CN211266476U - 电源防反接电路和电源电路 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种电源防反接电路和电源电路。电源防反接电路中，开关模块利用两个开关管与P型MOS管搭配，可根据接地端的电平高低，关断或导通P型MOS管。在电源接入短路时，P型MOS管在主干路切断回路，从而保护外围电路的元器件。运用于电源充放电场合时，若电源正确接入，则可利用P型MOS管的低导通阻抗，实现大电流充放电而产生较小热升；若电源非正确接入，则主干路P型MOS管关断，电流回路断开，保护电源及外围电路。即，本申请实施例可用于单向防反接和双向防反接，具备通用性；同时，电路的功能强大，无需辅助电源，成本低廉，能够保护电源和外围电路不受损坏，具有高可靠性。

Description

电源防反接电路和电源电路

技术领域

本申请涉及电路技术领域，特别是涉及一种电源防反接电路和电源电路。

背景技术

电源防反接技术主要包括物理层防反接和电路层防反接。物理防反接是采用物理结构方式在安装上做到防反接，比如手机电池安装，防反接接口等等；虽然其应用十分广泛，但该方式不够灵活。而电路防反接是利用集成电路IC(Integrated Circuit)和分立元器件搭配，自动实现防反接作用，保护电路正常工作。

在实现过程中，发明人发现传统技术中至少存在如下问题：单一方向的防反接电路设计功能单一，不能复用到充放电一体的电源的防反接中。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统的电路防反接不适用于双向充放电场合的问题，提供一种电源防反接电路和电源电路。

为了实现上述目的，一方面，本申请实施例提供了一种电源防反接电路，包括：

P型MOS管；P型MOS管的漏极用于连接直流电源的第一电极，P型MOS管的源极用于连接电压传输端口；

接地端，用于连接直流电源的第二电极；

开关模块，包括第一开关管和第二开关管；第一开关管的第一极连接P型MOS管的栅极，且通过第一电阻连接P型MOS管的源极；第一开关管的第二极连接接地端；第二开关管的第一极连接第一开关管的控制极，且通过第二电阻连接P型MOS管的源极；第二开关管的第二极用于连接直流电源的第一电极；第二开关管的控制极连接接地端；

开关模块在接地端的电平大于0V时，关断P型MOS管。

在其中一个实施例中，第一开关管为NPN型三极管或N型MOS管；

第二开关管为NPN型三极管或N型MOS管。

在其中一个实施例中，电源防反接电路还包括：

电流抑制电路，连接在P型MOS管的漏极和直流电源的第一电极之间。

在其中一个实施例中，电流抑制电路包括电感；

电感的第一端连接P型MOS管的漏极，电感的第二端用于连接直流电源的第一电极。

在其中一个实施例中，电源防反接电路还包括：

电压抑制电路；电压抑制电路的第一端连接P型MOS管的漏极；电压抑制电路的第二端连接接地端。

在其中一个实施例中，电压抑制电路包括第一电容；

第一电容的第一端连接P型MOS管的漏极；第一电容的第二端连接接地端。

在其中一个实施例中，电源防反接电路还包括第二电容；

第二电容的第一端连接P型MOS管的栅极；第二电容的第二端连接接地端。

在其中一个实施例中，电源防反接电路还包括：

第三电阻，连接在第一开关管的第一极和P型MOS管的栅极之间；

第四电阻，连接在第二开关管的控制极和接地端之间。

在其中一个实施例中，电源防反接电路还包括充放电模块。充放电模块的第一传输端口连接电压传输端口，充放电模块的第二传输端口连接接地端。

另一方面，本申请实施例还提供了一种电源电路，包括：

直流电源；

如上述的电源防反接电路。

上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果：

基于上述结构，开关模块利用两个开关管与P型MOS管搭配，可根据接地端的电平高低，关断或导通P型MOS管。在电源接入短路时，P型MOS管在主干路切断回路，从而保护外围电路的元器件。运用于电源充放电场合时，若电源正确接入，则可利用P型MOS管的低导通阻抗，实现大电流充放电而产生较小热升；若电源非正确接入，则主干路P型MOS管关断，电流回路断开，保护电源及外围电路。即，本申请实施例可用于单向防反接和双向防反接，具备通用性；同时，电路的功能强大，无需辅助电源，成本低廉，能够保护电源和外围电路不受损坏，具有高可靠性。

附图说明

通过附图中所示的本申请的优选实施例的更具体说明，本申请的上述及其它目的、特征和优势将变得更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分，且并未刻意按实际尺寸等比例缩放绘制附图，重点在于示出本申请的主旨。

图1为一个实施例中电源防反接电路的第一示意性结构图；

图2为一个实施例中电源防反接电路的第二示意性结构图；

图3为一个实施例中电源防反接电路的第三示意性结构图；

图4为一个实施例中电源防反接电路的第四示意性结构图；

图5为一个实施例中电源电路的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体，或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“第一极”、“第二极”、“第一端”以及“第二端”等类似的表述只是为了说明的目的。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

目前，行业内物理层防反接和电路层防反接均有大量运用，对于电路繁杂，集成度较高，大功率等场合，选用物理结构式防反接，易于生产制造；而对于定制产品，自由度高等场合，选用电路级防反接较为合适。但是，物理防反接对于类似18650电池这种的结构无法设计有效防反接接口；一般的防反接电路设计功能单一，只能作为单一方向电路的防反接，不能复用到如充放电一体的锂电池的防反接中；并且，一般可靠性高的电源防反接电路需要逻辑控制，需要辅助电源加入，设计繁琐且成本高。

为此，本申请实施例提出的一种多用途的电源防反接电路，具有可拓展运用的优势，适用于一般的电源防反接电路，也适用于比较复杂的充放电一体式的锂电池防反接电路，很大程度上提高防反接电路的通用性和普适性。在工业生产制造或者消费电子制造，可为使用者提供较高的安全保障。

具体地，本申请实施例通过开关管和P型MOS管搭配，极低成本地实现多种运用背景下的防反接功能，能够灵活运用在不同场合，主要特点包括：

1.替代一般性质的防反接电路，在检测到电源反接之后，迅速关闭P型MOS管开关，断开系统电流回路，可靠性高；基于此，本申请实施例可在单向电源防反接电路中，保证集成芯片等外围器件不受电源反接的损坏，且抗干扰能力强。

2.可适用于锂电池充放电一体电路。锂电池充电放电双向进行，一般的解决方案是利用物理结构设计做防反接处理，但这种方式显然增加结构设计难度。本申请实施例可利用2个开关管的逻辑配合，驱动P型MOS管(金氧半场效晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)导通或关断，实现充放电一体的电路级防反接。

3.本申请实施例具有低成本，高可靠性的优势，利用数个分立元件，以纯硬件的逻辑方式实现功能通用的防反接电路设计，无需控制器和辅助电源的参与，简化设计难度，降低电路应用的难度。

在一个实施例中，提供了一种电源防反接电路，如图1所示，包括：

P型MOS管；P型MOS管的漏极用于连接直流电源的第一电极，P型MOS管的源极用于连接电压传输端口。

接地端，用于连接直流电源的第二电极。

开关模块，包括第一开关管和第二开关管。第一开关管的第一极连接P型MOS管的栅极，且通过第一电阻连接P型MOS管的源极；第一开关管的第二极连接接地端。第二开关管的第一极连接第一开关管的控制极，且通过第二电阻连接P型MOS管的源极；第二开关管的第二极用于连接直流电源的第一电极；第二开关管的控制极连接接地端。

开关模块在接地端的电平大于0V时，关断P型MOS管。

具体而言，电源防反接电路包括P型MOS管、接地端和开关模块。P型MOS管的漏极连接直流电源的第一电极，源极连接电压传输端口，可用于关断或导通直流电源与电压传输端口之间的回路。接地端连接直流电源的第二电极；连接接地端的各电极均与直流电源的第二电极电连接。开关模块可根据接地端的电平，驱动P型MOS管关断或导通。具体地，开关模块至少包括两个开关管；P型MOS管的漏极连接直流电源的第一电极，栅极连接第一开关管的第一极，源极连接电源传输端口；并且，P型MOS管的源极通过第一电阻连接第一开关管的第一极，且通过第二电阻分别连接第二开关管的第一极和第一开关管的控制极；第一开关管的第二极连接接地端；第二开关管的第二极连接直流电源的第一极，控制极连接接地端。示例性地，第二开关管可根据接地端的电平实现导通或截断，进一步地，第一开关管可根据第二开关管的状态实现导通或截断，进而可改变P型MOS管的栅源电压大小，导通或截断P型MOS管，实现对直流电源与电压传输端口之间的通断控制。例如，在直流电源出现反接时，接地端的电平被拉高，开关模块中的第一开关管可保持断开状态，以使P型MOS管截断，进而断开电源回路，保护电源及外围电路。

在一个示例中，在直流电源连接正确时，P型MOS管由于自身体二极管存在，开关管导通，已经给电源传输端口提供稳定电源；体二极管自身导通压降较大，功耗较大，此时，由于接地端的电平为0，开关模块中的第一开关管可保持导通状态，以使P型MOS管完全导通，电能从低导通阻抗的MOS管输出，为电源传输端口通过安全电源，同时大幅降低MOS管功耗。

基于此，不管在直流电源对电压传输端口进行放电的模式，还是在电压传输端口对直流电源进行充电的模式，开关模块均可根据接地端的电平变化确认是否直流电源是否反接，并能够在出现直流电源反接时、通过P型MOS管关断电源回路。

需要说明的是，P型MOS管的漏极连接直流电源的第一电极，源极连接电压传输端口；直流电源正确接入时的瞬时电流可通过P型MOS管的体二极管，从源极传输出来；示例性地，P型MOS管可为P沟道MOS管。开关模块用于在直流电源反接时，关断P型MOS管；在实现该逻辑功能的前提下，第一开关管和第二开关管可根据实际需求，选用相应类型的开关三极管或MOS管等，同时，第一电阻和第二电阻可用于保护开关管，其阻值可根据实际电路需求进行设置。应该注意的是，开关模块中的电路连接结构可根据实际需求进行设计，开关管的选型与具体的电路设计相关，此处不做具体限定；同时，开关模块还可包括其他开关管或器件，用于保护、扩展或匹配外围电路的工作需求等，例如限流电阻、上拉电阻、反相器及分压电阻等，此处不做具体限定。还应该说明的是，本申请实施例中的开关管和MOS管均可工作在饱和以及截止区域，起开关作用而无放大要求，即，本申请实施例运用硬件逻辑关系即可实现双向电路防反接，具有高可靠性和稳定性。

电压传输端口用于连接外部的系统或外围电路等；具体地，电压传输端口可基于直流电源为系统供电，也可基于系统为直流电源充电。本申请实施例涉及的直流电源可为为系统供电的直流供电电源，还可为系统的储备电池，能够为系统供电也可接受系统充电。

本申请实施例的电路拓扑结构具有可靠性高、成本低和通用性强等特点，可支持拓展运用到不同方向，支持双向充放电场合下的电路防反接。具体地，本申请实施例可用于传统意义上的防反接需要场合，无需辅助电源，成本低廉，且采用纯硬件实现，电路拓扑简单，具有高可靠性。

本申请实施例支持锂电池充放电管理应用，可防止电池防反接造成系统产生不可恢复的损伤；在锂电池正常接入时，锂电池电池可给系统正常供电，也可由外部电源给锂电池充电，实现双向电路一体化；若是锂电池反向接入，则开关模块根据接地端的电平变化，驱动P型MOS管切断电流回路，从而达成保护系统的目的。

在一个实施例中，如图2所示，第一开关管Q1为NPN型三极管。

具体而言，第一开关管Q1可选用NPN型三极管，集电极连接P型MOS管Q3的栅极，且通过第一电阻连接P型MOS管Q3的源极；第一开关管Q1的发射极连接接地端，基极连接第二开关管Q2的第一极，且通过第二电阻连接P型MOS管Q3的源极。进一步地，第一电阻可为上拉电阻，能够起限流的作用，其阻值可根据实际电路需求进行设置。

在一个实施例中，第一开关管为N型MOS管。

具体而言，第一开关管可选用N型MOS管，漏极连接P型MOS管的栅极，且通过第一电阻连接P型MOS管的源极；第一开关管的源极连接接地端，栅极连接第二开关管的第一极，且通过第二电阻连接P型MOS管的源极。

在一个实施例中，如图2所示，第二开关管Q2为NPN型三极管。

具体而言，第二开关管Q2的集电极连接第一开关管Q1的控制极，且通过第二电阻连接P型MOS管Q3的源极；第二开关管Q2的发射极连接直流电源的第一电极，基极连接接地端且连接直流电源的第二电极。进一步地，第二电阻可为上拉电阻，能够起限流的作用，其阻值可根据实际电路需求进行设置。

在一个实施例中，第二开关管为N型MOS管。

具体而言，第二开关管的漏极连接第一开关管的控制极，且通过第二电阻连接P型MOS管的源极；第二开关管的源极连接直流电源的第一电极，栅极连接接地端且连接直流电源的第二电极。

在一个实施例中，电源防反接电路还包括：

电流抑制电路，连接在P型MOS管的漏极和直流电源的第一电极之间。

具体而言，在P型MOS管的漏极和直流电源的第一电极之间设置有电流抑制电路。电流抑制电路用于在直流电源接入时，抑制电流瞬变，减缓直流电源接入瞬间对MOS管的冲击，保护MOS管，进一步提高本申请实施例的可靠性。示例性地，电流抑制电路可采用现有的浪涌电流抑制电路来实现，也可主要由电感来实现，还可根据实际电源规格来设置，此处不做具体限定。

在一个实施例中，电流抑制电路包括电感；电感的第一端连接P型MOS管的漏极，电感的第二端用于连接直流电源的第一电极。

具体而言，在P型MOS管的漏极和直流电源的第一电极之间设置电感，可用于抑制电流瞬变，减缓直流电源接入瞬间对MOS管的冲击，且降低电流抑制电路的成本。

在一个实施例中，电源防反接电路还包括：

电压抑制电路；电压抑制电路的第一端连接P型MOS管的漏极；电压抑制电路的第二端连接接地端。

具体而言，在P型MOS管的漏极和直流电源的第二极之间设有电压抑制电路，可用于抑制P型MOS管源极的电压突变，从而减缓接入电源瞬间对MOS管的冲击，保护MOS管，进一步提高本申请实施例的可靠性。示例性地，电压抑制电路可采用现有的浪涌电压抑制电路来实现，也可主要由电容来实现，还可根据实际电源规格来设置，此处不做具体限定。

在一个实施例中，电压抑制电路包括第一电容；第一电容的第一端连接P型MOS管的漏极；第一电容的第二端连接接地端。

具体而言，在P型MOS管的漏极和直流电源的第二极之间设有第一电容，可用于抑制P型MOS管源极的电压突变，从而减缓接入电源瞬间对MOS管的冲击，且降低电压抑制电路的成本。

在一个实施例中，电源防反接电路还包括第二电容；第二电容的第一端连接P型MOS管的栅极；第二电容的第二端连接接地端。

具体而言，在P型MOS管的栅极和直流电源的第二极之间还设有第二电容；第二电容作为旁路电容，可用于防止对P型MOS管的栅极的冲击，保护MOS管，进一步提高本申请实施例的可靠性。

在一个实施例中，电源防反接电路还包括：

第三电阻，连接第一开关管的第一极和P型MOS管的栅极之间。

具体而言，在第一开关管的第一极和P型MOS管的栅极之间设有第三电阻，可起缓冲的作用，防止对P型MOS管的栅极的冲击，保护MOS管，进一步提高本申请实施例的可靠性。

在一个实施例中，电源防反接电路还包括：

第四电阻，连接在第二开关管的控制极和接地端之间。

具体而言，在第二开关管的控制极和接地端之间设有第四电阻，可起限流的作用，防止直流电源反接对第二开关管造成的冲击，保护开关模块，进一步提高本申请实施例的可靠性。

在一个示例中，如图3所示，V_OUT用于给后级的系统提供安全电源，直流电源DC接入，上正下负时电源接入正常，由于GND(接地端)电平为0，Q2的基极输入电流为0，作为NPN型三极管Q2关断，此时Q1的基极电平被拉高，NPN型三极管Q1饱和导通，Q1集电极电平被拉低，P型MOS管Q3的Vgs为-V_DC，故Q3导通，输出电压V_OUT，为系统提供安全电源。一旦直流电源DC反接，分析如上，P型MOS管Q3关断，电源电流回路被关断，安全保护系统。

具体而言，直流电源DC接入瞬间，电感L1抑制电流瞬变，第一电容C1抑制P型MOS管Q3源极电压突变，从而减缓接入电源瞬间对MOS管的冲击，保护MOS管不受损坏。电源上正下负接入，P型MOS管Q3由于自身体二极管存在，开关管导通，已经给系统提供稳定电源。但体二极管自身导通压降较大，功耗较大。接着由于GND电平为0，Q2的基极输入电流为0，作为NPN型三极管Q2关断，此时Q1的基极电平被拉高，NPN型三极管Q1饱和导通，Q1集电极电平被拉低，P型MOS管Q3的Vgs为-V_DC，故Q3完全导通，接入瞬间、流经体二极管为系统提供的电能，改为流经低导通阻抗的MOS管输出的电能，为系统提供安全电源；同时，MOS管自身功耗大幅度降低。然而，一旦直流电源DC反接，地电平拉高，正输入电压被拉低，Q2的基极电平拉高，作为NPN型三极管Q2导通，此时Q1的基极电平被拉低，NPN型三极管Q1关断，Q1集电极电平被拉高，P型MOS管Q3的Vgs为V_OUT≥0，故Q3关断，电源回路被关断，从而达到防反接的目的。P型MOS管关断，电源电流回路被关断，安全保护系统。

在一个实施例中，电源防反接电路还包括充放电模块；充放电模块的第一传输端口连接电压传输端口，充放电模块的第二传输端口连接接地端。

具体而言，电源防反接电路还可设有充放电模块。充放电模块的第一传输端口连接电压传输端口，第二传输端口连接直流电源的第二电极；基于此，充放电模块可基于直流电源向系统或外围电路供电，也可基于外部电源向直流电源充电。进一步地，充放电模块还可包括用于连接外部电路的第一电极和第二电极。在一个示例中，充放电模块还包括用于连接系统总电源的电源端口；基于此，系统总电源可作为系统或外围电路的主电源，而直流电源作为备用电源；系统总电源可为系统或外围电路供电，还可通过充放电模块为直流电源充电。具体地，充放电模块可用于对直流电源进行充放电管理，可主要由充放电芯片和电源端口等构成，此外不做具体限定。

在一个示例中，如图4所示，V_SYS用于给后级的系统提供安全电源；锂电池电源接入，此时V2可作为充放电电源接口，可为系统供给电压，也可作为系统总电源为锂电池充电接口，只要锂电池上正下负正常接入，则GND电平为0，Q2的基极输入电流为0，作为NPN型三极管Q2关断，此时Q1的基极电平被拉高，NPN型三极管Q1饱和导通，Q1集电极电平被拉低，P型MOS管Q3的Vgs为-V_Battery，故Q3导通，输出电压或输入电压为V2，为系统提供安全电源，经过锂电池充放电模块的输出电压为V_SYS，或者系统总电源通过锂电池充放电管理方案给锂电池安全充电。然而一旦锂电池反接，分析如上，P型MOS管关断，锂电池充放电回路被切断，保护系统和锂电池安全。进一步地，此时若有系统总电源接入，则系统仍可以正常工作。

具体而言，考虑到工厂生产不规范或者用户使用不当会导致锂电池反方向接入电路，因此，本申请实施例还可用于防反接对象是锂电池的电路中。具体地，VCC为系统总供电电源，锂电池作为辅助电源，当VCC作为系统提供电源，可为锂电池充电，当VCC没有接入的时候，由辅助电源锂电池为系统提供电源。锂电池反接且VCC有接入时，系统给锂电池负极充电，影响电池寿命；若锂电池反接且VCC无接入时，锂电池为系统提供能量，由于负电压接入，会破坏系统，造成不可逆损坏。

系统总电源和辅助电源锂电池均可通过充放电模块为系统供电，系统输出电源只有一个V_SYS。系统总电源和锂电池任意一个存在，系统均可以工作。由于存在防反接电路，即使锂电池反向接入，也不会损坏系统，若此时存在系统总电源，则系统仍可正常工作。

锂电池正常接入，电感L1抑制电流瞬变，第一电容C1抑制P型MOS管源极电压突变，从而减缓接入电源瞬间对MOS管的冲击，保护MOS管不受损坏。锂电池上正下负接入，若是无系统总电源VCC接入，P型MOS管由于自身体二极管存在，开关管导通，已给系统提供稳定电源。但体二极管自身导通压降较大，功耗较大。接着，由于GND电平为0，Q2的基极输入电流为0，作为NPN型三极管Q2关断，此时Q1的基极电平被拉高，NPN型三极管Q1饱和导通，Q1集电极电平被拉低，P型MOS管Q3的Vgs为-V_Battery，故Q3完全导通，接入瞬间、流经体二极管为系统提供的电能，改为流经低导通阻抗的MOS管输出电能，进而为系统提供安全电源V_SYS，同时，MOS管自身功耗大幅度降低。

若有系统总电源VCC接入，如上述描述一样，P型MOS管Q3的Vgs为-V_Battery，Q3完全导通，系统总电源转成V2，可对锂电池进行管理充电。一旦锂电池反接，地电平拉高，正输入电压被拉低，Q2的基极电平拉高，作为NPN型三极管Q2导通，此时Q1的基极电平被拉低，NPN型三极管Q1关断，Q1集电极电平被拉高，P型MOS管Q3的Vgs为V2≥0，故Q3关断，电池接入回路被关断，锂电池充电或者放电都进行不了，从而达到防反接的目的，安全保护系统；此时，接入系统总电源VCC、V_SYS输出正常，不影响系统正常工作。

在一个实施例中，提供了一种电源电路，包括：

直流电源；

如上述的电源防反接电路。

具体而言，电源防反接电路连接直流电源的两个电极，在直流电源反接时，及时断开电源回路，保护电源及外围电路。直流电源可为单向的供电电源，也可为充放电电源。

在一个示例中，如图5所示，V1可为给系统供电的直流电源，也可为系统的储备电源(锂电池)。只要V1接入正确无反接，Q2的基极输入电流为0，作为NPN型三极管Q2关断，此时Q1的基极电平被拉高，NPN型三极管Q1饱和导通，Q1集电极电平被拉低，P型MOS管Q3的Vgs为-V1，故Q3导通；基于此，接入电源双向充放电在同一个电路拓扑中均可实现防反接功能。一旦V1反接，地电平拉高，正输入电压被拉低，Q2的基极电平拉高，作为NPN型三极管Q2导通，此时Q1的基极电平被拉低，NPN型三极管Q1关断，Q1集电极电平被拉高，P型MOS管Q3的Vgs为V2-V1(V1＝0V)，故Q3关断，电源回路被关断，从而达到防反接的目的。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种电源防反接电路，其特征在于，包括：

P型MOS管；所述P型MOS管的漏极用于连接直流电源的第一电极，所述P型MOS管的源极用于连接电压传输端口；

接地端，用于连接所述直流电源的第二电极；

开关模块，包括第一开关管和第二开关管；所述第一开关管的第一极连接所述P型MOS管的栅极，且通过第一电阻连接所述P型MOS管的源极；所述第一开关管的第二极连接所述接地端；所述第二开关管的第一极连接所述第一开关管的控制极，且通过第二电阻连接所述P型MOS管的源极；所述第二开关管的第二极用于连接所述直流电源的第一电极；所述第二开关管的控制极连接所述接地端；

所述开关模块在所述接地端的电平大于0V时，关断所述P型MOS管。

2.根据权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，

所述第一开关管为NPN型三极管或N型MOS管；

所述第二开关管为NPN型三极管或N型MOS管。

3.根据权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，还包括：

电流抑制电路，连接在所述P型MOS管的漏极和所述直流电源的第一电极之间。

4.根据权利要求3所述的电源防反接电路，其特征在于，所述电流抑制电路包括电感；

所述电感的第一端连接所述P型MOS管的漏极，所述电感的第二端用于连接所述直流电源的第一电极。

5.根据权利要求1所述的电源防反接电路，其特征在于，还包括：

电压抑制电路；所述电压抑制电路的第一端连接所述P型MOS管的漏极；所述电压抑制电路的第二端连接所述接地端。

6.根据权利要求5所述的电源防反接电路，其特征在于，所述电压抑制电路包括第一电容；

所述第一电容的第一端连接所述P型MOS管的漏极；所述第一电容的第二端连接所述接地端。

7.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路，其特征在于，还包括第二电容；

所述第二电容的第一端连接所述P型MOS管的栅极；所述第二电容的第二端连接所述接地端。

8.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路，其特征在于，还包括：

第三电阻，连接在所述第一开关管的第一极和所述P型MOS管的栅极之间；

第四电阻，连接在所述第二开关管的控制极和所述接地端之间。

9.根据权利要求1至6任一项所述的电源防反接电路，其特征在于，还包括充放电模块；

所述充放电模块的第一传输端口连接所述电压传输端口，所述充放电模块的第二传输端口连接所述接地端。

10.一种电源电路，其特征在于，包括：

直流电源；

如权利要求1至9任一项所述的电源防反接电路。

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