GND端。

进一步的，所述反激模块包括吸收模块和变压器，所述吸收模块、所述变压器的一端连接至所述整流桥的输出端，所述吸收模块、所述变压器的另一端连接至所述MOS管的漏极。

进一步的，所述吸收模块包括吸收电阻、吸收电容、吸收二极管，所述吸收电阻、吸收电容并联之后与所述吸收二极管的阴极连接，所述吸收二极管的阳极连接至所述MOS管的漏极。

本实用新型的有益效果为：1.本实用新型电路是典型的带有输入电流补偿电路的反激拓扑结构，可以有效地实现在不同输入电压下实现电流保护功能，扩大输入电压范围并实现稳定的输出；输入电压补偿电路因为只有一个电阻或者一串电阻，所以具有结构简单、成本低、抗干扰能力强等优点。

附图说明

图1为本实用新型实施例的一种反激电源输入电流补偿电路的电路图。

图中：1-输入电压、2-接地装置、3-整流桥、4-第一滤波电容、5-吸收电阻、6-吸收电容、7-补偿电阻、8-吸收二极管、9-MOS管、10-滤波电阻、11-第二滤波电容、12-检测电阻、13-芯片、14-变压器。

具体实施方式

为了更清楚的说明本实用新型实施例和现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本实用新型的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创在性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。另，设计方位的属于仅表示各部件间的相对位置关系，而不是绝对位置关系。

本实用新型中，芯片13可以采用UC2845芯片，UC2845作为一款经典的电流型PWM控制芯片，得到广泛的应用，属于本领域的普通技术人员很容易想得到的现有技术，故在此不再详述。接地装置2可以设置多处，避免相互影响，即第一滤波电容4的接地装置2可以为第一接地点，检测电阻12的接地装置2可以为第二接地点，互不干扰。整流桥3可以由四个二极管组成，两个二极管分为一组沿导通方向串联在一起，即串联之后导通性不变；然后将两组串联的二极管沿导通方向并联，具体连接方式请参阅图1。

请参阅图1，本实用新型的一种反激电源输入电流补偿电路，包括：输入电压1连接整流桥3的输入端，所述整流桥3的输出端连接至反激模块、补偿电阻7的一端，所述反激模块的另一端连接至MOS管9的漏极，所述MOS管9的源极连接滤波电阻10、检测电阻12的一端，所述检测电阻12的另一端接地，所述滤波电阻10、所述补偿电阻7的另一端连接至芯片13的CS端，所述芯片13的GND端接地。

输入电压1采用交流电，所述输入电压1与整流桥3的输入端连接，所述整流桥3的输出端还连接至反激模块、补偿电阻7的一端，所述补偿电阻7的另一端直接与芯片13的CS端连接。所述反激模块的另一端连接至MOS管9的漏极，所述MOS管9的源极通过滤波电阻10与芯片13的CS端连接。所述MOS管9的源极还连接有检测电阻12，所述检测电阻12的另一端接地。所述芯片13的GND一端接地。

作为优选实施例，所述整流桥3的输出端连接第一滤波电容4的正极端。请参阅图1，环形整流桥3具有四个连接端，输入电压1与整流桥3的两个输入端连接，整流桥3的输出端连接第一滤波电容4的正极一端，所述整流桥3的剩余一端与接地装置2连接，所述第一滤波电容的阴极一端与接地装置2连接，此时接地装置2可以选择第一接地点。第一滤波电容4可以采用大容量滤波电容。第一滤波电容4可以采用AISHI LC 450V470uF 铝电解电容，较大电容可使总线有较小的纹波电压，提高电源效率，进一步保护电路、降噪。

作为优选实施例，还包括第二滤波电容11，所述第二滤波电容11的一端连接至所述芯片13的CS端，所述第二滤波电容11的另一端连接至所述芯片13的GND端。请参阅图1，第二滤波电容11的一端连接至芯片13的CS端，所述第二滤波电容11的另一端与所述芯片13的GND端连接。即，所述芯片13的GND端、所述滤波电容11的接地端可以与检测电阻12的接地点相同，都使用第二接地点。芯片13的CS端与GND端之间连接第二滤波电容11属于常用的去杂波、去交流手段，故此不再详述。

作为优选实施例，所述反激模块包括吸收模块和变压器14，所述吸收模块、所述变压器14的一端连接至所述整流桥3的输出端，所述吸收模块、所述变压器14的另一端连接至所述MOS管9的漏极。请参阅图1，所述吸收模块可以与变压器14并联设置，吸收模块可以消耗变压器14内漏感存储的能量。

作为优选实施例，所述吸收模块包括吸收电阻5、吸收电容6、吸收二极管8，所述吸收电阻5、吸收电容6并联之后与所述吸收二极管8的阴极连接，所述吸收二极管8的阳极连接至所述MOS管9的漏极。请参阅图1，吸收模块可以包括吸收电阻5、吸收电容6和吸收二极管8。即，所述整流桥3的输出端连接至吸收电阻5和吸收电容6的一端，所述吸收电阻5和所述吸收电容6的另一端连接至吸收二极管8的阴极，所述吸收二极管8的阳极与所述MOS管9的漏极连接。

本实用新型使用交流电作为输入电压1，输入交流电经过整流桥3、第一滤波电容4后为直流。当MOS管9导通时，直流电经过变压器14、MOS管9、检测电阻12到达芯片13的GND端。在检测电阻12处会形成一个采样电压，然后经过滤波电阻10、第二滤波电容11到达芯片13的CS端。整流后的直流通过补偿电阻7也会叠加一个电压信号到芯片13的CS端，此电压信号与输入电压1的交流电压成比例关系，具体比例可根据MOS的余量调整。因此可以很好的反映输入电压1的变化。芯片13能够根据芯片13的CS端脚的电压的大小来调节MOS管9的导通时间。当芯片13的CS端的电压大时，导通时间减缩短；当芯片13的CS端的电压小时，导通时间延长，从而确保输出的稳定性。当MOS管9断开时，变压器14中漏感储存的能量通过与变压器14并联的吸收模块来消耗，变压器14输出反激信息。即，通过吸收电阻5、吸收电容6、吸收二极管8来消耗。可以理解的是，在没有补偿电阻7的叠加电压信号时，输入电压1变化时，芯片13不能获得输入电压1变化的信息，不能同步调节MOS管9的导通时间长短；当芯片13的CS端可以根据补偿电阻7的叠加电压信号获得输入电压1的变化信息时，芯片13可以同步对MOS管9的导通时间作出调节，使得在不同电压下都能实现电源的过载、短路功能的精准保护。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所做的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施例只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (5)

1.一种反激电源输入电流补偿电路，其特征在于，包括：输入电压（1）连接整流桥（3）的输入端，所述整流桥（3）的输出端连接至反激模块、补偿电阻（7）的一端，所述反激模块的另一端连接至MOS管（9）的漏极，所述MOS管（9）的源极连接滤波电阻（10）、检测电阻（12）的一端，所述检测电阻（12）的另一端接地，所述滤波电阻（10）、所述补偿电阻（7）的另一端连接至芯片（13）的CS端，所述芯片（13）的GND端接地。

2.根据权利要求1所述的一种反激电源输入电流补偿电路，其特征在于，所述整流桥（3）的输出端连接第一滤波电容（4）的正极端。

3.根据权利要求1所述的一种反激电源输入电流补偿电路，其特征在于，还包括第二滤波电容（11），所述第二滤波电容（11）的一端连接至所述芯片（13）的CS端，所述第二滤波电容（11）的另一端连接至所述芯片（13）的GND端。

4.根据权利要求1所述的一种反激电源输入电流补偿电路，其特征在于，所述反激模块包括吸收模块和变压器（14），所述吸收模块、所述变压器（14）的一端连接至所述整流桥（3）的输出端，所述吸收模块、所述变压器（14）的另一端连接至所述MOS管（9）的漏极。

5.根据权利要求4所述的一种反激电源输入电流补偿电路，其特征在于，所述吸收模块包括吸收电阻（5）、吸收电容（6）、吸收二极管（8），所述吸收电阻（5）、吸收电容（6）并联之后与所述吸收二极管（8）的阴极连接，所述吸收二极管（8）的阳极连接至所述MOS管（9）的漏极。

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