CN210514128U - 一种透射电镜原位电学样品杆 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了一种透射电镜原位电学样品杆，包括样品杆本体、手握柄和真空电学接头、导线，所述真空电学接头位于手握柄尾部，具有电学测量设备接口，样品杆本体设置在手握柄上，所述样品杆本体前端设有样品杆杆头，样品杆杆头上设有电学测量用的芯片载台和薄膜芯片，所述的薄膜芯片位于芯片载台上；本实用新型的有益效果是：通过薄膜芯片实现加热功能，通过样品杆的降温通路实现降温，最大程度地实现了材料的温度调节功能。薄膜芯片才用多电极结构，能够准确测量不同温度下材料的电学信号。
Description
技术领域
实用新型涉及电子显微镜配件领域，尤其涉及一种透射电镜原位电学样品杆。
背景技术
传统的透射电子显微镜测量，通常是对实验材料进行非原位表征，通过对比实验前后材料的晶体缺陷、微观结构变化、化学成分变化等，间接得到材料的材料与性能之间的关系；这种间接观察推断，缺乏微观结构演变数据，对很对材料变化现象不能做出科学合理的解释；透射电子显微镜(TED)原位测量技术能同时获得纳米材料原子级分辨率的结构信息和相关化学性质，与此同时，TED的超快成像功能可以观测并记录材料在电学激励下原子分辨率的动态效应。
为了实现上述功能，需要借助特定透射电子显微镜原位电学样品杆，目前商用透射电子显微镜原位电学样品杆存在价格昂贵、操作复杂、变温功能较差、电极个数较少等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是要提供一种变温功能好、电极个数多的透射电子显微镜原位电学样品杆。
本实用新型提供的技术方案是：一种透射电镜原位电学样品杆，包括样品杆本体、手握柄、真空电学接头、导线，所述真空电学接头位于手握柄尾部，具有电学测量设备接口，样品杆本体设置在手握柄上，所述样品杆本体前端设有样品杆杆头，样品杆杆头上设有电学测量用的芯片载台和薄膜芯片，所述的薄膜芯片位于芯片载台上。
进一步，所述的样品杆本体内部有降温通路，当尾部的降温端浸入到不同温度的低温液体中时，样品杆尖端的芯片也会降到与液体对应的温度，样品杆尖端的低温可设置范围为77K～273K。
进一步，所述的真空电学接头具有电学测量设备接口。
进一步，所述的样品杆杆头采用耐高温的合金材质制成，表面镀有绝缘层，杆头宽度在6～8mm，可以使杆头在透射电子显微镜的极化中进行倾转。
进一步，所述的芯片载台采用高导热并且绝缘的惰性材料制成。
进一步，所述的薄膜芯片上有多个电学测量电极和加热电极，可以对材料进行电学测量和加热，加热范围373K～1273K，薄膜芯片与透射电子显微镜尖端电路连接通过键合的方法实现。
进一步，所述导线有8根，都是气密型的，从样品杆的尖端穿过样品杆连接到样品杆尾部的接口，形成电学通路，允许在TEM内部实现电学测量。
实用新型的有益效果是：通过薄膜芯片实现加热功能，通过样品杆的降温通路实现降温，最大程度地实现了材料的温度调节功能。薄膜芯片才用多电极结构，能够准确测量不同温度下材料的电学信号；
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
附图中：1-样品杆本体、2-手握柄、3-真空电学接头、4-样品杆杆头、5-芯片载台、6-薄膜芯片、7-导线。
具体实施方式
下面结合附图与具体实例对本专利的技术方案作进一步详细地说明。
一种透射电镜原位电学样品杆，包括样品杆本体1、手握柄2和真空电学接头3、导线7，所述真空电学接头位于手握柄尾部，具有电学测量设备接口，样品杆本体1设置在手握柄上，所述样品杆本体前端设有样品杆杆头4，样品杆杆头4上设有电学测量用的芯片载台5和薄膜芯片6，所述的薄膜芯片6位于芯片载台5上。
进一步，所述的样品杆本体1内部有降温通路，当尾部的降温端浸入到不同温度的低温液体中时，样品杆尖端的芯片也会降到与液体对应的温度，样品杆尖端的低温可设置范围为77K～273K。
进一步，所述的真空电学接头3具有电学测量设备接口。
进一步，所述的样品杆杆头4采用耐高温的合金材质制成，表面镀有绝缘层，杆头宽度在6～8mm，可以使杆头在透射电子显微镜的极化中进行倾转。
进一步，所述的芯片载台5采用高导热并且绝缘的惰性材料制成。
进一步，所述的薄膜芯片6上有多个电学测量电极和加热电极，可以对材料进行电学测量和加热，加热范围373K～1273K，薄膜芯片与透射电子显微镜尖端电路连接通过键合的方法实现。
进一步，所述导线7有8根，都是气密型的，从样品杆的尖端穿过样品杆连接到样品杆尾部的接口，形成电学通路，允许在TEM内部实现电学测量。
本实用新型使用前，将测试和控制信号线接入真空电学接头3，实现外部测试模块对样品杆杆头上的薄膜芯片进行电信号激励；待样品杆插入透射电子显微镜内部后，通过控制外部测试电信号调节样品上的电信号，进而完成样品的原位测量实验；另外原位电学样品杆也可以具有变温功能从而可以避免电子束在样品表面引起的碳氢化学物污染，高温可以通过薄膜芯片实现加热，降温通过样品杆的降温通路实现。
上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。
Claims (7)
1.一种透射电镜原位电学样品杆，包括样品杆本体、手握柄和真空电学接头、导线，其特征是，所述真空电学接头位于手握柄尾部，具有电学测量设备接口，样品杆本体设置在手握柄上，所述样品杆本体前端设有样品杆杆头，样品杆杆头上设有电学测量用的芯片载台和薄膜芯片，所述的薄膜芯片位于芯片载台上。
2.根据权利要求1所述的一种透射电镜原位电学样品杆，其特征是，所述的样品杆本体内部有降温通路，当尾部的降温端浸入到不同温度的低温液体中时，样品杆尖端的芯片也会降到与液体对应的温度，样品杆尖端的低温可设置范围为77K～273K。
3.根据权利要求1所述的一种透射电镜原位电学样品杆，其特征是，所述的真空电学接头具有电学测量设备接口。
4.根据权利要求1所述的一种透射电镜原位电学样品杆，其特征是，所述的样品杆杆头采用耐高温的合金材质制成，表面镀有绝缘层，杆头宽度在6～8mm，可以使杆头在透射电子显微镜的极化中进行倾转。
5.根据权利要求1所述的一种透射电镜原位电学样品杆，其特征是，所述的芯片载台采用高导热并且绝缘的惰性材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种透射电镜原位电学样品杆，其特征是，所述的薄膜芯片上有多个电学测量电极和加热电极，可以对材料进行电学测量和加热，加热范围373K～1273K，薄膜芯片与透射电子显微镜尖端电路连接通过键合的方法实现。
7.根据权利要求1所述的一种透射电镜原位电学样品杆，其特征是，所述导线有8根，都是气密型的，从样品杆的尖端穿过样品杆连接到样品杆尾部的接口，形成电学通路，允许在TEM内部实现电学测量。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| CN201921394003.2U CN210514128U (zh) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 一种透射电镜原位电学样品杆 |
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| CN201921394003.2U CN210514128U (zh) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 一种透射电镜原位电学样品杆 |
Publications (1)
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| CN210514128U true CN210514128U (zh) | 2020-05-12 |
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|---|---|
| CN (1) | CN210514128U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112834539A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 厦门超新芯科技有限公司 | 一种透射电镜力电热原位样品杆 |
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2019
- 2019-08-26 CN CN201921394003.2U patent/CN210514128U/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN112834539A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-25 | 厦门超新芯科技有限公司 | 一种透射电镜力电热原位样品杆 |
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