CN210958879U - 一种输出功率渐变的led驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本实用新型公开了一种输出功率渐变的LED驱动电路,包括连接三相线L和N接口CON1,所述接口CON1上引出的两条线,其中一条接熔断器FR1和另一条线并联串接在一起的电阻R1和电阻R2两端,以及电容CX1接在整流桥BD1的端角2和3上,整流桥BD1的1端角与电阻BL1和超级电容EC1的并联接口相接。本输出功率渐变的LED驱动电路,开机后直流电压进入集成电路,从电源芯片U1的3脚FB输入到MCU芯片,电源芯片U1对输出电压取样,控制开关管Q2开通时间变长,从而去控制开关管Q2的开关频率,慢慢提高其PWM脉冲信号后变为有一定占空比的脉冲电压,得到输出的电慢慢增大的电压,来实现功率的慢慢增大。

Description

一种输出功率渐变的LED驱动电路
技术领域
本实用新型涉及LED技术领域,具体为一种输出功率渐变的LED驱动电路。
背景技术
随着人们对生活品质的要求越来越高,人们对身边的电子设备以及灯具照明的要求也越来越高。尤其的室内照明设备,在从较昏暗的户外回到客厅,或者半夜需要开灯时,若是瞬间太亮,容易损伤肉眼,同时也会让人瞬间清醒,音响睡眠质量。基于此类情况,特自主开发专有电路来实现功率渐变的过程。
目前国际、国内市场上大都是采用普通的恒流型LED驱动装置来进行灯具的照明驱动,在昏暗的环境下瞬间满功率亮灯极易伤害人的肉眼,需要研究一种专有电路,来实现功率的慢慢增大,同时又能根据不同的场合,不同的应用环境,可以改变渐变的时长,顺应人们对高品质生活的要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种输出功率渐变的LED驱动电路,具有实现功率的慢慢增大,同时又能根据不同的场合,不同的应用环境,可以改变渐变的时长优点,解决了现有技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种输出功率渐变的LED驱动电路,包括连接三相线L和N接口CON1,所述接口CON1上引出的两条线,其中一条接熔断器FR1和另一条线并联串接在一起的电阻R1和电阻R2两端,以及电容CX1接在整流桥BD1的端角2和3上,整流桥BD1的1端角与电阻BL1和超级电容EC1的并联接口相接,整流桥BD1的4端角与电阻R3、电感L1和超级电容EC1的另一端并联口相接,电阻R3另一端、电感L1另一端和超级电容EC2并联电容C1接在VBUS上;
所述VBUS上还接电阻R25、电源芯片U1的5引脚、电阻R11、电阻R12、电容C3和变压器T初级绕组1端口,电阻R11、电阻R12、电容C3另一端并联电阻R13和电阻R14接在二极管D2的负极上,二极管D2的正极和变压器T初级绕组2端口并联接在开关管Q1漏极和电容C4的并联接口,开关管Q1的源极并联电容C4另一端还与接地电阻RS1、电阻RS2、电阻RS3、电阻R17和电阻R18并联,开关管Q1的栅极并联电阻R17另一端、二极管D3正极和电阻R15的并联接口,电阻RS1、电阻RS2和电阻RS3的另一端和电容C5并联接电阻R18另一端接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚3上,二极管D3负极和电阻R15串联电阻R6接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚5上;
所述变压器T初级绕组3接电阻R23和二极管D6正极的并联口上,电阻R23串联电容C12与二极管D6负极并联超级电容EC5、超级电容EC7、电阻R24接在LED的插座CON2上,变压器T初级绕组4、超级电容EC5、超级电容EC7和电阻R24的另一端共接地后接在插座CON2。
所述电阻R25串联电阻R6、电阻R7接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚6、电阻R10、电容C11、三级管Q4发射极和超级电容EC6的并联口上,电源芯片U1的引脚1也7分别串联电容C6和电容C7并联接地,电容C6和电容C7接地的并联口还串联电容C8与主控芯片NXP基站芯片U3引脚8,并串联电阻R10的引脚6并联在开关管Q2的漏极上;
所述开关管Q2的栅极串口电阻R9和PWM脉冲点接在MCU芯片的引脚6上,开关管Q2的源极、电容C11另一端、超级电容EC6的另一端接地,三级管Q4的基极和集电极并联电阻R22,并串联稳压管ZD2接地,三级管Q4的集电极和电阻R22的另一端还与接地的电容C9和二极管D4负极并联,二极管D4接在电阻R19和电阻R20的并联接口上,电阻R19的另一端接在变压器T的初级绕组1端角上,电阻R20的另一端与主控芯片NXP基站芯片U3引脚2并联电阻R21、电容C10和变压器T的初级绕组2端角接地;
所述电源芯片U1的引脚1串联电容C13和引脚2接在电阻R4、电感L2和二极管D1的负极,电阻R4的另一端和引脚3串联电阻R26和电阻R27接在电感L2、电阻R5、电容EC4、电容C2和MCU芯片U2引脚1的并联接口上,MCU芯片U2引脚8与电容EC4、电阻R5和电容C2接地。
优选的,所述MCU芯片U2的型号为LD-009/0-8。
优选的,所述电源芯片U1对输出电压取样,输出的电压太低时,通过“比较放大”控制开关管Q2开通时间变长,从而使输出的电压提升。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本输出功率渐变的LED驱动电路,对三相线L和N上的额220V交流信号进行整流滤波,在工作时其内部场效应管截止时,会在变压器T初级两端产生大于300V的电压,利用R13、C3和D5构成防冲激电路,使其电压有一个释放回路,以免激穿场效应管Q1,开机后直流电压进入集成电路,经整流和稳压后供给电源芯片U1工作,从电源芯片U1的3脚FB输入到MCU芯片,电源芯片U1对输出电压取样,输出的电压太低时,通过“比较放大”控制开关管Q2开通时间变长,从而使输出的电压提升,从而去控制开关管Q2的开关频率,慢慢提高其PWM脉冲信号后变为有一定占空比的脉冲电压,驱动开关管Q2来实现功率的渐变过程,得到输出的电慢慢增大的电压,来实现功率的慢慢增大。
附图说明
图1为本实用新型的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚;完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,一种输出功率渐变的LED驱动电路,包括连接三相线L和N接口CON1,所述接口CON1上引出的两条线,其中一条接熔断器FR1和另一条线并联串接在一起的电阻R1和电阻R2两端,以及电容CX1接在整流桥BD1的端角2和3上,整流桥BD1的1端角与电阻BL1和超级电容EC1的并联接口相接,整流桥BD1的4端角与电阻R3、电感L1和超级电容EC1的另一端并联口相接,电阻R3另一端、电感L1另一端和超级电容EC2并联电容C1接在VBUS上,熔断器FR1保护三相线L和N避免电流过大造成电器损坏,由于是对三相线L和N上的额220V交流信号进行整流滤波,整流滤波后得到的直流信号再经电源芯片U1转换成高频的交流信号,电源芯片U1输出的电阻经过电感L2去阻抗后,提升导通效率;
VBUS上还接电阻R25、电源芯片U1的5引脚、电阻R11、电阻R12、电容C3和变压器T初级绕组1端口,电阻R11、电阻R12、电容C3另一端并联电阻R13和电阻R14接在二极管D2的负极上,二极管D2的正极和变压器T初级绕组2端口并联接在开关管Q1漏极和电容C4的并联接口,开关管Q1的源极并联电容C4另一端还与接地电阻RS1、电阻RS2、电阻RS3、电阻R17和电阻R18并联,开关管Q1的栅极并联电阻R17另一端、二极管D3正极和电阻R15的并联接口,电阻RS1、电阻RS2和电阻RS3的另一端和电容C5并联接电阻R18另一端接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚3上,二极管D3负极和电阻R15串联电阻R6接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚5上;
变压器T初级绕组3接电阻R23和二极管D6正极的并联口上,电阻R23串联电容C12与二极管D6负极并联超级电容EC5、超级电容EC7、电阻R24接在LED的插座CON2上,变压器T初级绕组4、超级电容EC5、超级电容EC7和电阻R24的另一端共接地后接在插座CON2,滤波后输出一个300V左右的直流信号,在工作时其内部场效应管截止时,会在变压器T初级两端产生大于300V的电压,利用R13、C3和D5构成防冲激电路,使其电压有一个释放回路,以免激穿场效应管Q1。
电阻R25串联电阻R6、电阻R7接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚6、电阻R10、电容C11、三级管Q4发射极和超级电容EC6的并联口上,电源芯片U1的引脚1也7分别串联电容C6和电容C7并联接地,电容C6和电容C7接地的并联口还串联电容C8与主控芯片NXP基站芯片U3引脚8,并串联电阻R10的引脚6并联在开关管Q2的漏极上,MCU芯片U2的型号为LD-009/0-8,主控芯片NXP基站芯片U3的的型号为8253;
开关管Q2的栅极串口电阻R9和PWM脉冲点接在MCU芯片的引脚6上,开关管Q2的源极、电容C11另一端、超级电容EC6的另一端接地,三级管Q4的基极和集电极并联电阻R22,并串联稳压管ZD2接地,三级管Q4的集电极和电阻R22的另一端还与接地的电容C9和二极管D4负极并联,二极管D4接在电阻R19和电阻R20的并联接口上,电阻R19的另一端接在变压器T的初级绕组1端角上,电阻R20的另一端与主控芯片NXP基站芯片U3引脚2并联电阻R21、电容C10和变压器T的初级绕组2端角接地;
电源芯片U1的引脚1串联电容C13和引脚2接在电阻R4、电感L2和二极管D1的负极,电阻R4的另一端和引脚3串联电阻R26和电阻R27接在电感L2、电阻R5、电容EC4、电容C2和MCU芯片U2引脚1的并联接口上,MCU芯片U2引脚8与电容EC4、电阻R5和电容C2接地,电源芯片U1对输出电压取样,输出的电压太低时,通过“比较放大”控制开关管Q2开通时间变长,从而使输出的电压提升,开机后直流电压进入集成电路,经整流和稳压后供给电源芯片U1工作,从电源芯片U1的3脚FB输入到MCU芯片,从而去控制开关管Q2的开关频率,慢慢提高其PWM脉冲信号后变为有一定占空比的脉冲电压,得到输出的电慢慢增大的电压,来实现功率的慢慢增大。
在产品开机的瞬间,通过调整好时序,产品内部先通过电源芯片U1给MCU芯片U2供电,MCU芯片U2会按照预设的程序输出线性变化的占空比DUTY信号,DUTY信号再来控制主控芯片NXP基站芯片U3,把国际上广泛采用的DALI标准控制信号转换成PWM信号,驱动开关管Q2来实现功率的渐变过程,预设的程序可以设置DUTY的变化范围(比如0-100%,或者50-80%等)、可以设置DUTY变化范围的时长、可以设置输出为线性或者阶跃性等。
综上所述:本输出功率渐变的LED驱动电路,对三相线L和N上的额220V交流信号进行整流滤波,在工作时其内部场效应管截止时,会在变压器T初级两端产生大于300V的电压,利用R13、C3和D5构成防冲激电路,使其电压有一个释放回路,以免激穿场效应管Q1,开机后直流电压进入集成电路,经整流和稳压后供给电源芯片U1工作,从电源芯片U1的3脚FB输入到MCU芯片,电源芯片U1对输出电压取样,输出的电压太低时,通过“比较放大”控制开关管Q2开通时间变长,从而使输出的电压提升,从而去控制开关管Q2的开关频率,慢慢提高其PWM脉冲信号后变为有一定占空比的脉冲电压,驱动开关管Q2来实现功率的渐变过程,得到输出的电慢慢增大的电压,来实现功率的慢慢增大。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”;“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程;方法;物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程;方法;物品或者设备所固有的要素。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化;修改;替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (3)

1.一种输出功率渐变的LED驱动电路,包括连接三相线L和N接口CON1,其特征在于:所述接口CON1上引出的两条线,其中一条接熔断器FR1和另一条线并联串接在一起的电阻R1和电阻R2两端,以及电容CX1接在整流桥BD1的端角2和3上,整流桥BD1的1端角与电阻BL1和超级电容EC1的并联接口相接,整流桥BD1的4端角与电阻R3、电感L1和超级电容EC1的另一端并联口相接,电阻R3另一端、电感L1另一端和超级电容EC2并联电容C1接在VBUS上;
所述VBUS上还接电阻R25、电源芯片U1的5引脚、电阻R11、电阻R12、电容C3和变压器T初级绕组1端口,电阻R11、电阻R12、电容C3另一端并联电阻R13和电阻R14接在二极管D2的负极上,二极管D2的正极和变压器T初级绕组2端口并联接在开关管Q1漏极和电容C4的并联接口,开关管Q1的源极并联电容C4另一端还与接地电阻RS1、电阻RS2、电阻RS3、电阻R17和电阻R18并联,开关管Q1的栅极并联电阻R17另一端、二极管D3正极和电阻R15的并联接口,电阻RS1、电阻RS2和电阻RS3的另一端和电容C5并联接电阻R18另一端接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚3上,二极管D3负极和电阻R15串联电阻R6接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚5上;
所述变压器T初级绕组3接电阻R23和二极管D6正极的并联口上,电阻R23串联电容C12与二极管D6负极并联超级电容EC5、超级电容EC7、电阻R24接在LED的插座CON2上,变压器T初级绕组4、超级电容EC5、超级电容EC7和电阻R24的另一端共接地后接在插座CON2;
所述电阻R25串联电阻R6、电阻R7接在主控芯片NXP基站芯片U3的引脚6、电阻R10、电容C11、三级管Q4发射极和超级电容EC6的并联口上,电源芯片U1的引脚1也7分别串联电容C6和电容C7并联接地,电容C6和电容C7接地的并联口还串联电容C8与主控芯片NXP基站芯片U3引脚8,并串联电阻R10的引脚6并联在开关管Q2的漏极上;
所述开关管Q2的栅极串口电阻R9和PWM脉冲点接在MCU芯片的引脚6上,开关管Q2的源极、电容C11另一端、超级电容EC6的另一端接地,三级管Q4的基极和集电极并联电阻R22,并串联稳压管ZD2接地,三级管Q4的集电极和电阻R22的另一端还与接地的电容C9和二极管D4负极并联,二极管D4接在电阻R19和电阻R20的并联接口上,电阻R19的另一端接在变压器T的初级绕组1端角上,电阻R20的另一端与主控芯片NXP基站芯片U3引脚2并联电阻R21、电容C10和变压器T的初级绕组2端角接地;
所述电源芯片U1的引脚1串联电容C13和引脚2接在电阻R4、电感L2和二极管D1的负极,电阻R4的另一端和引脚3串联电阻R26和电阻R27接在电感L2、电阻R5、电容EC4、电容C2和MCU芯片U2引脚1的并联接口上,MCU芯片U2引脚8与电容EC4、电阻R5和电容C2接地。
2.根据权利要求1所述的一种输出功率渐变的LED驱动电路,其特征在于:所述MCU芯片U2的型号为LD-009/0-8。
3.根据权利要求1所述的一种输出功率渐变的LED驱动电路,其特征在于:所述电源芯片U1对输出电压取样,输出的电压太低时,通过“比较放大”控制开关管Q2开通时间变长,从而使输出的电压提升。
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