CN211426354U - 一种检测倒圆角区域缺陷的传感器 - Google Patents

Abstract

本申请实施例公开了一种检测倒圆角区域缺陷的传感器，其中包括有壳体，壳体具有用于贴合待测构件的倒圆角区域的倒圆角部，倒圆角部由两个侧面组成，倒圆角部的长度为侧面的长度；固定于壳体内部的激励线圈和检测线圈，激励线圈和检测线圈的中轴线分别与倒圆角部的角平分线平行；激励线圈和检测线圈通过一发一收方式连接并沿倒圆角部的长度方向设置；检测仪器，检测仪器与激励线圈和检测线圈分别连接，检测仪器用于将生成的激励信号加载于激励线圈，还用于根据接收的检测线圈产生的检测信息生成对应的阻抗数据、并根据阻抗数据确定待测构件的倒圆角区域是否有缺陷。

Description

一种检测倒圆角区域缺陷的传感器

技术领域

本申请涉及无损检测领域，特别是涉及一种检测倒圆角区域缺陷的传感器。

背景技术

轨道车辆上部分承力构件的局部区域为T型铝合金型材，这些承力构件经过长时间运行，易在内部倒圆角(R角)区域产生缺陷(如裂纹)，而由于受空间结构限制，用于检测T型构件的传感器探头无法到达结构内部的R角区域，导致无法采用传统涡流及渗透等检测方法实施检测。另外，如应用超声检测方法来进行R角区域缺陷的检测，因其使用的耦合剂可能对构件表面的防护漆造成腐蚀，由此也不能满足对R角区域的检测需求。

可见，提供一种可以高效检测倒圆角区域缺陷的设备，是目前亟需解决的问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本申请提供了一种检测倒圆角区域缺陷的传感器，解决了待测构件倒圆角区域因传感器探头不可达而无法实施检测的难题。

本申请实施例公开了如下技术方案：

本申请实施例提供了一种检测倒圆角区域缺陷的传感器，所述传感器包括：

壳体，所述壳体具有用于贴合待测构件的倒圆角区域的倒圆角部，所述倒圆角部由两个侧面组成，所述倒圆角部的长度为所述侧面的长度；

固定于所述壳体内部的激励线圈和检测线圈，所述激励线圈和检测线圈的中轴线分别与所述倒圆角部的角平分线平行；所述激励线圈和检测线圈通过一发一收方式连接并沿所述倒圆角部的长度方向设置；

检测仪器，所述检测仪器与所述激励线圈和检测线圈分别连接，所述检测仪器用于将生成的激励信号加载于所述激励线圈，还用于根据接收的所述检测线圈产生的检测信息生成对应的阻抗数据、并根据阻抗数据确定所述待测构件的倒圆角区域是否有缺陷。

可选的，所述激励线圈为跑道凸台形，其中，靠近所述倒圆角部的所述激励线圈的一端直径小于远离所述倒圆角部表面的所述激励线圈的一端直径。

可选的，所述激励线圈和/或所述检测线圈的一端贴合所述倒圆角部表面。

可选的，所述传感器还包括：

设置于所述壳体内部的激励线圈聚磁磁路，所述激励线圈聚磁磁路位于所述激励线圈的内部，并与所述激励线圈的内部相贴合。

可选的，所述传感器还包括：

设置于所述壳体内部的检测线圈导磁磁路，所述检测线圈导磁磁路位于所述检测线圈的内部，并与所述检测线圈的内部相贴合。

可选的，所述检测线圈包括至少两个相互串联的子线圈，所述子线圈的参数相同，所述参数包括形状、匝数或缠绕方向中的一种或多种。

可选的，所述子线圈的数量为大于一的单数，其中，一个中心子线圈的中轴线与所述倒圆角部的角平分线平行，其余子线圈沿垂直于所述长度的方向与所述中心子线圈并列设置，所述其余子线圈的中轴线垂直于所述侧面，且所述中心子线圈在沿垂直于所述长度的方向上的两侧的子线圈数量相同。

可选的，所述传感器还包括：

设置于所述壳体内部的磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构位于所述激励线圈的外部，所述磁场屏蔽结构与所述激励线圈相贴合。

可选的，所述检测仪器通过信号传输线与所述激励线圈和/或检测线圈连接。

可选的，所述激励线圈的高度高于所述检测线圈的高度。

由上述技术方案可以看出，本申请实施例提供的检测倒圆角区域缺陷的传感器，其中包括有壳体，壳体具有用于贴合待测构件的倒圆角区域的倒圆角部，倒圆角部由两个侧面组成，倒圆角部的长度为侧面的长度；固定于壳体内部的激励线圈和检测线圈，激励线圈和检测线圈的中轴线分别与倒圆角部的角平分线平行；激励线圈和检测线圈通过一发一收方式连接并沿倒圆角部的长度方向设置；检测仪器，检测仪器与激励线圈和检测线圈分别连接，检测仪器用于将生成的激励信号加载于激励线圈，还用于根据接收的检测线圈产生的检测信息生成对应的阻抗数据、并根据阻抗数据确定待测构件的倒圆角区域是否有缺陷。该传感器通过设置适配于待测构件的倒圆角区域的壳体，可与待测构件的倒圆角区域良好配合，仅需要将传感器沿待测构件的外部倒圆角进行扫查，经历短暂的信号采集过程即可完成检测，结构简单，操作方便，提高检测灵敏度和检测效率，解决了待测构件倒圆角区域因传感器探头不可达而无法实施检测的难题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为一种倒圆角的示例图；

图1b为一种构件内部倒圆角区域示意图；

图2为本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器结构图；

图3为本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器检测部位示意图；

图4为本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面结构示意图；

图5a为本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面部分结构视图；

图5b为本申请实施例提供的一种传感器100中激励线圈105与待测构件800的R角区域的相对位置图；

图6为本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面结构视图；

图7为本申请实施例提供的一种传感器100检测待测构件800时激励线圈105与检测线圈103的位置关系示意图；

图8为本申请实施例提供的一种传感器100中检测线圈103与待测构件800的R角区域的位置分布图；

图9为本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面结构视图；

图10为本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器检测部位轴测图；

图11为本申请实施例提供的传感器100中激励线圈105与检测线圈103的内部电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本申请的实施例进行描述。

目前，检测传感器无法很好的对构件内部倒圆角(R角)区域进行检测。为此，本申请实施例提供了一种检测倒圆角区域缺陷的传感器，其中，倒圆角可以是指对工件的两个面的棱角进行加工后的圆弧面的角。参见图1a，该图示出了一种倒圆角的示例图。参见图1b，该图示出了一种构件内部倒圆角区域示意图。

接下来，对本申请实施例提供的检测倒圆角区域缺陷的传感器进行介绍。参见图2，该图示出了本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器结构图，如图2所示，该传感器100可以包括：

壳体101，该壳体101可以具有用于贴合待测构件800(T型构件)的倒圆角区域的倒圆角部，该倒圆角部可以由侧面1和侧面2这两个侧面组成，该倒圆角部的长度l可以为这两个侧面的长度l。这样，可以使得传感器100的倒圆角部与T型构件8的R角区域相贴合。

参见图3，该图示出了本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器检测部位示意图，如图3所示，其中的C-C线可以是指倒圆角部的角平分线，该待测构件800的外部R角区域包括缺陷7(缺陷)。

接下来对传感器100在其倒圆角部的角平分线的剖面结构进行介绍。

参见图4，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面结构示意图，如图4所示，该传感器100包括壳体为101，还包括固定于所述壳体内部的检测线圈103和激励线圈105，激励线圈105的中轴线C2-C2和检测线圈103的中轴线C1-C1分别与倒圆角部的角平分线C-C平行，且激励线圈105和检测线圈103通过一发一收方式(如桥接方式)连接，并沿倒圆角部的长度l方向设置。

其中，可以将激励线圈105与检测线圈103以一发一收方式连接理解为，在向激励线圈105加载激励信号后，激励线圈105可以根据该信号生成对应的电磁场(一发)，该电磁场在进入待测构件800后，可以根据该待测构件800中是否包括缺陷对应生成一个新的电磁场，检测线圈103可以接收到该新的电磁场(一收)。

传感器100还包括检测仪器1010，检测仪器1010与激励线圈105和检测线圈103分别连接，检测仪器1010用于将生成的激励信号加载于激励线圈105，还用于根据接收的检测线圈103产生的检测信息生成对应的阻抗数据，并根据阻抗数据确定待测构件800的倒圆角区域是否有缺陷。

在具体实现中，该传感器100可以随着图2所示的方向进行扫查，且检测仪器1010用于将生成的激励信号加载于激励线圈105，以使得激励线圈105产生的磁场向下传播，使磁场聚集于待测构件800的R角区域产生交变涡流场，交变涡流场产生带有结构特征的交变电磁场。其中，该结构特征是指待测构件800的R角区域的结构特征，若R角区域包括缺陷，该结构特征对应有包括缺陷的特征。然后，该带有结构特征的交变电磁场自下向上到达检测线圈103，从而检测线圈103检测到对应的检测信息，检测仪器1010可以接收该检测信息，以此生成该待测构件800的R角区域的阻抗数据，并根据阻抗数据确定待测构件800的倒圆角区域是否有缺陷。

在具体实现中，检测仪器1010在生成对应的阻抗图后，对阻抗图中最大值进行调零处理，并判断调零后的阻抗图最大值是否处于缺陷警报线内，得到判断结果。若判断结果表示阻抗图最大值处于缺陷警报线内时，确定待测构件800的R角区域不存在缺陷；若判断结果表示阻抗图最大值处于缺陷警报线外时，确定待测构件800的R角区域存在缺陷。其中，缺陷警报线可以是根据实验数据确定的。

通过本申请实施例提供的检测倒圆角区域缺陷的传感器，可以用于对传感器所在侧的另一侧的R角区域确定是否具有缺陷，如图3所示，该传感器100可以检测出传感器所在侧的另一侧的R角区域中的缺陷7。

由上述技术方案可以看出，本申请实施例提供的检测倒圆角区域缺陷的传感器，其中包括有壳体，壳体具有用于贴合待测构件的倒圆角区域的倒圆角部，倒圆角部由两个侧面组成，倒圆角部的长度为侧面的长度；固定于壳体内部的激励线圈和检测线圈，激励线圈和检测线圈的中轴线分别与倒圆角部的角平分线平行；激励线圈和检测线圈通过一发一收方式连接并沿倒圆角部的长度方向设置；检测仪器，检测仪器与激励线圈和检测线圈分别连接，检测仪器用于将生成的激励信号加载于激励线圈，还用于根据接收的检测线圈产生的检测信息生成对应的阻抗数据、并根据阻抗数据确定待测构件的倒圆角区域是否有缺陷。该传感器通过设置适配于待测构件的倒圆角区域的壳体，可与待测构件的倒圆角区域良好配合，仅需要将传感器沿待测构件的外部倒圆角进行扫查，经历短暂的信号采集过程即可完成检测，结构简单，操作方便，提高检测灵敏度和检测效率，解决了待测构件倒圆角区域因传感器探头不可达而无法实施检测的难题。

在一种可能的实现方式中，针对于传感器100中的激励线圈105，参见图5a，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面部分结构视图，如图5a所示，该激励线圈105可以为跑道凸台形，也就是说，该激励线圈的侧视图可以为跑道凸台形。其中，靠近倒圆角部的激励线圈的一端直径小于远离倒圆角部表面的激励线圈的一端直径。参见图5b，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器100中激励线圈105与待测构件800的R角区域的相对位置图，如图5b所示，激励线圈的靠近待测构件800R角区域的一端直径小于远离待测构件800R角区域的一端直径。

由于激励线圈105为跑道凸台形，其中轴线与待测构件800的外部R角区域的角平分线平行，且激励线圈105的下端直径小于上端直径，从而减小了激励线圈105与待测构件800的外部R角区域的距离，进而增大了激励效果，对提高传感器100的灵敏度起关键性作用。

在一种可能的实现方式中，参见图4，激励线圈105和/或检测线圈103的一端贴合倒圆角部表面，从而保证了激励效果和接收交变电磁场的效果。

在一种可能的实现方式中，参见图6，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面结构视图，如图6所示，传感器100还可以包括：设置于壳体101内部的激励线圈聚磁磁路106，激励线圈聚磁磁路106位于激励线圈105的内部，并与激励线圈105的内部相贴合。如此，激励线圈聚磁磁路106可以用于增强激励线圈105产生的激励磁场，还可以用于引导增强激励线圈105产生的激励磁场向下传播至待测构件800的R角区域，从而提高传感器100的灵敏度。

在一种可能的实现方式中，如图6所示，传感器600还可以包括：设置于壳体101内部的检测线圈导磁磁路102，检测线圈导磁磁路102位于检测线圈103的内部，并与检测线圈102的内部相贴合。如此，检测线圈导磁磁路102可以用于将待测构件800的R角区域产生的交变电磁场引导至传感器100的检测线圈103中，从而提高传感器100的灵敏度。

在一种可能的实现方式中，传感器100中可以包括至少两个相互串联的子线圈1031，其中，所述子线圈1031的参数相同，该参数可以包括形状、匝数或缠绕方向中的一种或多种，以加强检测线圈103所检测的信号。参加图7，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器100检测待测构件800时激励线圈105与检测线圈103的位置关系示意图，如图7所示，该传感器100中的检测线圈103可以包括有5个子线圈1031，且激励线圈105与检测线圈103距离为40mm，以达到传感器最佳灵敏度。

在一种可能的实现方式中，检测线圈103中子线圈1031的数量可以为大于1的单数，如5个。其中，在设置这些子线圈1031在传感器100中的位置时，参见图8，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器100中检测线圈103与待测构件800的R角区域的位置分布图。如图8所示，包括一个中心子线圈1031，其中轴线与倒圆角部的角平分线、即待测构件800的R角区域的角平分线平行，而对于其余的偶数个子线圈1031，它们可以沿垂直于长度l的方向与中心子线圈1031并列设置，且其余的这些子线圈1031的中轴线可以垂直于侧面1/侧面2。另外，中心子线圈1031在沿垂直于长度l的方向上的两侧的子线圈1031数量相同，即中心子线圈1031在沿垂直于长度l的方向上的两侧分别具有2个子线圈1031，从而达到对多角度缺陷的检测。

在一种可能的实现方式中，参见图9，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器倒圆角部的角平分线的剖面结构视图，传感器100还可以包括：

设置于壳体101内部的磁场屏蔽结构104，磁场屏蔽结构104位于激励线圈105的外部，磁场屏蔽结构104与激励线圈105的内部相贴合。由此，可以阻碍激励线圈105与检测线圈103的直接耦合，保证了激励线圈105产生的激励磁场向下传输，从而聚集在待测构件800的R角区域产生交变涡流场。

在一种可能的实现方式中，参见图10，该图示出了本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器检测部位轴测图，如图10所示，检测仪器1010可以通过信号传输线与激励线圈105和/或检测线圈103连接。参见图11，该图示出了本申请实施例提供的一种传感器100中激励线圈105与检测线圈103的内部电路示意图，如图11所示，激励线圈105可以通过信号传输线109与检测仪器1010相连接，检测线圈103可以由微型空心圆柱形子线圈串联连接组成，并通过信号传输线109将检测信号传输到检测仪器1010。

在一种可能的实现方式中，激励线圈105的高度高于检测线圈103的高度。

本申请实施例提供的一种检测倒圆角区域缺陷的传感器100，可以包括：金属材质的壳体101，异形激励线圈105、激励线圈聚磁磁路106、阵列微型检测线圈103、检测线圈导磁磁路102和磁场屏蔽结构104。

其中，金属外部壳体可以与T型铝合金材质的待测构件800的外部R角区域紧密贴合，异形激励线圈105可以为跑道凸台形，可以与T型待测构件800的外部R角区域贴合；激励线圈聚磁磁路105可以是实心跑道形、阵列微型检测线圈103可以为空心圆柱形，检测线圈导磁磁路102可以为圆柱形。其中，壳体101可以为铝合金材质，检测线圈导磁磁路102与激励线圈聚磁磁路106的材料可以为锰锌铁氧体，阵列微型检测线圈103与激励线圈105可以是紫铜。磁场屏蔽结构104可以是多层结构，其可以由坡莫合金、紫铜、坡莫合金由内到外构成多层磁场屏蔽结构104。

激励线圈105、激励线圈聚磁磁路106、阵列微型检测线圈103、检测线圈导磁磁路102、多层磁场屏蔽结构104、金属外部壳体101可以由内往外依次装配，其中，激励线圈105、阵列微型检测线圈103的中轴线可以与T型铝合金材质的待测构件800的外部R角区域的角平分线平行。

激励线圈105的下部直径小于上部直径，从而减小了激励线圈与待测线圈800的外部R角区域的距离，增大了激励效果，对提高传感器100灵敏度起关键性作用。

阵列微型检测线圈103由5个微型空心圆柱形子线圈1031串联形成，阵列微型检测线圈103的中心子线圈1031的中轴线平行于待测构件800的外部R角区域的角平分线，中心子线圈1031两侧各分布两个微型空心圆柱形子线圈1031，待测构件800的外部R角区域的两侧的微型空心圆柱形子线圈均匀分布在待测构件800的外部R角区域的两侧，且其轴线与传感器的两侧面垂直。

激励线圈105与激励线圈聚磁磁路106高度相同、阵列微型检测线圈103与检测线圈导磁磁路102高度相同。

传感器100还包括：信号传输线109，激励线圈105与阵列微型检测线圈103通过信号传输线109与检测仪器1010连接。

传感器100的金属外部壳体101、异形激励线圈105、激励线圈聚磁磁路106、阵列微型检测线圈103、检测线圈导磁磁路102、多层磁场屏蔽结构104可以由环氧树脂连接及保护。

激励线圈105的高度可以为阵列微型检测线圈103的高度的4倍，激励线圈聚磁磁路106与激励线圈105内壁贴合，各检测线圈导磁磁路102外壁与阵列微型检测线圈103的个子线圈内壁贴合；激励线圈105装配于多层磁场屏蔽结构104内部，多层磁场屏蔽结构104外壁与金属外部壳体101相配合，阵列微型检测线圈103与外部金属壳体101相配合。激励线圈聚磁磁路105将激励线圈105产生的磁场经由激励线圈聚磁磁路106的引导向下传播，多层磁场屏蔽结构104由导磁材料坡莫合金及抗磁材料紫铜构成，对于低频弱磁场及高频强磁场均有优异的电磁屏蔽效果，阻碍了激励线圈105与阵列微型检测线圈103的直接耦合路径，以使电磁场向下传播，使磁场聚集于待测构件800的外部R角区域产生交变涡流场，交变涡流场产生带有结构特征的交变电磁场。检测线圈导磁磁路102将带有结构特征的交变电磁场自下向上引导，以到达阵列微型检测线圈103，提高了传感器100的灵敏度。

阵列微型检测线圈103由5个微型空心圆柱形子线圈串联形成，阵列微型检测线圈103的中心微型空心圆柱子线圈的中轴线平行于构件外R角的角平分线，两侧各分部两个微型空心圆柱形子线圈，R角两侧的微型空心圆柱形子线圈均匀分布在外R角两侧，且其轴线与两侧垂直。阵列微型检测线圈103的各微型空心圆柱子线圈形状和匝数及缠绕方向相同，阵列微型检测线圈103的各微型空心圆柱子线圈沿T形待测构件800的两直边及R角均匀分布，从而达到对多角度缺陷的检测。

通过以上的实施方式的描述可知，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法中的全部或部分步骤可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者诸如媒体网关等网络通信设备，等等)执行本申请各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

需要说明的是，本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种检测倒圆角区域缺陷的传感器，其特征在于，所述传感器包括：

壳体，所述壳体具有用于贴合待测构件的倒圆角区域的倒圆角部，所述倒圆角部由两个侧面组成，所述倒圆角部的长度为所述侧面的长度；

固定于所述壳体内部的激励线圈和检测线圈，所述激励线圈和检测线圈的中轴线分别与所述倒圆角部的角平分线平行；所述激励线圈和检测线圈通过一发一收方式连接，并沿所述倒圆角部的长度方向设置；

检测仪器，所述检测仪器与所述激励线圈和检测线圈分别连接，所述检测仪器用于将生成的激励信号加载于所述激励线圈，还用于根据接收的所述检测线圈产生的检测信息生成对应的阻抗数据、并根据阻抗数据确定所述待测构件的倒圆角区域是否有缺陷。

2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述激励线圈为跑道凸台形，其中，靠近所述倒圆角部的所述激励线圈的一端直径小于远离所述倒圆角部表面的所述激励线圈的一端直径。

3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述激励线圈和/或所述检测线圈的一端贴合所述倒圆角部表面。

4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器还包括：

设置于所述壳体内部的激励线圈聚磁磁路，所述激励线圈聚磁磁路位于所述激励线圈的内部，并与所述激励线圈的内部相贴合。

5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器还包括：

设置于所述壳体内部的检测线圈导磁磁路，所述检测线圈导磁磁路位于所述检测线圈的内部，并与所述检测线圈的内部相贴合。

6.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述检测线圈包括至少两个相互串联的子线圈，所述子线圈的参数相同，所述参数包括形状、匝数或缠绕方向中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述子线圈的数量为大于一的单数，其中，一个中心子线圈的中轴线与所述倒圆角部的角平分线平行，其余子线圈沿垂直于所述长度的方向与所述中心子线圈并列设置，所述其余子线圈的中轴线垂直于所述侧面，且所述中心子线圈在沿垂直于所述长度的方向上的两侧的子线圈数量相同。

8.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器还包括：

设置于所述壳体内部的磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构位于所述激励线圈的外部，所述磁场屏蔽结构与所述激励线圈相贴合。

9.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述检测仪器通过信号传输线与所述激励线圈和/或检测线圈连接。

10.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述激励线圈的高度高于所述检测线圈的高度。

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