CN211046482U - 一种大电流供电端防反电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及电子电路技术领域,公布了一种大电流供电端防反电路,包括开关S1、PMOS管Q1、稳压管D1、电阻R1、电容C1和C2,通过PMOS对电路进行控制,电路中通过大电流时,发热明显降低;而且PMOS的S极接系统,G极接低电平,很容易做到供电端防反插的作用。
Description
技术领域
本实用新型涉及电子电路技术领域,特别是涉及一种大电流供电端防反电路。
背景技术
通常电路中使用的防反电路,在电源的输入端串联一个二极管D1,D1的正极接电源,负极接输出电路。利用二极管的单向导通、反向截止的特性,当电源正常输入的时候,D1导通,电流通过D1到达系统,系统正常工作。当电源反接的时候,D1的正极接电源负极,利用二极管反向截止的特性,D1截止,电压无法进入后面的系统,系统断开,保护了后面的系统。
然而二极管防反电路虽然可以防反接,但是却有弊端。二极管有自身的压降,当通过的电流增大的时候,二极管自身功耗将不容忽视,电路的利用效率降低,功耗增加,发热严重。布板要求更高,需要利用其他方法实现散热。市场上虽然有大电流的二极管出售,但是采购困难,成本高,因此这种二极管防反功能并不适合大电流的防反接电路。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足,本实用新型提供了大电流供电端防反电路,通过PMOS对电路进行控制,实现防反接功能,包括开关S1、PMOS管Q1、稳压管D1、电阻R1、电容C1和C2,开关S1与电源输入端相连,当开关S1打开,输入电压的正极通过开关S1接在PMOS管的D极,PMOS管的S极接在Vout+与系统相连,PMOS管的G极接电阻R1,R1接地;稳压管D1的正极接PMOS管的G极和电阻R1的一端,稳压管D1的负极接PMOS管的S极;电容C1一端接PMOS管的D极,另一端接地,电容C2一端接PMOS管的S极,另一端接地,与系统相连。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:由于PMOS完全导通时内阻小,当电路中通过大电流时,功耗也不会很大,发热将会明显降低;而且PMOS的S极接系统,G极接低电平,很容易做到供电端防反插的作用。
附图说明
图1为本实用新型的大电流供电端防反电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
一种基于PMOS大电流供电端防反电路,包括开关S1、PMOS管Q1、稳压管D1、电阻R1、电容C1和C2。输入电压从Vin+输入,当开关S1打开,输入电压的正极通过开关接在PMOS管的D极,PMOS管的S极接在Vout+与系统相连,PMOS管的G极接电阻R1,R1接地。稳压管D1的正极接PMOS管的G极和电阻R1的一端,稳压管D1的负极接PMOS管的S极,电容C1一端接PMOS管的D极,另一端接地,电容C2一端接PMOS管的S极,另一端接地,与系统相连。其中,稳压管D1用于限制GS之间的电压,选择合适的D1可以有效的防止电压过高而导致MOS管被烧坏;电阻R1可以为D1提供静态电流,起到限流作用;开关电容C1可以起到缓冲栅极G电压的作用,C2可以起到缓解输出电压作用。
PMOS的导通电压Ugs(th)<0时,PMOS管导通。一般PMOS管的Ugs <-6V时,PMOS将完全导通。本实用新型中,PMOS管通过自带的二极管的单向导通特性,自带二极管在电源接入的瞬间导通,通过D极流向S极,拉高S极的电位,此时 Ugs<-11.4V(假设MOS管自身体二极管压降为0.6),PMOS管完全导通。自带二极管被短路,PMOS管的内阻很小,降低功耗,发热将会明显降低。
当电源反接时,PMOS管Q1的G极接电源输入正极,为高电位,PMOS管Q1的D极为低,PMOS管Q1的自带二极管因为反向截止特性而断开,Ugs>0V,PMOS管Q1无法导通,电路处于开路状态,与后面的系统隔离,保护了后面的系统,起到了防反接作用。
Claims (1)
1.一种大电流供电端防反电路,其特征在于:包括开关S1、PMOS管Q1、稳压管D1、电阻R1、电容C1和C2,所述开关S1与电源输入端相连,当所述开关S1打开,输入电压的正极通过开关S1接在所述PMOS管的D极,所述PMOS管的S极接在Vout+与系统相连,所述PMOS管的G极接电阻R1,R1接地;所述稳压管D1的正极接PMOS管的G极和电阻R1的一端,所述稳压管D1的负极接PMOS管的S极;所述电容C1一端接PMOS管的D极,另一端接地,所述电容C2一端接PMOS管的S极,另一端接地,与系统相连。
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- 2020-01-17 CN CN202020103938.7U patent/CN211046482U/zh active Active
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