CN211508929U - 电源控制电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及低压电器领域，具体涉及一种电源控制电路，其包括依次相连的整流及抗浪涌干扰电路、开关控制电路、AC‑DC转换电路、负载端电压检测电路以及MCU，MCU还与开关控制电路相连；所述开关控制电路还包括开关电路和控制电路，整流及抗浪涌干扰电路、开关电路和AC‑DC转换电路依次相连，MCU、控制电路和开关电路依次相连；所述MCU依据负载端电压检测电路检测的负载端电压，通过控制电路驱动开关电路导通或断开；本实用新型的电源控制电路，其开关控制电路控制AC‑DC转换电路的开启和断开，使电源控制电路能适用于三相三线制系统或仅三相取电系统。

Description

电源控制电路

技术领域

本实用新型涉及低压电器领域，具体涉及一种电源控制电路。

背景技术

随着智能电网建设的推进，电能表费控系统作为基础受到广泛重视。其中，电能表外置断路器是配合智能电能表实现智能费控功能的关键器件，当用户处于欠费状态时，智能电能表通过费控线发出分闸的信号，电能表外置断路器分闸断开用户电源；当用户续费后，智能电能表通过费控线发出合闸的信号，电能表外置断路器自动合闸接通用户电源。

由于外置断路器连接在智能电能表的后端，断路器本身也会成为负载的一部分，其功率消耗也会纳入电能表计量中；如果外置断路器的自身功耗过大，则会出现即使没有用户负载情况下，电能表也会产生费用，影响电能正确计量。

现有的电能表外置断路器采用专用的AC-DC电源芯片来实现超低功耗, 该芯片内部集成高压功率MOSFET,能提供零待机模式。当MCU发出低电平到该电源芯片的ZC引脚，则该电源芯片处于正常工作状态；当MCU发出高电平时，该电源芯片处于零待机模式，此时相线电流平均值小于0.2mA。但是由于该电源芯片内置600-720V功率MOSFET，在三相三线制系统或仅三相取电的系统中，三相电源整流后的电压可达到800V，现有的电源芯片中 MOSFET不能承受，因此在三相三线制系统或仅三相取电的系统中，均不能采用现有的电源芯片，限制现有的电能表外置断路器的适用范围。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种电源控制电路，其开关控制电路控制AC-DC转换电路的开启和断开，使电源控制电路能适用于三相三线制系统或仅三相取电系统。

为实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种电源控制电路，其包括依次相连的整流及抗浪涌干扰电路1、开关控制电路2、AC-DC转换电路3、负载端电压检测电路4以及MCU，MCU还与开关控制电路2相连；

所述开关控制电路2还包括开关电路20和控制电路21，整流及抗浪涌干扰电路1、开关电路20和AC-DC转换电路3依次相连，MCU、控制电路 21和开关电路20依次相连；

所述MCU依据负载端电压检测电路4检测的负载端电压，通过控制电路21驱动开关电路20导通或断开。

优选的，所述负载端电压等于或低于开启电压阈值时，MCU通过开关控制电路2的控制电路21驱动开关控制电路2的开关电路20导通；所述负载端电压等于或高于关断电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路 20关断；所述开启电压阈值小于关断电压阈值。

优选的，所述AC-DC转换电路3包括高频变压器T1和整流滤波电路30，整流滤波电路30包括储能电容C7，储能电容C7为极性电容，高频变压器 T1的次级线圈L1的两端与储能电容C7的两端相连，MCU通过负载端电压检测电路4获取储能电容C7两端的电压U_C7，为负载端电压；

所述开关电路20处于导通状态时，储能电容C7充电，至U_C7≥关断电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20关断；所述开关电路20 处于关断状态时，储能电容C7放电，至U_C7≤开启电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20导通。

优选的，所述负载端电压检测电路4包括电阻R2和电阻R12，电阻12 一端与储能电容C7的正极相连，另一端与电阻R12一端串联，电阻R12另一端与储能电容C7的负极相连，电阻R2和电阻R12之间的节点与MCU相连。

优选的，所述开关电路20包括MOS管Q1、电阻R4、电阻R7、二极管 D7和稳压管Z2；所述控制电路21包括光耦U5、电阻R9、电阻R11、电容 C3和MOS管Q4；所述光耦U5的第1管脚与MCU相连，第2管脚通过电阻 R9与接地GND相连，第3管脚与MOS管Q4的G极相连并通过并联的电阻 R11和电容C3与MOS管Q4的S极相连，第4管脚和MOS管Q4的D极相连后分别与二极管D7的阴极、稳压管Z2的阴极相连；所述MOS管Q1的D极与整流及抗浪涌干扰电路1的输出端相连且通过依次串联的电阻R4、电阻 R7与MOS管Q1的G极相连，MOS管Q1的G极与二极管D7的阳极相连，MOS 管Q1的S极分别与稳压管Z2的阳极、AC-DC转换电路3的输入端、MOS管 Q4的S极相连。

优选的，所述整流滤波电路30还包括二极管D2、二极管D5、电容C24、电阻R1和电容C1；所述次级线圈L1的一端与二极管D2的阳极相连，二极管D2的阴极与二极管D5的阳极相连，二极管D5的阴极与储能电容C7的正极相连，次级线圈L1的另一端和储能电容C7的阴极均与接地GND相连，二极管D2的阳极和阴极之间还依次串接有电阻R1和电容C1，电容C24与储能电容C7并联。

优选的，所述AC-DC转换电路3还包括电源芯片U1，开关电路20与高频变压器T1的初级线圈L0的一端相连，初级线圈L0的另一端与电源芯片 U1相连。

优选的，所述AC-DC转换电路3还包括输入电容电路33、RCD吸收回路32，开关电路20通过输入电容电路33与初级线圈L0一端相连，初级线圈L0的该端通过RCD吸收回路32与初级线圈L0的另一端相连；

所述输入电容电路33包括二极管D1、电容EC1、电容EC2、电阻R3、电阻R8、电阻R10和电阻R13，开关电路20与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与初级线圈L0的一端、电容EC1的正极相连，电容EC1 的负极与电容EC2的正极相连，电容EC2的负极与接地GND相连，电阻R3 和电阻R8串联后与电容EC1并联，电阻R10和电阻R13串联后与电容EC2 并联；

所述RCD吸收回路32包括电容C2、电阻R5和二极管D6，电阻R5和二极管D6串接在初级线圈L0的第1端子和第2端子之间，二极管D6的阴极与电阻R5相连，电容C2与电阻R5并联，高频变压器T1的初级线圈L0 的第2端子分别与二极管D6的阴极、电源芯片U1的第8管脚相连。

优选的，所述AC-DC转换电路3还包括与电源芯片U1相连的反馈回路 31；所述反馈回路31包括电容C13、MOS管Q2、电阻R29、电容C5、电阻 R25、电阻R30、稳压管Z3和电容C9；

所述MOS管Q2的D极分别与电源芯片U1的第4管脚、电容C13的一端、电容C5的一端相连，电容C13的另一端与接地GND相连，MOS管Q2的 S极通过电阻R29与接地GND相连，MOS管Q2的G极通过依次串联的电阻 R25、电阻R30与接地GND相连，稳压管Z3和电容C9串联后与电阻R30并联，稳压管Z3的阳极分别与电容C5的另一端、电阻R25和电阻R30之间的节点相连，稳压管Z3的阴极通过电容C9与接地GND相连。

优选的，所述电源芯片U1的第3管脚、第5管脚与接地GND相连，第 2管脚通过并联的电阻R19和电容C8与接地GND相连，第6管脚通过电阻R20与接地GND相连，第1管脚通过并联的电容EC3、电容C4与接地GND 相连，电容EC3正极与第1管脚相连，负极与接地GND相连，第1管脚还通过二极管D15与15V/500mA电源相连，二极管D15的阴极与第1管脚相连，阳极与15V/500mA电源相连。

优选的，所述整流及抗浪涌干扰电路1包括A相输入端、B相输入端、 C相输入端、压敏电阻VR1、压敏电阻VR2、压敏电阻VR3、二极管D3、二极管D4和绕线电阻FR1；所述压敏电阻VR1两端分别与C相输入端和B相输入端相连，压敏电阻VR2两端分别与A相输入端和B相输入端相连，A相输入端与二极管D3的阳极相连，C相输入端与二极管D4的阳极相连，二极管D3的阴极和二极管D4的阴极相连后与绕线电阻FR1的一端相连，绕线电阻FR1的另一端分别与开关控制电路2的开关电路20、压敏电阻VR3一端相连，压敏电阻VR3另一端与B相输入端相连后与接地GND相连。

优选的，还包括LDO芯片U3，LDO芯片U3的第1管脚与储能电容C7 的正极，第2管脚与接地GND相连，第3管脚与VCC电源相连，且通过并联的电容C12和电容C22与接地GND相连。

本实用新型的电源控制电路，通过开关控制电路2、负载端电压检测电路4和MCU配合，控制开关控制电路2的导通或关断，从而实现AC-DC转换电路3的工作模式与待机模式的切换，使AC-DC电源芯片内置的高压功率MOSFET无需承担过高电压，甚至可以取消AC-DC电源芯片的内置高压功率MOSFET，使本实用新型的电源控制电路能够适用于三相三线制系统或仅三相取电系统。

此外，本实用新型的电源控制电路，通过储能电容C7的充电/放电过程，使得整个电源控制电路处于间歇式供电状态，降低了整个电源系统的平均功耗，满足在三相电源系统或输入为380V系统中低功耗的要求。

附图说明

图1是本实用新型电源控制电路的模块结构示意图；

图2是本实用新型电源控制电路的电路意图；

图3是本实用新型整流及抗浪涌干扰电路的电路图；

图4是本实用新型开关控制电路的电路图；

图5是本实用新型AC-DC转换电路的电路图；

图6是本实用新型图2的A部分的放大图。

具体实施方式

以下结合附图1-6给出的实施例，进一步说明本实用新型的电源控制电路的具体实施方式。本实用新型的电源控制电路不限于以下实施例的描述。

本实用新型的电源控制电路包括依次相连的整流及抗浪涌干扰电路1、开关控制电路2、AC-DC转换电路3、负载端电压检测电路4以及MCU，MCU 还与开关控制电路2相连；所述MCU依据负载端电压检测电路4检测的负载端电压，驱动开关控制电路2导通或关断。

所述开关控制电路2还包括开关电路20和控制电路21，整流及抗浪涌干扰电路1、开关电路20和AC-DC转换电路3依次相连，MCU、控制电路 21和开关电路20依次相连；所述MCU依据负载端电压检测电路4检测的负载端电压，通过控制电路21驱动开关电路20导通或断开。

现有的电能表外置断路器采用专用的AC-DC电源芯片实现超低功耗，该芯片内部集成高压功率MOSFET，且可提供零待机模式，通过ZC引脚控制；当MCU输出低电平至ZC引脚，AC-DC电源芯片处于正常工作状态；当MCU 输出高电平至ZC引脚，AC-DC电源芯片处于零待机模式；但是，由于该AC-DC 电源芯片内置600～720V功率MOSFET，含有该AC-DC电源芯片的电能表外置断路器不能用于三相三线制系统或仅三相取电系统中。

本实用新型的电源控制电路，通过开关控制电路2、负载端电压检测电路4和MCU配合，控制开关控制电路2的导通或关断，从而实现AC-DC转换电路3的工作模式与待机模式的切换，使AC-DC电源芯片内置的高压功率MOSFET无需承担过高电压，甚至可以取消AC-DC电源芯片内置的高压功率MOSFET，使本实用新型的电源控制电路能够适用于三相三线制系统或仅三相取电系统。

优选的，如图2和4所示，所述负载端电压等于或低于开启电压阈值时，MCU通过开关控制电路2的控制电路21驱动开关控制电路2的开关电路2导通；所述负载端电压等于或高于关断电压阈值时，MCU通过控制电路 21驱动开关电路20关断；所述开启电压阈值小于关断电压阈值。

优选的，如图2和5所示，所述AC-DC转换电路3包括高频变压器T1 和整流滤波电路30，整流滤波电路30包括电容C7，储能电容C7为极性电容，高频变压器T1的次级线圈的两端与储能电容C7的两端相连，MCU通过负载端电压检测电路4获取储能电容C7两端的电压U_C7，为负载端电压；所述开关电路20处于导通状态时，储能电容C7充电，至U_C7≥关断电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20关断；所述开关电路20处于关断状态时，储能电容C7放电，至U_C7≤开启电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20导通。

如图1和2所示，为本实用新型电源控制电路的一种实施方式。

本实用新型的电源控制电路包括依次相连的整流及抗浪涌干扰电路1、开关控制电路2、AC-DC转换电路3、负载端电压检测电路4以及MCU，MCU 还与控制电路2相连；所述MCU依据负载端电压检测电路4检测的负载端电压，驱动开关控制电路2导通或关断，从而实现AC-DC转换电路3的开启或断开。

优选的，如图2和4所示，所述开关控制电路2包括开关电路20和控制电路21，整流及抗浪涌干扰电路1、开关电路20和AC-DC转换电路3依次相连，MCU、控制电路21和开关电路20依次相连；所述MCU依据负载端电压检测电路4检测的负载端电压，通过控制电路21驱动开关电路20导通或断开。进一步的，所述负载端电压等于或低于开启电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20导通；所述负载端电压等于或高于关断电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20关断；所述开启电压阈值小于关断电压阈值。

优选的，如图2和5所示，所述AC-DC转换电路3包括高频变压器T1 和整流滤波电路30，整流滤波电路30包括储能电容C7，储能电容C7为极性电容，高频变压器T1的次级线圈的两端分别与储能电容C7的两端相连， MCU通过负载端电压检测电路4获取储能电容C7两端的电压U_C7，为负载端电压；所述开关电路20处于导通状态时，储能电容C7充电，至U_C7≥关断电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20关断；所述开关电路 20处于关断状态时，储能电容C7放电，至U_C7≤开启电压阈值时，MCU通过控制电路21驱动开关电路20导通。

如图4所示，为所述开关控制电路2的一个实施例。

所述开关控制电路2包括开关电路20和控制电路21，开关电路20包括MOS管Q1、电阻R4、电阻R7、二极管D7和稳压管Z2，控制电路包括光耦U5、电阻R9、电阻R11、电容C3和MOS管Q4；所述光耦U5的第1管脚与MCU相连，第2管脚通过电阻R9与接地GND相连，第3管脚与MOS管Q4 的G极相连并通过并联的电阻R11和电容C3与MOS管Q4的S极相连，第4 管脚和MOS管Q4的D极相连后分别与二极管D7的阴极、稳压管Z2的阴极相连；所述MOS管Q1的D极与整流及抗浪涌干扰电路1的输出端相连且通过依次串联的电阻R4、电阻R7与MOS管Q1的G极相连，MOS管Q1的G极与二极管D7的阳极相连，MOS管Q1的S极分别与稳压管Z2的阳极、AC-DC 转换电路3的输入端、MOS管Q4的S极相连。进一步的，如图4所示，所述光耦U5的第1管脚与光耦U5的发光二极管的阳极相连，第2管脚与发光二极管的阴极相连。

如图5所示，为所述整流滤波电路30的一个实施例。

所述整流滤波电路30包括二极管D2、二极管D5、电容C24、电阻R1 和电容C1；所述次级线圈L1的一端与二极管D2的阳极相连，二极管的阴极与二极管D5的阳极相连，二极管D5的阴极与储能电容C7的正极相连，储能电容C7的负极与次级线圈L1的另一端均与接地GND相连，二极管D2 的阳极和阴极之间还依次串接有电阻R1和电容C1，电容C24与储能电容C7并联。

如图5所示，为所述负载端电压检测电路4的一个实施例。

所述负载端电压检测电路4包括电阻R2和电阻R12，电阻R12一端与储能电容C7的正极相连，另一端与电阻R12一端串联，电阻R12另一端与储能电容C7的负极相连，电阻R2和电阻R12之间的节点与MCU相连。

具体的，当储能电容C7放电时，R12两端的电压成线性下降，MCU检测到电阻R12两端电压≤开启电压阈值时，MCU通过光耦U5打开MOS管Q1，使AC-DC转换电路3正常工作，则储能电容C7开始充电；当MCU检测到电阻R12两端的电压≥关断电压阈值时，MCU通过光耦U5断开MOS管Q1，则 AC-DC转换电路3被断开，储能电容C7开始放电。

以下将结合图4和5，对MCU依据负载端电压，通过控制电路21驱动开关电路20的导通/断开的原理和过程进行说明。

如图4和5所示，所述负载端电压检测电路4的电阻R2和电阻R12之间的节点向MCU输出信号V_CHK(即负载端电压)，MCU比较信号V_CHK与开启电压阈值、关断电压阈值，然后MCU依据比较的结果向光耦U5的第1 管脚输出信号CTK；当信号V_CHK≤开启电压阈值时，MCU向光耦U5的第1 管脚输出的信号CTK为低电平，光耦U5的输出极截止，导致MOS管Q4截止，由于MOS管Q4的截止状态，MOS管Q1的G极和S极之间存在电压差，且MOS管Q1为N沟道MOS管，因此MOS管Q1导通，使AC-DC转换电路3 开启，AC-DC转换电路3的储能电容C7开始充电；当信号V_CHK≥关断电压阈值时，MCU向光耦U5的第1管脚输出的信号CTK为高电平，光耦U5的输出极导通，电阻R11电压升高，导致MOS管Q4工作在饱和区，处于完全导通状态，由于MOS管Q1的开启电压V_th大于MOS管Q1的导通结电压V_DS与二极管D7的结点压的和，所述MOS管Q1处于截止状态，由于MOS管Q1处于截止状态，使得AC-DC转换电路3没有电源输入，电源芯片处于停止工作状态，AC-DC转换电路3没有电压输出，此时储能电容C7开始放电。

本实用新型的电源控制电路，通过储能电容C7的充电/放电过程，使得整个电源控制电路处于间歇式供电状态，降低了整个电源系统的平均功耗，满足在三相电源系统或输入为380V系统中低功耗的要求。

如图5所示，为所述AC-DC转换电路3的一个实施例。

所述AC-DC转换电路3包括电源芯片U1、高频变压器T1和整流滤波电路30，开关电路20与高频变压器T1的初级线圈L0一端相连，初级线圈 LO另一端与电源芯片U1相连，高频变压器T1的次级线圈L1与整流滤波电路30相连。进一步的，如图5所示，所述AC-DC转换电路3还包括输入电容电路33、RCD吸收回路32和反馈回路31，开关电路20通过输入电容电路与初级线圈L0一端相连，初级线圈L0的该端通过RCD吸收回路32与初级线圈L0的另一端相连，反馈回路31与电源芯片U1相连。

优选的，所述电源芯片U1的型号为HF920GSE。

优选的，如图5所示，所述输入电容电路33包括二极管D1、电容EC1、电容EC2、电阻R3、电阻R8、电阻R10和电阻R13，开关电路20与二极管 D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与初级线圈L0的第1端子、电容EC1 的正极相连，电容EC1的负极与电容EC2的正极相连，电容EC2的负极与接地GND相连，电阻R3和电阻R8串联后与电容EC1并联，电阻R10和电阻R13串联后与电容EC2并联。所述电阻R3、电阻R8、电阻R10和电阻13 为等阻值电阻，有利于保证电容EC1和电容EC2两端电压的一致性。

优选的，如图5所示，所述RCD吸收回路32，用于吸收初级线圈L0的漏感，包括电容C2、电阻R5和二极管D6，电阻R5和二极管D6依次串接在初级线圈L0的第1端子和第2端子之间，电容C2与电阻R5并联，二极管D6的阴极与电阻R5相连，初级线圈L0的第2端子分别与二极管D6的阳极、电源芯片U1的第8管脚相连。进一步的，所述初级线圈L0的第1 端子、第2端子分别为初级线圈L0的输入端、输出端。

优选的，如图5所示，所述反馈回路31包括电容C13、MOS管Q2、电阻R29、电容C5、电阻R25、电阻R30、稳压管Z3和电容C9；所述MOS管Q2的D极分别与电源芯片U1的第4管脚、电容C13的一端、电容C5的一端相连，电容C13的另一端与接地GND相连，MOS管Q2的S极通过电阻R29 与接地GND相连，MOS管Q2的G极通过依次串联的电阻R25、电阻R30与接地GND相连，稳压管Z3和电容C9串联后与电阻R30并联，稳压管Z3的阳极分别与电容C5的另一端、电阻R25和电阻R30之间的节点相连，稳压管Z3的阴极通过电容C9与接地GND相连。进一步的，如图5所示，所述稳压管Z3和电容C9之间的节点与15V电源相连。本实用新型的电源控制电路，其反馈回路31能根据输出电压值，调整电源芯片U1内部的PWM，使得输出电压稳定。

优选的，如图5所示，所述电源芯片U1的第3管脚、第5管脚与接地GND相连，第2管脚通过并联的电阻R19和电容C8与接地GND相连，第6 管脚通过电阻R20与接地GND相连，第1管脚通过并联的电容EC3、电容 C4与接地GND相连，电容EC3正极与第1管脚相连，负极与接地GND相连，第1管脚通过二极管D15与15V/500mA电源相连，二极管D15的阴极与第1 管脚相连，阳极与15V/500mA电源相连。

优选的，如图5所示，所述电源芯片U1的第1管脚为VCC管脚，第2 管脚为FSET管脚，第3管脚为PRO管脚，第4管脚为FB管脚，第5管脚为GND管脚，第6管脚为S管脚，第8管脚为D管脚。

需要指出的是，所述15/500mA电源、15V电源均为AC-DC转换电路的输出电源。

如图2和3所示，为所述整流及抗浪涌干扰电路的一个实施例。

所述整流及抗浪涌干扰电路1包括A相输入端、B相输入端、C相输入端、压敏电阻VR1、压敏电阻VR2、压敏电阻VR3、二极管D3、二极管D4 和绕线电阻FR1；所述压敏电阻VR1两端分别与C相输入端和B相输入端相连，压敏电阻VR2两端分别与A相输入端和B相输入端相连，A相输入端与二极管D3的阳极相连，C相输入端与二极管D4的阳极相连，二极管D3阴极和二极管D4的阴极相连后与绕线电阻FR1一端相连，绕线电阻FR1另一端分别与开关控制电路2的开关电路20、压敏电阻VR3一端相连，压敏电阻VR3另一端与B相输入端相连后与接地GND相连。所述压敏电阻VR1、压敏电阻VR2能吸收电源端产生的瞬间浪涌电压或电流，避免后端器件损坏，压敏电阻VR3连接在绕线电阻FR1后端，能吸收压敏电阻VR1、压敏电阻 VR2两端产生的残压。具体的，如图3所示，所述压敏电阻VR1/VR2/VR3的型号均为821KD10，二极管D3/D4的型号均为BF2K，绕线电阻FR1的型号为100R。

优选的，如图2和6所示，本实用新型的电源控制电路还包括LDO芯片U3，LDO芯片U3的第1管脚与储能电容C7的正极相连，第2管脚与接地GND相连，第3管脚与VCC电源相连，且第3管脚通过并联的电容C12 和电容C22与系统接地SGND(系统接地SGND和接地GND等电位)相连。进一步的，所述LDO芯片U3为低压差线性稳压芯片，第1管脚为VIN管脚，第2管脚为GND管脚，第3管脚为VOUT管脚，电容C12和电容C22为LDO 芯片U3的输出端电容，AC-DC转换电路3的储能电容C7和电容C24并联作为LDO芯片U3的输入电容。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细说明，不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新型所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本实用新型的保护范围。

Claims (12)

1.一种电源控制电路，其特征在于，其包括依次相连的整流及抗浪涌干扰电路(1)、开关控制电路(2)、AC-DC转换电路(3)、负载端电压检测电路(4)以及MCU，MCU还与开关控制电路(2)相连；

所述开关控制电路(2)还包括开关电路(20)和控制电路(21)，整流及抗浪涌干扰电路(1)、开关电路(20)和AC-DC转换电路(3)依次相连，MCU、控制电路(21)和开关电路(20)依次相连；

所述MCU依据负载端电压检测电路(4)检测的负载端电压，通过控制电路(21)驱动开关电路(20)导通或断开。

2.根据权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于：所述负载端电压等于或低于开启电压阈值时，MCU通过开关控制电路(2)的控制电路(21)驱动开关控制电路(2)的开关电路(20)导通；所述负载端电压等于或高于关断电压阈值时，MCU通过控制电路(21)驱动开关电路(20)关断；所述开启电压阈值小于关断电压阈值。

3.根据权利要求2所述的电源控制电路，其特征在于：所述AC-DC转换电路(3)包括高频变压器T1和整流滤波电路(30)，整流滤波电路(30)包括储能电容C7，储能电容C7为极性电容，高频变压器T1的次级线圈L1的两端与储能电容C7的两端相连，MCU通过负载端电压检测电路(4)获取储能电容C7两端的电压U_C7，为负载端电压；

所述开关电路(20)处于导通状态时，储能电容C7充电，至U_C7≥关断电压阈值时，MCU通过控制电路(21)驱动开关电路(20)关断；所述开关电路(20)处于关断状态时，储能电容C7放电，至U_C7≤开启电压阈值时，MCU通过控制电路(21)驱动开关电路(20)导通。

4.根据权利要求3所述的电源控制电路，其特征在于：所述负载端电压检测电路(4)包括电阻R2和电阻R12，电阻12一端与储能电容C7的正极相连，另一端与电阻R12一端串联，电阻R12另一端与储能电容C7的负极相连，电阻R2和电阻R12之间的节点与MCU相连。

5.根据权利要求2所述的电源控制电路，其特征在于：所述开关电路(20)包括MOS管Q1、电阻R4、电阻R7、二极管D7和稳压管Z2；所述控制电路(21)包括光耦U5、电阻R9、电阻R11、电容C3和MOS管Q4；所述光耦U5的第1管脚与MCU相连，第2管脚通过电阻R9与接地GND相连，第3管脚与MOS管Q4的G极相连并通过并联的电阻R11和电容C3与MOS管Q4的S极相连，第4管脚和MOS管Q4的D极相连后分别与二极管D7的阴极、稳压管Z2的阴极相连；所述MOS管Q1的D极与整流及抗浪涌干扰电路(1)的输出端相连且通过依次串联的电阻R4、电阻R7与MOS管Q1的G极相连，MOS管Q1的G极与二极管D7的阳极相连，MOS管Q1的S极分别与稳压管Z2的阳极、AC-DC转换电路(3)的输入端、MOS管Q4的S极相连。

6.根据权利要求3所述的电源控制电路，其特征在于：所述整流滤波电路(30)还包括二极管D2、二极管D5、电容C24、电阻R1和电容C1；所述次级线圈L1的一端与二极管D2的阳极相连，二极管D2的阴极与二极管D5的阳极相连，二极管D5的阴极与储能电容C7的正极相连，次级线圈L1的另一端和储能电容C7的阴极均与接地GND相连，二极管D2的阳极和阴极之间还依次串接有电阻R1和电容C1，电容C24与储能电容C7并联。

7.根据权利要求3或6所述的电源控制电路，其特征在于：所述AC-DC转换电路(3)还包括电源芯片U1，开关电路(20)与高频变压器T1的初级线圈L0的一端相连，初级线圈L0的另一端与电源芯片U1相连。

8.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于：所述AC-DC转换电路(3)还包括输入电容电路(33)、RCD吸收回路(32)，开关电路(20)通过输入电容电路(33)与初级线圈L0一端相连，初级线圈L0的该端通过RCD吸收回路(32)与初级线圈L0的另一端相连；

所述输入电容电路(33)包括二极管D1、电容EC1、电容EC2、电阻R3、电阻R8、电阻R10和电阻R13，开关电路(20)与二极管D1的阳极相连，二极管D1的阴极分别与初级线圈L0的一端、电容EC1的正极相连，电容EC1的负极与电容EC2的正极相连，电容EC2的负极与接地GND相连，电阻R3和电阻R8串联后与电容EC1并联，电阻R10和电阻R13串联后与电容EC2并联；

所述RCD吸收回路(32)包括电容C2、电阻R5和二极管D6，电阻R5和二极管D6串接在初级线圈L0的第1端子和第2端子之间，二极管D6的阴极与电阻R5相连，电容C2与电阻R5并联，高频变压器T1的初级线圈L0的第2端子分别与二极管D6的阴极、电源芯片U1的第8管脚相连。

9.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于：所述AC-DC转换电路(3)还包括与电源芯片U1相连的反馈回路(31)；所述反馈回路(31)包括电容C13、MOS管Q2、电阻R29、电容C5、电阻R25、电阻R30、稳压管Z3和电容C9；

所述MOS管Q2的D极分别与电源芯片U1的第4管脚、电容C13的一端、电容C5的一端相连，电容C13的另一端与接地GND相连，MOS管Q2的S极通过电阻R29与接地GND相连，MOS管Q2的G极通过依次串联的电阻R25、电阻R30与接地GND相连，稳压管Z3和电容C9串联后与电阻R30并联，稳压管Z3的阳极分别与电容C5的另一端、电阻R25和电阻R30之间的节点相连，稳压管Z3的阴极通过电容C9与接地GND相连。

10.根据权利要求7所述的电源控制电路，其特征在于：所述电源芯片U1的第3管脚、第5管脚与接地GND相连，第2管脚通过并联的电阻R19和电容C8与接地GND相连，第6管脚通过电阻R20与接地GND相连，第1管脚通过并联的电容EC3、电容C4与接地GND相连，电容EC3正极与第1管脚相连，负极与接地GND相连，第1管脚还通过二极管D15与15V/500mA电源相连，二极管D15的阴极与第1管脚相连，阳极与15V/500mA电源相连。

11.根据权利要求1所述的电源控制电路，其特征在于：所述整流及抗浪涌干扰电路(1)包括A相输入端、B相输入端、C相输入端、压敏电阻VR1、压敏电阻VR2、压敏电阻VR3、二极管D3、二极管D4和绕线电阻FR1；所述压敏电阻VR1两端分别与C相输入端和B相输入端相连，压敏电阻VR2两端分别与A相输入端和B相输入端相连，A相输入端与二极管D3的阳极相连，C相输入端与二极管D4的阳极相连，二极管D3的阴极和二极管D4的阴极相连后与绕线电阻FR1的一端相连，绕线电阻FR1的另一端分别与开关控制电路(2)的开关电路(20)、压敏电阻VR3一端相连，压敏电阻VR3另一端与B相输入端相连后与接地GND相连。

12.根据权利要求3或6所述的电源控制电路，其特征在于：还包括LDO芯片U3，LDO芯片U3的第1管脚与储能电容C7的正极，第2管脚与接地GND相连，第3管脚与VCC电源相连，且通过并联的电容C12和电容C22与接地GND相连。

Images