CN211296188U - 一种防止适配器反接的装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及适配器供电技术,其公开了一种防止适配器反接的装置,防止适配器反向供电烧毁后级电路,提高电子产品的可靠性。该装置包括:控制芯片、第一NMOS管、第二NMOS管、第一至第三电阻以及第一至第三电容;适配器输入端通过所述第一电容接地,并通过所述第一电阻与第二电阻组成的分压电路接地;所述分压电路的分压点连接第二NMOS管的栅极;所述第二NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极,并接入控制芯片的门控端;所述第一NMOS管的漏极通过第二电容与第三电容的并联电路接地,并连接输出负载;所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接适配器输入端。
Description
技术领域
本实用新型涉及适配器供电技术,具体涉及一种防止适配器反接的装置。
背景技术
现在市场上便携式电子产品较多,便携式电子产品供电方式一般采用适配器+锂电池的供电方式。由于适配器接口差异导致适配器在接入设备时存在反向插入情况,此时便携式电子产品的供电存在反向情况,容易导致后级电路损坏。
因此,有必要提出一种防止适配器反接的装置,防止适配器反向供电烧毁后级电路。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:提出一种防止适配器反接的装置,防止适配器反向供电烧毁后级电路,提高电子产品的可靠性。
本实用新型解决上述技术问题采用的技术方案是:
一种防止适配器反接的装置,包括:控制芯片、第一NMOS管、第二NMOS管、第一至第三电阻以及第一至第三电容;适配器输入端通过所述第一电容接地,并通过所述第一电阻与第二电阻组成的分压电路接地;所述分压电路的分压点连接第二NMOS管的栅极;所述第二NMOS管的漏极连接第一NMOS管的栅极,并接入控制芯片的门控端;所述第一NMOS管的漏极通过第二电容与第三电容的并联电路接地,并连接输出负载;所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均连接适配器输入端。
本实用新型的有益效果是:
基于上述装置电路结构的设计,在正常接入适配器时,能够正常为输出负载供电;当适配器反接时,适配器无输出电流,从而防止适配器反向供电烧毁后级电路,提高便携式电子产品可靠性;该装置电路结构简单,实现成本低,且能够有效保护电子产品。
附图说明
图1为本实用新型实施例中的防止适配器反接的装置电路结构图;
图中,UP1为控制IC,CP1为第一电容,CP2为第二电容,CP3为第三电容,RP1为第一电阻,RP2为第二电阻,RP3为第三电阻,QP1为第一NMOS管,QP2为第二NMOS管。
具体实施方式
本实用新型旨在提出一种防止适配器反接的装置,防止适配器反向供电烧毁后级电路,提高电子产品的可靠性。
实施例:
如图1所示,本实施例中的防止适配器反接的装置包括控制IC UP1、第一NMOS管QP1、第二NMOS管QP2、第一至第三电阻RP1-RP3以及第一至第三电容CP1-CP3;适配器输入端通过所述第一电容CP1接地,并通过所述第一电阻RP1与第二电阻RP2组成的分压电路接地;所述分压电路的分压点连接第二NMOS管QP2的栅极;所述第二NMOS管QP2的漏极连接第一NMOS管QP1的栅极,并接入控制IC UP1的门控端;所述第一NMOS管QP1的漏极通过第二电容CP2与第三电容CP3的并联电路接地,并连接输出负载;所述第一NMOS管QP1的源极和第二NMOS管QP2的源极均连接适配器输入端。
上述电路的工作原理是:
当正常接入适配器,12V输入电压通过RP1和RP2分压,第二NMOS管QP2的第1脚电压小于控制IC UP1的第3脚ACGATE自举输出电压(此自举输出电压高于适配器输入电压),因此第二NMOS管QP2处于关断状态,第一NMOS管QP1由于控制IC UP1的第3脚ACGATE自举输出电压高于适配器输入电压而处于开启状态,适配器能够正常给负载供电。
当适配器反接时,第二NMOS管QP2的1脚电压高于第二NMOS管QP2的第3脚电压,从而使第二NMOS管QP2导通,将控制IC UP1的第3脚ACGATE连接到地,第二NMOS管QP2第2脚电压、第一NMOS管QP1第2脚电压和控制IC UP1的第3脚ACGATE电压相等,因此第一NMOS管QP1处于关断状态,适配器无电流输出,由此可以避免在反接时对后级电路带来的损害。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,应当指出的是,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种防止适配器反接的装置,其特征在于,
包括:控制芯片(UP1)、第一NMOS管(QP1)、第二NMOS管(QP2)、第一至第三电阻(RP1-RP3)以及第一至第三电容(CP1-CP3);
适配器输入端通过所述第一电容(CP1)接地,并通过所述第一电阻(RP1)与第二电阻(RP2)组成的分压电路接地;所述分压电路的分压点连接第二NMOS管(QP2)的栅极;所述第二NMOS管(QP2)的漏极连接第一NMOS管(QP1)的栅极,并接入控制芯片(UP1)的门控端;所述第一NMOS管(QP1)的漏极通过第二电容(CP2)与第三电容(CP3)的并联电路接地,并连接输出负载;所述第一NMOS管(QP1)的源极和第二NMOS管(QP2)的源极均连接适配器输入端。
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN211296188U true CN211296188U (zh) | 2020-08-18 |
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Family Applications (1)
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CN202020318888.4U Active CN211296188U (zh) | 2020-03-13 | 2020-03-13 | 一种防止适配器反接的装置 |
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- 2020-03-13 CN CN202020318888.4U patent/CN211296188U/zh active Active
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