CN210775641U - 精确过电流检测电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种精确过电流检测电路，包括输入+、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻RS1、电解电容EC1和三极管Q1，所述输入+分别与所述电阻R1的一端和所述电阻RS1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述输入+的一端与所述三极管Q1的发射极电性连接，所述电阻RS1远离所述输入+的一端通过所述电阻R3与所述三极管Q1的基极电性连接，所述三极管Q1的集电极与地之间并接有所述电阻R2和所述电解电容EC1。本实用新型公开的精确过电流检测电路，其通过外搭线路的方式，保证过流精度。
Description
技术领域
本实用新型属于过电流检测技术领域，具体涉及一种精确过电流检测电路。
背景技术
在当前市面上，绝大多数开关电源的过流检测都是通过主芯片的CS脚来做检测，这种方式是通过检测流过MOS管的峰值电流来决定产品的工作模式，这个线路虽然是每个芯片工作必备的组成部分，但是它的精度很差，主要是受决定于所选材料的偏差，已经芯片本身的精度所限定，同时高低压的偏差会更大，因为在高低压时流过MOS管的电流完全不同，因此予以进一步改进。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供精确过电流检测电路，其通过外搭线路的方式，保证过流精度。
本实用新型的另一目的在于提供精确过电流检测电路，其在高低压偏差时能够完全一致。
本实用新型的另一目的在于提供精确过电流检测电路，其具有结构简单、元器件数量少、成本低等优点。
为达到以上目的，本实用新型提供精确过电流检测电路，用于开关电源的过电流检测，包括输入+、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻RS1、电解电容EC1和三极管Q1，其中：
所述输入+分别与所述电阻R1的一端和所述电阻RS1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述输入+的一端与所述三极管Q1的发射极电性连接，所述电阻RS1远离所述输入+的一端通过所述电阻R3与所述三极管Q1的基极电性连接，所述三极管Q1的集电极与地之间并接有所述电阻R2和所述电解电容EC1。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，精确过电流检测电路还包括电阻R4、电阻R6、电阻R7、电容C1和三极管Q2，其中：
所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R4与所述三极管Q2的基极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述电阻R3远离所述三极管Q1的一端与所述电容C1的一端电性连接，所述电容C1远离所述电阻R3的一端通过电阻R7与所述三极管Q2的集电极电性连接，所述电阻R3远离所述三极管Q1的一端与所述电阻R6的一端电性连接，所述电阻R6远离所述电阻R3的一端通过电阻R7与所述三极管Q2的集电极电性连接。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，精确过电流检测电路还包括三极管Q3和电阻R8，所述电阻R6和所述电阻R7的共接端和所述三极管Q3的基极电性连接，所述三极管Q3的集电极通过电阻R8接地。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，精确过电流检测电路还包括MOS管Q4，所述MOS管Q4的源极与所述三极管Q3的发射极电性连接，所述MOS管Q4的栅极通过电阻R8接地。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，电解电容EC2的正极与所述MOS管Q4的漏极电性连接，所述电解电容EC2的负极接地。
作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，精确过电流检测电路还包括输出+，所述输出+与所述MOS管Q4的漏极电性连接。
附图说明
图1是本实用新型的精确过电流检测电路图。
具体实施方式
以下描述用于揭露本实用新型以使本领域技术人员能够实现本实用新型。以下描述中的优选实施例只作为举例，本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本实用新型的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本实用新型的精神和范围的其他技术方案。
本实用新型公开了精确过电流检测电路，下面结合优选实施例，对实用新型的具体实施例作进一步描述。
参见附图的图1，图1是本实用新型的精确过电流检测电路图。
在本实用新型的施例中，本领域技术人员注意，本实用新型涉及的MOS管、三极管等可被视为现有技术。
优选实施例。
本实用新型公开了一种精确过电流检测电路，用于开关电源的过电流检测，包括输入+、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻RS1、电解电容EC1和三极管Q1，其中：
所述输入+分别与所述电阻R1的一端和所述电阻RS1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述输入+的一端与所述三极管Q1的发射极电性连接，所述电阻RS1远离所述输入+的一端通过所述电阻R3与所述三极管Q1的基极电性连接，所述三极管Q1的集电极与地之间并接有所述电阻R2和所述电解电容EC1。
具体的是，精确过电流检测电路还包括电阻R4、电阻R6、电阻R7、电容C1和三极管Q2，其中：
所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R4与所述三极管Q2的基极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述电阻R3远离所述三极管Q1的一端与所述电容C1的一端电性连接，所述电容C1远离所述电阻R3的一端通过电阻R7与所述三极管Q2的集电极电性连接，所述电阻R3远离所述三极管Q1的一端与所述电阻R6的一端电性连接，所述电阻R6远离所述电阻R3的一端通过电阻R7与所述三极管Q2的集电极电性连接。
更具体的是，精确过电流检测电路还包括三极管Q3和电阻R8，所述电阻R6和所述电阻R7的共接端和所述三极管Q3的基极电性连接，所述三极管Q3的集电极通过电阻R8接地。
进一步的是，精确过电流检测电路还包括MOS管Q4，所述MOS管Q4的源极与所述三极管Q3的发射极电性连接，所述MOS管Q4的栅极通过电阻R8接地。
更进一步的是，电解电容EC2的正极与所述MOS管Q4的漏极电性连接，所述电解电容EC2的负极接地。
优选地，精确过电流检测电路还包括输出+，所述输出+与所述MOS管Q4的漏极电性连接。
本实用新型的优点为：当产品输出带正常电流工作时，三极管Q1和Q2处于截止状态，没有导通，三极管Q3的基极和发射极两端不存在压差，此时也处于截止状态，MOS管Q4会导通，输入+直接通过Q4到输出+，产品正常输出；当输出端带大电流工作时，电阻RS1流过的电流变大，两端的压差变大，三极管Q1就会导通，同时三极管Q2和Q3也会导通，此时MOS管Q4截止，输出+没有电压输出，产品保护，此时也没有了电流通过，电解电容EC1存储的能量通过电阻R2消耗，三极管Q2截止，MOS管Q4再次导通，输出+有输出，若输出电流还是很大，三极管Q1会对电解电容EC1瞬间充电，MOS管Q4会再次关闭，保证了过流保护是一个自恢复模式，解除过流状态后，产品会自动有输出，不需要重新上电开机。
本实用新型的原理为：当产品在正常电流时，流过电阻RS1的电流就是输出的电流，两端的压差也就是三极管Q1的基极与发射机之间的压差达不到使之导通的电压，三极管Q1处于截止状态，三极管Q2和Q3的基极与发射极是等电位，也处于截止状态，此时MOS管Q4导通，输出+等于输入+，产品正常工作；当输出的电流变大，电阻RS1两端的压差变大，达到了Vbe开启的条件，三极管Q1导通，电解电容EC1开始充电，两端电压升高，随之三极管Q2导通，三极管Q3的基极与发射极形成电势差导通，MOS管Q4处于截止状态，输入+与输出+断开，产品无输出，与此同时也检测不到电流，电解电容EC1开始通过电阻R2释放能量，放到不足以让三极管Q2导通后，三极管Q3截止，MOS管Q4导通，输入+等于输出+，若还是检测到大电流，MOS管Q4会再次截止，使产品在过电流情况下处于打嗝模式，不是锁死状态，不需要重新上电。
本实用新型的有益效果为：精确过电流检测电路的结构简单，电子元器件数量少，就能精准的检测到产品的过流状况，因此使得本实用新型精确过电流检测电路不但生产成本低，而且占用PCB板面积很小，非常便于PCB板电路设计。
值得一提的是，本实用新型专利申请涉及的MOS管、三极管等技术特征应被视为现有技术，这些技术特征的具体结构、工作原理以及可能涉及到的控制方式、空间布置方式采用本领域的常规选择即可，不应被视为本实用新型专利的发明点所在，本实用新型专利不做进一步具体展开详述。
对于本领域的技术人员而言，依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分技术特征进行等同替换，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围。
Claims (6)
1.一种精确过电流检测电路，用于开关电源的过电流检测，其特征在于，包括输入+、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻RS1、电解电容EC1和三极管Q1，其中：
所述输入+分别与所述电阻R1的一端和所述电阻RS1的一端电性连接，所述电阻R1远离所述输入+的一端与所述三极管Q1的发射极电性连接，所述电阻RS1远离所述输入+的一端通过所述电阻R3与所述三极管Q1的基极电性连接，所述三极管Q1的集电极与地之间并接有所述电阻R2和所述电解电容EC1。
2.根据权利要求1所述的一种精确过电流检测电路，其特征在于，精确过电流检测电路还包括电阻R4、电阻R6、电阻R7、电容C1和三极管Q2，其中：
所述三极管Q1的集电极通过所述电阻R4与所述三极管Q2的基极电性连接，所述三极管Q2的发射极接地，所述电阻R3远离所述三极管Q1的一端与所述电容C1的一端电性连接，所述电容C1远离所述电阻R3的一端通过电阻R7与所述三极管Q2的集电极电性连接，所述电阻R3远离所述三极管Q1的一端与所述电阻R6的一端电性连接，所述电阻R6远离所述电阻R3的一端通过电阻R7与所述三极管Q2的集电极电性连接。
3.根据权利要求2所述的一种精确过电流检测电路，其特征在于，精确过电流检测电路还包括三极管Q3和电阻R8，所述电阻R6和所述电阻R7的共接端和所述三极管Q3的基极电性连接，所述三极管Q3的集电极通过电阻R8接地。
4.根据权利要求3所述的一种精确过电流检测电路，其特征在于，精确过电流检测电路还包括MOS管Q4，所述MOS管Q4的源极与所述三极管Q3的发射极电性连接，所述MOS管Q4的栅极通过电阻R8接地。
5.根据权利要求4所述的一种精确过电流检测电路，其特征在于，电解电容EC2的正极与所述MOS管Q4的漏极电性连接，所述电解电容EC2的负极接地。
6.根据权利要求5所述的一种精确过电流检测电路，其特征在于，精确过电流检测电路还包括输出+，所述输出+与所述MOS管Q4的漏极电性连接。
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2019
- 2019-09-26 CN CN201921618006.XU patent/CN210775641U/zh active Active
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