CN211046892U - 定位器及其外部负载开关电路 - Google Patents

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李关木
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Abstract

本实用新型涉及一种定位器及其外部负载开关电路,该电路包括用于控制IO控制口的外部负载输出切换,包括电源开关电路、方波发生电路,所述电源开关电路包括功率MOS管Q1和分压电阻R3,所述功率MOS管Q1和第三电路并联接于电源电压VBAT,所述IO控制口前端连接有隔直电容C1,所述方波发生电路具有RC积分电路,所述RC积分电路连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间。通过设置方波发生电路,只有IO控制口输入为变换的电平,即有方波时,才能使功率MOS管Q1导通输出。如果IO控制口输入为固定电平时,信号无法通过隔直电容C1,使得功率MOS管Q1关闭,切断输出,使得电路更加安全可靠地运行。

Description

定位器及其外部负载开关电路
技术领域
本实用新型涉及定位追踪设备技术领域,具体涉及一种定位器及其外部负载开关电路。
背景技术
随着物流行业的快速发展,为了解决物品在运输过程中被移动、调包或者拆卸时可以及时被发现,越来越多的贵重物品在物流途中被安装了定位追踪器。另外,宠物也经常配戴有定位追踪器。
目前的定位追踪器中,采用IO口来控制一个外部功率开关是一个非常常见的需求。定位追踪器通常具有主控芯片,当出现异常情况的时候,如主控芯片死机或跑飞的时候,电平是固定的,不能快速切断输出保护后端负载,造成失控的情况。
实用新型内容
有鉴于此,有必要提供一种能快速切断输出、安全可靠的定位器及其外部负载开关电路。
一种定位器外部负载开关电路,包括用于控制IO控制口的外部负载输出切换,包括电源开关电路、方波发生电路,所述电源开关电路包括功率MOS管Q1和分压电阻R3,所述功率MOS管Q1和第三电路并联接于电源电压VBAT,所述IO控制口前端连接有隔直电容C1,所述方波发生电路具有RC积分电路,所述RC积分电路连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间。
进一步地,所述RC积分电路包括积分电阻R2和积分电容C2,所述积分电阻R2的一端和积分电容C2的一端分别连接于隔直电容C1和功率MOS管Q1之间的线路上,所述积分电阻R2的另一端和积分电容C2的另一端分别接地。
进一步地,所述电源开关电路还包括电平隔离三极管Q2,所述电平隔离三极管Q2连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间,所述RC积分电路连接于所述电平隔离三极管Q2和隔直电容C1之间,所述电平隔离三极管Q2的基极连接到隔直电容C1,所述电平隔离三极管Q2的集电极连接至功率MOS管Q1,所述电平隔离三极管Q2的发射极接电。
进一步地,所述电平隔离三极管Q2的基极通过一个限流电阻R1连接于隔直电容C1和RC积分电路,所述隔直电容C1和RC积分电路为串联联接。
进一步地,所述方波发生电路还包括阻续流二极管D2和续流二极管D1,所述续流二极管D1的输入端连接于积分电阻R2和积分电容C2的接地共点,所述续流二极管D1的输出端和所述阻续流二极管D2的输入端共点连接到隔直电容C1,所述阻续流二极管D2的输出端与积分电阻R2非接地的一端及积分电容C2非接地的一端共点连接于一个固定电阻R1一端,所述固定电阻R1另一端连接于所述电平隔离三极管Q2的基极。
进一步地,所述积分电阻R2阻值大于限流电阻R1阻值,所述限流电阻R1和积分电阻R2的并联值应该不小于6.5K,所述积分电阻R2阻值是50K欧姆,所述固定电阻R1阻值是10K欧姆,所述积分电容C2的电容量为100nF,所述隔直电容C1的电容量为0.1-4.7μF。
进一步地,所述功率MOS管Q1为P型MOS管,所述功率MOS管Q1为NK2301的P型MOS管。
进一步地,所述功率MOS管Q1的栅极与分压电阻R3的一端共点连接于电平隔离三极管Q2的集电极,所述功率MOS管Q1的源极与分压电阻R3的另一端共点连接于电源电压VBAT。
进一步地,所述功率MOS管Q1的漏极与一个负载连接再接地,所述负载一端与所述功率MOS管Q1的漏极共点连接于电源电压VBAT-G。
以及,一种定位器,其包括定位器本体以及置于本体内的主控芯片,所述主控芯片具有IO控制口,所述定位器还包括如上所述的定位器外部负载开关电路,所述定位器外部负载开关电路与主控芯片的IO控制口输入端连接。
上述定位器及其外部负载开关电路中,在IO控制口与电源电压端之间设有方波发生电路,采用电平不固定的形式来控制外部功率开关,即通过方波发生电路形成方波输出,作为定位器主控芯片正常工作的标记,就跟工作LED指示灯一样,有方波输出代表正常,即电平不固定时表示正常。当主控芯片死机或跑飞的时电平是固定的,即方波停止输出,外部功率开关能快速切断输出,使得电路更加安全可靠地运行。
附图说明
图1是本实用新型实施例定位器外部负载开关电路的结构原理图。
具体实施方式
以下将结合具体实施例和附图对本实用新型进行详细说明。
请参阅图1,示出本实用新型实施例定位器外部负载开关电路100的结构原理,该开关电路100用于控制IO控制口的外部负载输出切换,其包括电源开关电路10、方波发生电路20,所述电源开关电路10包括功率MOS管Q1和分压电阻R3,所述功率MOS管Q1和第三电路并联接于电源电压VBAT,所述IO控制口前端连接有隔直电容C1,所述方波发生电路20具有RC积分电路21,所述RC积分电路21连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间。
具体地,所述RC积分电路21包括积分电阻R2和积分电容C2,所述积分电阻R2的一端和积分电容C2的一端分别连接于隔直电容C1和功率MOS管Q1之间的线路上,所述积分电阻R2的另一端和积分电容C2的另一端分别接地。即所述积分电阻R2的另一端和积分电容C2的另一端共点接地。
进一步地,所述电源开关电路10还包括电平隔离三极管Q2,所述电平隔离三极管Q2连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间。具体地,所述电平隔离三极管Q2的基极通过一个限流电阻R1连接于隔直电容C1和RC积分电路21,所述隔直电容C1和RC积分电路21为串联联接。所述RC积分电路21连接于所述电平隔离三极管Q2和隔直电容C1之间,所述电平隔离三极管Q2的基极连接到隔直电容C1,所述电平隔离三极管Q2的集电极连接至功率MOS管Q1,所述电平隔离三极管Q2的发射极接电。其中,隔直电容C1在IO控制口输出高电平或低电平时候,电平隔离三极管Q2基极为低电平。积分电容C2利用方波给电容充电,转化成直流电平。
进一步地,所述方波发生电路20还包括阻续流二极管D2和续流二极管D1,所述续流二极管D1的输入端连接于积分电阻R2和积分电容C2的接地共点,所述续流二极管D1的输出端和所述阻续流二极管D2的输入端共点连接到隔直电容C1,所述阻续流二极管D2的输出端与积分电阻R2非接地的一端及积分电容C2非接地的一端共点连接于一个固定电阻R1一端,所述固定电阻R1另一端连接于所述电平隔离三极管Q2的基极。其中,阻续流二极管D2利用单向导通的特性,阻止积分电容C2上的电流从隔直电容C1回流回去。而续流二极管D1提供一个单向的回流通道,否则输出是负压。
优选地,所述积分电阻R2阻值大于限流电阻R1阻值,所述限流电阻R1和积分电阻R2的并联值应该不小于6.5K,所述积分电阻R2阻值是50K欧姆,所述固定电阻R1阻值是10K欧姆,所述积分电容C2的电容量为100nF,所述隔直电容C1的电容量为0.1-4.7μF。
在上述电路中,通过调整积分电阻R2和固定电阻R1的顺序和阻值,并调整了积分电容C2的电容值。积分电阻R2和固定电阻R1的阻值调整是为了减少电阻分流,使得电容充电更快。而积分电阻R2同时还起到一个非常重要的作用。即开机时,IO控制口从低电平升到高电平,而后为直流电平时,可以通过积分电阻R2快速消耗积分电容C2上的能量,使得功率MOS管Q1保持关闭,外部功率开关快速切断输出。
优选地,所述功率MOS管Q1为P型MOS管,所述功率MOS管Q1为NK2301的P型MOS管。进一步地,所述功率MOS管Q1的栅极与分压电阻R3的一端共点连接于电平隔离三极管Q2的集电极,所述功率MOS管Q1的源极与分压电阻R3的另一端共点连接于电源电压VBAT。进一步地,所述功率MOS管Q1的漏极与一个负载连接再接地,所述负载一端与所述功率MOS管Q1的漏极共点连接于电源电压VBAT-G。
本实用新型实施例还提供一种定位器,其包括定位器本体以及置于本体内的主控芯片,所述主控芯片具有IO控制口,所述定位器还包括如上所述的定位器外部负载开关电路,所述定位器外部负载开关电路与主控芯片的IO控制口输入端连接。
由此可知,在上述定位器及其外部负载开关电路中,在IO控制口与电源电压端之间设有方波发生电路,只有IO控制口输入为变换的电平,即有方波时,才能使功率MOS管Q1导通输出。如果IO控制口输入为固定电平时,信号无法通过隔直电容C1,使得功率MOS管Q1关闭,切断输出。由此,通过方波输出表示正常,当主控芯片死机或跑飞的时电平是固定的,即方波停止输出,外部功率开关能快速切断输出,使得电路更加安全可靠地运行。
需要说明的是,本实用新型并不局限于上述实施方式,根据本实用新型的创造精神,本领域技术人员还可以做出其他变化,这些依据本实用新型的创造精神所做的变化,都应包含在本实用新型所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种定位器外部负载开关电路,用于控制IO控制口的外部负载输出切换,其特征在于,包括电源开关电路、方波发生电路,所述电源开关电路包括功率MOS管Q1和分压电阻R3,所述功率MOS管Q1和第三电路并联接于电源电压VBAT,所述IO控制口前端连接有隔直电容C1,所述方波发生电路具有RC积分电路,所述RC积分电路连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间。
2.如权利要求1所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述RC积分电路包括积分电阻R2和积分电容C2,所述积分电阻R2的一端和积分电容C2的一端分别连接于隔直电容C1和功率MOS管Q1之间的线路上,所述积分电阻R2的另一端和积分电容C2的另一端分别接地。
3.如权利要求2所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述电源开关电路还包括电平隔离三极管Q2,所述电平隔离三极管Q2连接于所述隔直电容C1和功率MOS管Q1之间,所述RC积分电路连接于所述电平隔离三极管Q2和隔直电容C1之间,所述电平隔离三极管Q2的基极连接到隔直电容C1,所述电平隔离三极管Q2的集电极连接至功率MOS管Q1,所述电平隔离三极管Q2的发射极接电。
4.如权利要求3所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述电平隔离三极管Q2的基极通过一个限流电阻R1连接于隔直电容C1和RC积分电路,所述隔直电容C1和RC积分电路为串联联接。
5.如权利要求3所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述方波发生电路还包括阻续流二极管D2和续流二极管D1,所述续流二极管D1的输入端连接于积分电阻R2和积分电容C2的接地共点,所述续流二极管D1的输出端和所述阻续流二极管D2的输入端共点连接到隔直电容C1,所述阻续流二极管D2的输出端与积分电阻R2非接地的一端及积分电容C2非接地的一端共点连接于一个固定电阻R1一端,所述固定电阻R1另一端连接于所述电平隔离三极管Q2的基极。
6.如权利要求5所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述积分电阻R2阻值大于限流电阻R1阻值,所述限流电阻R1和积分电阻R2的并联值应该不小于6.5K,所述积分电阻R2阻值是50K欧姆,所述固定电阻R1阻值是10K欧姆,所述积分电容C2的电容量为100nF,所述隔直电容C1的电容量为0.1-4.7μF。
7.如权利要求3所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述功率MOS管Q1为P型MOS管,所述功率MOS管Q1为NK2301的P型MOS管。
8.如权利要求7所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述功率MOS管Q1的栅极与分压电阻R3的一端共点连接于电平隔离三极管Q2的集电极,所述功率MOS管Q1的源极与分压电阻R3的另一端共点连接于电源电压VBAT。
9.如权利要求1所述的定位器外部负载开关电路,其特征在于,所述功率MOS管Q1的漏极与一个负载连接再接地,所述负载一端与所述功率MOS管Q1的漏极共点连接于电源电压VBAT-G。
10.一种定位器,包括定位器本体以及置于本体内的主控芯片,所述主控芯片具有IO控制口,其特征在于,还包括如权利要求1-9任一项所述的定位器外部负载开关电路,所述定位器外部负载开关电路与主控芯片的IO控制口输入端连接。
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CN112600542A (zh) * 2020-12-22 2021-04-02 汉威科技集团股份有限公司 一种基于分立器件的动态安全开关方法及装置
CN114326690A (zh) * 2021-12-27 2022-04-12 容大合众(厦门)科技集团股份公司 一种基于发热物体异常加热的保护控制方法

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