CN210515283U

CN210515283U - 一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路

Info

Publication number: CN210515283U
Application number: CN201921315548.XU
Authority: CN
Inventors: 王梓豪
Original assignee: Shenzhen Geyang Medical Technology Co ltd
Current assignee: Shenzhen Geyang Medical Technology Co ltd
Priority date: 2019-08-14
Filing date: 2019-08-14
Publication date: 2020-05-12
Anticipated expiration: 2029-08-14

Abstract

本实用新型公开了一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，涉及医疗器械硬件接口领域，包括第一继电器、第二继电器、USB接口、PMOS晶体管、充电电路模块、第一稳压单元、第二稳压单元、第一二极管、第二二极管，第一继电器与PMOS晶体管的栅极连接，PMOS晶体管的源极与USB接口连接，PMOS晶体管的漏极与充电电路模块连接，第一继电器与供电输出端口的连接端通过第一二极管与所述充电电路模块连接，充电电路模块分别与第一稳压单元、第二稳压单元连接，第二稳压单元通过第二二极管与第一稳压单元连接，第二继电器其中一端与第一稳压单元连接，另一端接地，本实用新型能够实时传输和存储患者的就诊信息和临床数据，有益于提高工作效率。

Description

一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路

技术领域

本实用新型涉及医疗器械硬件接口领域，具体为一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路。

背景技术

麻醉深度监测仪，用于全身麻醉患者手术中麻醉深度的监视，能实时显示患者镇静、催眠程度，范围100～0(从完全清醒～无脑电信号)；与科室现有的麻醉信息系统相连接，满足麻醉过程中数据记录的要求。现有技术中，麻醉深度监测仪采集患者信息数据后于监测仪内部存储，同时与麻醉信息系统连接，满足信息记录要求，但现有技术中，监测仪内部存储空间有限，大部分用于系统内部软件以及缓存患者信息，存储量有限，需要经常向外导出数据或者在线传输数据，使用不方便，对于患者的海量监测信息存储不便利，传输过程中，如丢失数据，会造成巨大的损失。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的目的是提供一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现：一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，用于与所述麻醉深度监测仪中央处理器1连接，所述中央处理器1为ARM四核Cortex-A9处理器，所述中央处理器1包括供电输出端口101、接地端口102、数据传输D+端口103、数据传输D-端口104，本实用新型包括第一继电器J1、第二继电器J2、USB接口2、PMOS晶体管Q1、充电电路模块3、第一稳压单元4、第二稳压单元5、第二电阻R2、第五电容C5、第九电容C9、第一二极管D1、第二二极管D2，所述供电输出端口101、接地端口102分别与所述第一继电器J1的两个端子连接，所述数据传输D+端口103、数据传输D-端口104均与所述USB接口2连接，所述第一继电器J1与所述接地端口102连接端的端子接地，所述第一继电器J1与所述供电输出端口101连接端的端子与所述PMOS晶体管Q1的栅极G连接，所述PMOS晶体管Q1的栅极 G通过第二电阻R2接地，所述PMOS晶体管Q1的源极S与所述USB接口2连接，所述PMOS晶体管Q1的漏极D通过所述第五电容C5接地，所述第一继电器J1 与所述供电输出端口101连接端的端子与所述第一二极管D1的正极连接，所述第一二极管D1的负极通过所述第五电容C5接地，所述第九电容C9并联接入所述第五电容C5的两端，所述第五电容与所述第一二极管正极的连接端与所述充电电路模块3连接，所述充电电路模块3分别与所述第一稳压单元4、第二稳压单元5连接，所述第二稳压单元5通过所述第二二极管D2与所述第一稳压单元4连接，所述第二继电器J2其中一端与所述第一稳压单元4连接，所述第二继电器J2另一端接地。

在优选的实施方案中，所述USB接口包括VBUS引脚、D-引脚、D+引脚、GND 引脚、SHELL引脚，所述VBUS引脚与所述PMOS晶体管Q的源极S连接，所述 D+引脚与所述数据传输D+端口103连接，所述D-引脚与所述数据传输D-端口 104连接，所述GND引脚接地，所述SHELL引脚为空脚。

在优选的实施方案中，所述充电电路模块3包括CN3052芯片、第一电阻 R1、第四电阻R4、第七电容C7、第十电容C10、第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2、电池BT，所述CN3052芯片包括TEMP第一引脚、ISET第二引脚、GND第三引脚、VIN第四引脚、BAT第五引脚、FAULT第六引脚、CHRG第七引脚、CE第八引脚，所述第一电阻R1的一端与所述第一二极管D1的负极连接，所述第一电阻R1的另一端分别与所述第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2的正极连接，所述第一发光二极管LED1的负极与所述FAULT第六引脚连接，所述第二发光二极管LED2的负极与所述CHRG第七引脚连接，所述GND第三引脚接地，所述CE引脚与所述VIN引脚连接且均与所述PMOS晶体管Q1的漏极D和所述第一稳压单元4连接，所述第七电容C7、第十电容C10均并联连接在所述BAT第五引脚、TEMP第一引脚之间，所述电池BT的正极分别与所述BAT 第五引脚和所述第二稳压单元5连接，所述电池BT的负极与所述TEMP第一引脚连接，所述ISET第二引脚通过所述第四电阻R4接地。

在优选的实施方案中，所述电池BT为可充电电池。

在优选的实施方案中，所述第一稳压单元4包括SPX1117-3.3V芯片、3.3V 电源、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4，所述SPX1117 芯片包括ADJ/GND引脚1’、Vout引脚2’、Vin引脚3’，所述第一电容C1、第三电容C3均并联连接在所述Vin引脚3’、ADJ/GND引脚1’之间，所述第二电容C2、第四电容C4均并联连接在所述Vout引脚2’、ADJ/GND引脚1’之间，所述第二电容C2与所述Vout引脚2’的连接端接入所述3.3V电源，所述Vin引脚3’与所述VIN第四引脚连接，所述Vout引脚2’与所述第二继电器J2的其中一端连接且与所述第二二极管D2的负极连接，所述ADJ/GND引脚 1’接地。

在优选的实施方案中，所述第二稳压单元5包括TPS76333芯片、第三电阻 R3、第六电容C6、第八电容C8、第十一电容C11，所述TPS76333芯片包括IN 引脚1”、GND引脚2”、EN引脚3”、NC/FB引脚4”、OUT引脚5”，所述IN 引脚1”与所述电池BT的正极相连，所述GND引脚2”接地，所述EN引脚3”与所述IN引脚1”连接，所述EN引脚3”通过所述第八电容C8与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端分别通过所述第六电容C6、第十一电容C11与所述OUT引脚5”连接，所述OUT引脚5”与所述第二二极管D2 的正极连接。

在优选的实施方案中，所述第一二极管D1、第二二极管D2的型号均为 IN5822。

本实用新型的有益效果为：

本实用新型通过设置USB接口电路能够连接外部存储卡，与外部存储卡之间进行数据传输和存储，同时通过充电电路模块、第一稳压单元、第二稳压单元保证数据传输过程中，电压的稳定以及低能耗，从而保证数据传输的稳定；同时本实用新型通过连接外部存储卡能够实时存储患者的海量就诊信息和临床数据，有益于提高工作效率以及后期对患者临床数据作对比，进行更深层次的研发工作。

附图说明

下面根据附图对本实用新型作进一步详细说明。

图1是本实用新型实施例所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路的电路结构图。

图中：

1、中央处理器；101、供电输出端口；102、接地端口；103、数据传输D+ 端口；104、数据传输D-端口；2、USB接口；3、充电电路模块；4、第一稳压单元；5、第二稳压单元。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

下面将参照附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

如图1所示，本实用新型实施例提供的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，用于与麻醉深度监测仪中央处理器1连接，中央处理器1为 ARM四核Cortex-A9处理器，中央处理器1包括供电输出端口101、接地端口 102、数据传输D+端口103、数据传输D-端口104，本实用新型包括第一继电器 J1、第二继电器J2、USB接口2、PMOS晶体管Q1、充电电路模块3、第一稳压单元4、第二稳压单元5、第二电阻R2、第五电容C5、第九电容C9、第一二极管D1、第二二极管D2，供电输出端口101、接地端口102分别与第一继电器J1 的两个端子连接，数据传输D+端口103、数据传输D-端口104均与USB接口2 连接，第一继电器J1与接地端口102连接端的端子接地，第一继电器J1与供电输出端口101连接端的端子与PMOS晶体管Q1的栅极G连接，PMOS晶体管Q1 的栅极G通过第二电阻R2接地，PMOS晶体管Q1的源极S与USB接口2连接，PMOS晶体管Q1的漏极D通过第五电容C5接地，第一继电器J1与供电输出端口101连接端的端子与第一二极管D1的正极连接，第一二极管D1的负极通过第五电容C5接地，第九电容C9并联接入第五电容C5的两端，第五电容与第一二极管正极的连接端与充电电路模块3连接，充电电路模块3分别与第一稳压单元4、第二稳压单元5连接，第二稳压单元5通过第二二极管D2与第一稳压单元4连接，第二继电器J2其中一端与第一稳压单元4连接，第二继电器J2 另一端接地；

USB接口包括VBUS引脚、D-引脚、D+引脚、GND引脚、SHELL引脚，VBUS 引脚与PMOS晶体管Q的源极S连接，D+引脚与数据传输D+端口103连接，D- 引脚与数据传输D-端口104连接，GND引脚接地，SHELL引脚为空脚；

本实用新型实施例中，第二电阻R2为1KΩ，第五电容C5为2.2uF，第九电容C9为2.2uF，第一二极管D1、第二二极管D2的型号均为IN5822，中央处理器1通过数据传输D+端口103、数据传输D-端口104与USB接口2连接，进行数据传输，通过供电输出端口101向充电电路模块3中供电，同时通过充电电路模块3以及第一稳压单元4和第二稳压单元5的稳压并降低能耗的作用下向USB接口中供电；PMOS晶体管Q1是一种电压驱动器件，静态电流非常低(最大值为140μA)并且稳定，整个输出负载电流范围(0mA至150mA)，适用于便携式系统，低压差电压和低功耗运行导致系统电池运行寿命显著增加。

充电电路模块3包括CN3052芯片、第一电阻R1、第四电阻R4、第七电容 C7、第十电容C10、第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2、电池BT，电池BT为可充电电池，CN3052芯片包括TEMP第一引脚、ISET第二引脚、GND第三引脚、VIN第四引脚、BAT第五引脚、FAULT第六引脚、CHRG第七引脚、CE 第八引脚，第一电阻R1的一端与第一二极管D1的负极连接，第一电阻R1的另一端分别与第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2的正极连接，第一发光二极管LED1的负极与FAULT第六引脚连接，第二发光二极管LED2的负极与 CHRG第七引脚连接，GND第三引脚接地，CE引脚与VIN引脚连接且均与PMOS 晶体管Q1的漏极D和第一稳压单元4连接，第七电容C7、第十电容C10均并联连接在BAT第五引脚、TEMP第一引脚之间，电池BT的正极分别与BAT第五引脚和第二稳压单元5连接，电池BT的负极与TEMP第一引脚连接，ISET第二引脚通过第四电阻R4接地；

本实用新型实施例中，第一电阻R1为330Ω，第四电阻R4为10KΩ，第七电容C7为2.2uF，第十电容C10为2.2uF，CN3052芯片为USB接口兼容的线性锂离子电池充电电路，符合USB总线技术规范，第一发光二极管LED1选用绿色LED灯，第二发光二极管LED2选用红色LED灯，ISET引脚通过第四电阻R4 接地，可以对充电电流进行编程，用于监测充电电流，当处于充电阶段时，CHRG 引脚被拉到低电平，第二发光二极管LED2红色灯亮起，表示正在充电，TEMP 引脚接到电池BT的负极，如果TEMP引脚的电压小于输入电压的45％或者大于输入电压的80％超过0.15秒，意味着电池温度过低或过高，则充电被暂停，FAULT 引脚被拉到低电平，此时第一发光二极管LED1绿色灯亮起，CHRG引脚为高阻态，表示电池进入故障状态，如果TEMP引脚在输入电压的45％和80％之间，则电池故障状态被消除，FAULT引脚为高阻态，充电将继续。

第一稳压单元4包括SPX1117-3.3V芯片、3.3V电源、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4，SPX1117芯片包括ADJ/GND引脚1’、Vout 引脚2’、Vin引脚3’，第一电容C1、第三电容C3均并联连接在Vin引脚3’、 ADJ/GND引脚1’之间，第二电容C2、第四电容C4均并联连接在Vout引脚2’、ADJ/GND引脚1’之间，第二电容C2与Vout引脚2’的连接端接入3.3V电源， Vin引脚3’与VIN第四引脚连接，Vout引脚2’与第二继电器J2的其中一端连接且与第二二极管D2的负极连接，ADJ/GND引脚1’接地；

本实用新型实施例中，第一电容C1为10uF，第二电容C2为10uF，第三电容C3为0.1uF，第四电容C4为0.1uF，SPX1117为低功耗正向电压调节器，适用于便携式移动设备中，SPX1117具有很低的静态电流，本实用新型中选用 SPX1117-3.3V芯片，即选用3.3V的输出电压，本实用新型实施中，在 SPX1117-3.3V芯片的Vout引脚输出端添加0.1uF的第四电容C4和10uF的第二电容C2，确保SPX1117-3.3V芯片的稳定性。

第二稳压单元5包括TPS76333芯片、第三电阻R3、第六电容C6、第八电容C8、第十一电容C11，所述TPS76333芯片包括IN引脚1”、GND引脚2”、 EN引脚3”、NC/FB引脚4”、OUT引脚5”，所述IN引脚1”与所述电池BT 的正极相连，所述GND引脚2”接地，所述EN引脚3”与所述IN引脚1”连接，所述EN引脚3”通过所述第八电容C8与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端分别通过所述第六电容C6、第十一电容C11与所述OUT引脚5”连接，所述OUT引脚5”与所述第二二极管D2的正极连接；

本实用新型实施例中，第三电阻R3为1KΩ，第六电容C6为2.2uF，第八电容C8为1uF，第十一电容C11为2.2uF，TPS76333芯片为低压差(LDO) 稳压器，具有低压差，低功耗的优点；由于PMOS晶体管Q1表现为低值电阻，因此压差电压非常大，在150mA负载电流(应用TPS76333芯片)下低至300mV，并且与负载电流成正比；TPS763xx采用PMOS晶体管Q1，相比传统的PNP传输元件LDO设计，可显着降低压差和电源电流；PMOS晶体管Q1亦是一种电压控制器件，与PNP传输元件不同，随着输出电流的增加不需要增加驱动电流， TPS76333的供电电流从空载到最大负载基本恒定。

最后应说明的是：以上所述的各实施例仅用于说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的范围。

Claims

1.一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，用于与所述麻醉深度监测仪中央处理器(1)连接，所述中央处理器(1)为ARM四核Cortex-A9处理器，所述中央处理器(1)包括供电输出端口(101)、接地端口(102)、数据传输D+端口(103)、数据传输D-端口(104)，其特征在于：包括第一继电器J1、第二继电器J2、USB接口(2)、PMOS晶体管Q1、充电电路模块(3)、第一稳压单元(4)、第二稳压单元(5)、第二电阻R2、第五电容C5、第九电容C9、第一二极管D1、第二二极管D2，所述供电输出端口(101)、接地端口(102)分别与所述第一继电器J1的两个端子连接，所述数据传输D+端口(103)、数据传输D-端口(104)均与所述USB接口(2)连接，所述第一继电器J1与所述接地端口(102)连接端的端子接地，所述第一继电器J1与所述供电输出端口(101)连接端的端子与所述PMOS晶体管Q1的栅极G连接，所述PMOS晶体管Q1的栅极G通过第二电阻R2接地，所述PMOS晶体管Q1的源极S与所述USB接口(2)连接，所述PMOS晶体管Q1的漏极D通过所述第五电容C5接地，所述第一继电器J1与所述供电输出端口(101)连接端的端子与所述第一二极管D1的正极连接，所述第一二极管D1的负极通过所述第五电容C5接地，所述第九电容C9并联接入所述第五电容C5的两端，所述第五电容与所述第一二极管正极的连接端与所述充电电路模块(3)连接，所述充电电路模块(3)分别与所述第一稳压单元(4)、第二稳压单元(5)连接，所述第二稳压单元(5)通过所述第二二极管D2与所述第一稳压单元(4)连接，所述第二继电器J2其中一端与所述第一稳压单元(4)连接，所述第二继电器J2另一端接地。

2.根据权利要求1所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，其特征在于：所述USB接口包括VBUS引脚、D-引脚、D+引脚、GND引脚、SHELL引脚，所述VBUS引脚与所述PMOS晶体管Q的源极S连接，所述D+引脚与所述数据传输D+端口(103)连接，所述D-引脚与所述数据传输D-端口(104)连接，所述GND引脚接地，所述SHELL引脚为空脚。

3.根据权利要求1所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，其特征在于：所述充电电路模块(3)包括CN3052芯片、第一电阻R1、第四电阻R4、第七电容C7、第十电容C10、第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2、电池BT，所述CN3052芯片包括TEMP第一引脚、ISET第二引脚、GND第三引脚、VIN第四引脚、BAT第五引脚、FAULT第六引脚、CHRG第七引脚、CE第八引脚，所述第一电阻R1的一端与所述第一二极管D1的负极连接，所述第一电阻R1的另一端分别与所述第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2 的正极连接，所述第一发光二极管LED1的负极与所述FAULT第六引脚连接，所述第二发光二极管LED2的负极与所述CHRG第七引脚连接，所述GND第三引脚接地，所述CE引脚与所述VIN引脚连接且均与所述PMOS晶体管Q1的漏极D和所述第一稳压单元(4)连接，所述第七电容C7、第十电容C10均并联连接在所述BAT第五引脚、TEMP第一引脚之间，所述电池BT的正极分别与所述BAT第五引脚和所述第二稳压单元(5)连接，所述电池BT的负极与所述TEMP第一引脚连接，所述ISET第二引脚通过所述第四电阻R4接地。

4.根据权利要求3所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，其特征在于：所述电池BT为可充电电池。

5.根据权利要求4所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，其特征在于：所述第一稳压单元(4)包括SPX1117-3.3V芯片、3.3V电源、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4，所述SPX1117芯片包括ADJ/GND引脚(1’)、Vout引脚(2’)、Vin引脚(3’)，所述第一电容C1、第三电容C3均并联连接在所述Vin引脚(3’)、ADJ/GND引脚(1’)之间，所述第二电容C2、第四电容C4均并联连接在所述Vout引脚(2’)、ADJ/GND引脚(1’)之间，所述第二电容C2与所述Vout引脚(2’)的连接端接入所述3.3V电源，所述Vin引脚(3’)与所述VIN第四引脚连接，所述Vout引脚(2’)与所述第二继电器J2的其中一端连接且与所述第二二极管D2的负极连接，所述ADJ/GND引脚(1’)接地。

6.根据权利要求5所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，其特征在于：所述第二稳压单元(5)包括TPS76333芯片、第三电阻R3、第六电容C6、第八电容C8、第十一电容C11，所述TPS76333芯片包括IN引脚(1”)、GND引脚(2”)、EN引脚(3”)、NC/FB引脚(4”)、OUT引脚(5”)，所述IN引脚(1”)与所述电池BT的正极相连，所述GND引脚(2”)接地，所述EN引脚(3”)与所述IN引脚(1”)连接，所述EN引脚(3”)通过所述第八电容C8与所述第三电阻R3的一端连接，所述第三电阻R3的另一端分别通过所述第六电容C6、第十一电容C11与所述OUT引脚(5”)连接，所述OUT引脚(5”)与所述第二二极管D2的正极连接。

7.根据权利要求6所述的一种麻醉深度监测仪外接海量数据存储卡接口电路，其特征在于：所述第一二极管D1、第二二极管D2的型号均为IN5822。