CN210670016U - 一种mos管驱动电路 - Google Patents
一种mos管驱动电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN210670016U CN210670016U CN201922428293.4U CN201922428293U CN210670016U CN 210670016 U CN210670016 U CN 210670016U CN 201922428293 U CN201922428293 U CN 201922428293U CN 210670016 U CN210670016 U CN 210670016U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pin
- chip
- mos transistor
- pin end
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
一种MOS管驱动电路，包括TC4422芯片，TC4422芯片的8脚端、1脚端连接直流电源VCC1端，TC4422芯片的2脚端连接PWM信号输入端，TC4422芯片的4脚端、5脚端连接GND端，TC4422芯片的6脚端、7脚端连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接变压器T1初级绕组的1脚端，变压器T1初级绕组的2脚端连接GND端；本实用新型采用TC4424驱动MOS管，具有成本低、线路结构简单、线路稳定性高等优点。
Description
技术领域
本实用新型属于MOS管驱动技术领域，具体涉及一种MOS管驱动电路。
背景技术
MOS管因为开关特性好，所以被广泛的应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动等。但是随着电路设计对MOS 管开关频率速度需求的改变，传统的MOS管驱动电路也显露出了很大的缺点。例如采用传统图腾柱方式设计的MOS驱动电路，该设计电路开关频率太慢，不适合于高频开关电路；还有采用PWM芯片输出直接驱动MOS管，该设计电路瞬间驱动电流过大，因此容易造成 MOS管损坏，从而影响整体电路设计效果，严重情况下，甚至会造成整个电路的损坏。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种 MOS管驱动电路，采用TC4422进行MOS管驱动电路设计，具有成本低、线路结构简单、线路稳定性高等优点。
为了达到上述目的，本实用新型采取的技术方案为：
一种MOS管驱动电路，包括TC4422芯片，TC4422芯片的8脚端、1脚端连接直流电源VCC1端，TC4422芯片的2脚端连接PWM 信号输入端，TC4422芯片的4脚端、5脚端连接GND端，TC4422 芯片的6脚端、7脚端连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接变压器T1初级绕组的1脚端，变压器T1初级绕组的2脚端连接GND 端；
变压器T1次级绕组的3脚端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电容C2的一端、TVS二极管D1的一端、电阻R2的一端、 MOS管Q1的栅极端，电容C2的另一端、TVS二极管D1的另一端、电阻R2的另一端连接变压器T1次级绕组的4脚端、GND端，MOS 管Q1的漏极端连接直流电源VCC2端，MOS管Q1的源极端连接 GND端。
所述的直流电源VCC1端输入电压为15V。
所述的TVS二极管D1为瞬态抑制二极管，型号为SMBJ18CA。
所述的MOS管Q1为N沟道MOS管，型号为IR2110。
所述的电容C1、电容C2分别为1uF、1nF。
所述的电阻R1、电阻R2分别为10Ω、10kΩ。
本实用新型的有益效果：
1、通过变压器T1进行电气隔离，可以保证驱动电路端能够进行高低电压输入，电路灵活性较高。
2、通过TC4422进行MOS驱动，驱动速度快，MOS管功耗低，具有很高的实用性。
3、通过TVS二极管D1、电阻R1、电容C2等器件进行MOS管充放电保护，保证了电路运行的可靠性。
4、电路结构简单，成本低，具有很好的实用性和可拓展性。
附图说明
图1为本实用新型的电路示意图。
图2为TC4422芯片内部工作原理图。
图3为TC4422芯片输入PWM高电平时瞬间电流流向示意图。
图4为TC4422芯片输入PWM低电平时瞬间电流流向示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明
参照图1，一种MOS管驱动电路，包括TC4422芯片，TC4422 芯片的8脚端、1脚端连接直流电源VCC1端，TC4422芯片的2脚端连接PWM信号输入端，TC4422芯片的4脚端、5脚端连接GND 端，TC4422芯片的6脚端、7脚端连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接变压器T1初级绕组的1脚端，变压器T1初级绕组的2 脚端连接GND端；
变压器T1次级绕组的3脚端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电容C2的一端、TVS二极管D1的一端、电阻R2的一端、 MOS管Q1的栅极端，电容C2的另一端、TVS二极管D1的另一端、电阻R2的另一端连接变压器T1次级绕组的4脚端、GND端，MOS 管Q1的漏极端连接直流电源VCC2端，MOS管Q1的源极端连接 GND端。
所述的直流电源VCC1端输入电压为15V。
所述的TVS二极管D1为瞬态抑制二极管，型号为SMBJ18CA。
所述的MOS管Q1为N沟道MOS管，型号为IR2110。
所述的电容C1、电容C2分别为1uF、1nF。
所述的电阻R1、电阻R2分别为10Ω、10kΩ。
本实用新型的工作原理为：
如图1、图2所示,当TC4422芯片2脚端输入高电平时，TC4422 芯片内部的P-MOS管导通，N-MOS管关断，当TC4422芯片2脚端输入低电平时，TC4422芯片内部的P-MOS管关断，N-MOS管导通，所以TC4422芯片的输入端与输出端是同相的(即在输入端为高电平时，输出端也为高电平；输入端为低电平时，输出端也为低电平)。
如图1、图3所示，当TC4422芯片2脚端输入高电平时，TC4422 芯片7脚端进行电流输出，电流流经电容C1、变压器T1初级绕组1 脚端、2脚端后流入GND端，此时变压器T1初级侧两端电压为上正下负(即1脚端为正极，2脚端为负极)，与其变压器T1初级侧耦合的次级侧两端电压也是上正下负，电流从次级侧3脚端流经电阻R1 后分流，一路电流流经电容C2后流入到T1负边侧的4脚端，给电容C2充电，同时另一路电流快速的给MOS管内部的寄生电容充电 (充电时间较短，只有几十ns)，从而使得MOS管导通，此时MOS 管驱动电路端电路导通，VCC2直流电源端进行电流输出。
如图1、图4所示，当TC4422芯片2脚端输入低电平时，TC4422 芯片7脚端停止电流输出，电容C1反向放电(由充电时的左正右负变为左负右正)，此时电流从电容C1的左端流经TC4422芯片内部的 N-MOS管后流入变压器T1初级侧的1脚端，此时变压器T1初级侧两端电压为上负下正，变压器T1次级侧两端电压也变为上负下正，同时电容C2也进行放电(由充电时的上正下负变为上负下正)，使得MOS管Q1的栅极和源极之间被施加了一个负的栅源电压，从而使得MOS管Q1快速关断，此时MOS管驱动电路端电路关断，VCC2 直流电源端停止进行电流输出。
当TC4422芯片2脚端以一定占空比的PWM波输入时，TC4422 芯片7脚端也以相同占空比的PWM波进行输出，同时，MOS管Q1 也以相应频率进行开通和关断。为了保证MOS的可靠运行，电路设置了TVS二极管D1进行瞬间干扰脉冲的吸收；为了提高MOS管 Q1的使用寿命，电路设置了电容C2进行驱动信号尖峰的吸收，为了提高MOS管Q1的开通关断速度和抗干扰能力，电路设置了电容C1 在TC4422芯片输入端输入低电平时，提供负压输入，从而加速MOS管Q1的关断。该电路安全、可靠，并可进行进一步的拓展与应用，具有很高的实用性。
Claims (6)
1.一种MOS管驱动电路，包括TC4422芯片，其特征在于：TC4422芯片的8脚端、1脚端连接直流电源VCC1端，TC4422芯片的2脚端连接PWM信号输入端，TC4422芯片的4脚端、5脚端连接GND端，TC4422芯片的6脚端、7脚端连接电容C1的一端，电容C1的另一端连接变压器T1初级绕组的1脚端，变压器T1初级绕组的2脚端连接GND端；
变压器T1次级绕组的3脚端连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接电容C2的一端、TVS二极管D1的一端、电阻R2的一端、MOS管Q1的栅极端，电容C2的另一端、TVS二极管D1的另一端、电阻R2的另一端连接变压器T1次级绕组的4脚端、GND端，MOS管Q1的漏极端连接直流电源VCC2端，MOS管Q1的源极端连接GND端。
2.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于：所述的直流电源VCC1端输入电压为15V。
3.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于：所述的TVS二极管D1为瞬态抑制二极管，型号为SMBJ18CA。
4.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于：所述的MOS管Q1为N沟道MOS管，型号为IR2110。
5.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于：所述的电容C1、电容C2分别为1uF、1nF。
6.根据权利要求1所述的一种MOS管驱动电路，其特征在于：所述的电阻R1、电阻R2分别为10Ω、10kΩ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922428293.4U CN210670016U (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 一种mos管驱动电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201922428293.4U CN210670016U (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 一种mos管驱动电路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN210670016U true CN210670016U (zh) | 2020-06-02 |
Family
ID=70816282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201922428293.4U Active CN210670016U (zh) | 2019-12-30 | 2019-12-30 | 一种mos管驱动电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN210670016U (zh) |
-
2019
- 2019-12-30 CN CN201922428293.4U patent/CN210670016U/zh active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10340906B2 (en) | Integrated bootstrap high-voltage driver chip and technological structure thereof | |
| JP5945629B2 (ja) | レベルシフト回路 | |
| CN102769453B (zh) | 一种可抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路 | |
| CN101677210B (zh) | 具有低阻抗初始驱动和较高阻抗最终驱动的开关驱动器 | |
| CN201590755U (zh) | 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路 | |
| CN103762969A (zh) | 一种抗噪声干扰的高压侧栅驱动电路 | |
| CN101753000A (zh) | 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路及方法 | |
| CN103683872A (zh) | 一种半桥驱动电路 | |
| CN103683871A (zh) | 半桥驱动电路 | |
| CN104038072A (zh) | 一种高压输入辅助电源电路 | |
| CN101170278B (zh) | 一种桥式软关机电路 | |
| CN107612107A (zh) | 一种供电电压产生电路及其集成电路 | |
| CN203313043U (zh) | 一种高频mosfet的负压驱动电路 | |
| US20020109477A1 (en) | Inductive load driving circuit | |
| CN108336896A (zh) | 负压驱动电路 | |
| CN205249037U (zh) | 开关三极管的自供电电路、led驱动模块及集成电路 | |
| CN111555595A (zh) | 一种开启速率可控的GaN功率管栅驱动电路 | |
| CN208094427U (zh) | 负压驱动电路 | |
| CN202260990U (zh) | 一种可抗共模电源噪声干扰的高压栅驱动电路模块 | |
| CN102545560B (zh) | 一种功率开关驱动器、ic芯片及直流-直流转换器 | |
| CN101552593A (zh) | 驱动一输出级的驱动电路 | |
| CN210670016U (zh) | 一种mos管驱动电路 | |
| JP2012004786A (ja) | レベルシフト回路及びスイッチング電源装置 | |
| CN108551252B (zh) | 共用输入电容的高压栅极驱动电路 | |
| CN207743950U (zh) | 放电mos管的驱动电路及放电加工装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |