CN211455946U - 一种新型共面波导到siw的过渡结构 - Google Patents
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Abstract
一种新型共面波导到SIW的过渡结构，设有介质基板，介质基板的上方设有敷铜层，介质基板的下方设有地板，在敷铜层上开设有耦合缝，在耦合缝的两侧分别设有一排连接敷铜层与地板的金属化过孔。本实用新型能够满足常规平板天线的过渡结构的电性能要求，插入损耗也相对较低，并且具有良好的带宽，能够达到37%的带宽；结构简单，易于加工。
Description
技术领域
本实用新型涉及天线技术领域，具体说的是一种新型共面波导到SIW的过渡结构。
背景技术
目前，已经有了关于介质集成波导SIW的许多方案，它们的结构都有所不同，但很少用共面波导的结构进行馈入，原有的集成波导SIW的方案带宽较窄，信息容易小，不利于制成传输带或天线的使用。
实用新型内容
为解决上述技术问题，本实用新型提供一种新型共面波导到SIW的过渡结构，采用有地板的共面波导来进行馈入并经过SIW进行转换，具有良好的带宽。
为实现上述技术目的，所采用的技术方案是：一种新型共面波导到SIW的过渡结构，设有介质基板，介质基板的上方设有敷铜层，介质基板的下方设有地板，在敷铜层上开设有耦合缝，在耦合缝的两侧分别设有一排连接敷铜层与地板的金属化过孔。
本实用新型所述的耦合缝设有两组，两组耦合缝对称开设有在敷铜层的轴向两端，每组耦合缝由两条沿敷铜层轴线对称设置的L形馈线槽组成。
本实用新型所述的耦合缝的两侧的两排金属化过孔平行对称设置。
本实用新型有益效果是：
（1）电性能方面：本实用新型能够满足常规平板天线的过渡结构的电性能要求，插入损耗也相对较低，并且具有良好的带宽，能够达到37%的带宽；
（2）结构方面：结构简单，易于加工。
附图说明
图1是本实用新型的整体结构示意图。
图2是图1的俯视图。
图3是图1的侧面结构示意图。
图4是图1的另一侧面结构示意图。
图5是图1的地板示意图。
图6是图1的驻波仿真结果图和损耗仿真结果图。
图中：1、介质基板，2、敷铜层，3、地板，4、耦合缝，5、金属化过孔。
具体实施方式
本实用新型是一种应用于微波频率无线通信平板天线的过渡结构，其结构简单，成本较低，一致性和可靠性高且电性能良好，具有一定的推广价值。
下面结合附图和具体实施方式对该过渡结构进行详细的说明。
图1所示，其显示了本实用新型具体实施的整体结构，是一种结构简单的共面波导转到SIW的过渡结构，所述的结构主要由5个部分组成，分别是如图中所示的金属化过孔5、耦合缝4、敷铜层2、地板3和介质基板1。
介质基板1的上方设有敷铜层2，介质基板1的下方设有地板3，在敷铜层2上开设有耦合缝4，在耦合缝4的两侧分别设有一排连接敷铜层2与地板3的金属化过孔5，即在两排金属化过孔5之间设有耦合缝4。
耦合缝4设有两组，两组耦合缝对称开设有在敷铜层2的轴向两端，每组耦合缝（4）由两条沿敷铜层2轴线对称设置的L形馈线槽组成。共面波导的末端采用的是一种L型的结构缝进行耦合馈电，通过调节L型末端的长度，可进行调节匹配，以达到良好的带宽及性能要求。
耦合缝4的两侧的两排金属化过孔5平行对称设置。
图2所示，其分别显示了本次过渡结构的俯视结构，所述的金属化过孔呈两排关于介质基板轴线平行分布，所述的敷铜层置于介质基板上方与金属化过孔相连，所述的L型耦合缝在敷铜层中，并且L型缝在两排金属化过孔里边。
图3和图4所示，其显示了本次过渡结构的侧面视图，所述的金属化过孔是穿过介质基板的并且连接着敷铜层与地板。
图5所示，其显示了本次过渡结构的地板方向视图，所述的地板通过金属化过孔连接到上层敷铜层。
图6所示，其显示了本次过渡结构的工作在24GHz到35GHz这个频段内的仿真结果，其回拨损耗在-25dB以下，带宽达到37%。共面波导到SIW的过渡结构，由于其结构简单，易于加工，并且具有良好的电性能，具有一定的推广价值。
该所述的具体实施例，仅仅是对本实用新型的优选方式进行描述，并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下，本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进，均应落入到本实用新型的保护范围，本实用新型请求保护的技术内容，已经全部记载在权利要求书中。
Claims (3)
1.一种新型共面波导到SIW的过渡结构，其特征在于：设有介质基板（1），介质基板（1）的上方设有敷铜层（2），介质基板（1）的下方设有地板（3），在敷铜层（2）上开设有耦合缝（4），在耦合缝（4）的两侧分别设有一排连接敷铜层（2）与地板（3）的金属化过孔（5）。
2.如权利要求1所述的一种新型共面波导到SIW的过渡结构，其特征在于：所述的耦合缝（4）设有两组，两组耦合缝对称开设有在敷铜层（2）的轴向两端，每组耦合缝（4）由两条沿敷铜层（2）轴线对称设置的L形馈线槽组成。
3.如权利要求1所述的一种新型共面波导到SIW的过渡结构，其特征在于：耦合缝（4）的两侧的两排金属化过孔（5）平行对称设置。
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2020
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