CN211239812U - 一种稳定可靠的复位电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供一种稳定可靠的复位电路,MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地,电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU‑RESET复位引脚,MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地,三极管Q3右侧连接有电阻R18,电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间,电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。该电路复位可靠性较高,利用了三极管对波形进行整形,使得下降沿近似垂直线。该电路经过大量的机型验证,电路稳定可靠,具有良好的可推广性。
Description
技术领域
本实用新型涉及复位电路结构领域,尤其涉及一种稳定可靠的复位电路。
背景技术
所有带微处理功能的芯片及系统,在上电时都需要复位,将所有寄存器数据清理,这样才能够保证程序正常运行。复位电路要求下降沿越陡峭越好。绝大多数的微处理芯片都有一个专门的RESET复位引脚,当此脚为低电平时复位,复位的持续时间因单片机型号而异,大于两个机器周期是普遍的做法,复位时间较长,因此解决这个问题就变得很重要了。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种稳定可靠的复位电路,通过电容C24与电阻R19构成了一个微分电路,MCU电压施加到电容C24上面,电容瞬间完成充电过程,电容C24上面的正脉冲电压会使三极管Q3瞬间饱和导通,集电极点位瞬间变为0V,解决了复位慢的问题。
本实用新型提供一种稳定可靠的复位电路,MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地,电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚,MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地,三极管Q3右侧连接有电阻R18,电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间,电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。
进一步改进在于:MCU工作电压为3.3V。
进一步改进在于:电阻R17、电阻R18、电阻R19都为100K。
进一步改进在于:三极管Q3为BC846B。
进一步改进在于:电容C24为104PF。
进一步改进在于:二极管D1为1N4148。
本实用新型的有益效果:通过电容C24与电阻R19构成了一个微分电路,MCU电压施加到电容C24上面,电容瞬间完成充电过程,电容C24上面的正脉冲电压会使三极管Q3瞬间饱和导通,集电极点位瞬间变为0V,缩短复位电平下降沿的时间,使复位动作完成能够赶在程序运行之前,提高了复位效率,电路更加稳定可靠。
附图说明
图1是本实用新型的电路图。
具体实施方式
为了加深对本实用新型的理解,下面将结合实施例对本实用新型作进一步详述,该实施例仅用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型保护范围的限定。
如图1所示,本实施例提供一种稳定可靠的复位电路,Q3 MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地,电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚,MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地,三极管Q3右侧连接有电阻R18,电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间,电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。MCU工作电压为3.3V。电阻R17、电阻R18、电阻R19都为100K。三极管Q3为BC846B。电容C24为104PF。二极管D1为1N4148。
通过电容C24与电阻R19构成了一个微分电路,MCU电压施加到电容C24上面,电容瞬间完成充电过程,电容C24上面的正脉冲电压会使三极管Q3瞬间饱和导通,集电极点位瞬间变为0V,缩短复位电平下降沿的时间,使复位动作完成能够赶在程序运行之前,提高了复位效率,电路更加稳定可靠。
Claims (6)
1.一种稳定可靠的复位电路,其特征在于:MCU下侧依次连接电阻R17、三极管Q3后接地,电阻R17、三极管Q3之间左侧串联有MCU-RESET复位引脚,MCU右侧依次串联接有电容C24、电阻R19后接地,三极管Q3右侧连接有电阻R18,电阻R18右端连接在电容C24、电阻R19之间,电容C24、电阻R19之间右侧连接二极管D1后接地。
2.如权利要求1所述的一种稳定可靠的复位电路,其特征在于:MCU工作电压为3.3V。
3.如权利要求1所述的一种稳定可靠的复位电路,其特征在于:电阻R17、电阻R18、电阻R19都为100K。
4.如权利要求1所述的一种稳定可靠的复位电路,其特征在于:三极管Q3为BC846B。
5.如权利要求1所述的一种稳定可靠的复位电路,其特征在于:电容C24为104PF。
6.如权利要求1所述的一种稳定可靠的复位电路,其特征在于:二极管D1为1N4148。
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Publications (1)
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- 2019-12-12 CN CN201922222125.XU patent/CN211239812U/zh active Active
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