CN210490734U - 一种dc-dc直流升压变换电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种DC‑DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，本实用新型采用高频40khz数字信号驱动芯片，设计电路简单，节约大功率器件降低了成本，同时对输出波形采取了数字信号控制，滤波电路加入提高了输出波形质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及电源技术领域，具体是一种DC-DC直流升压变换电路。
背景技术
随着人们生活水平的不断提高，电子设备已经成为生活中必不可少的一部分，尤其是各种家用电器给人们的生活、工作带来了极大的便利，这类电子装置都要求有一个精度较高、电流较大的DC-DC直流电源。现有市场的直流电源种类繁多，其中低端产品尤其多，虽然低端产品相对高端产品有着价格的优势，但是质量往往不尽如意。
常见的DC-DC直流电源均存在功能单一、寿命短、抗干扰性能差等缺陷，而高端产品虽然质量可靠、安全稳定，但是价格高昂也让人望而却步。因此有待于改进。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种DC-DC直流升压变换电路，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
一种DC-DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，电容XSC1的另一端通过电阻XSR1连接场效应管QMOS1的源极、场效应管QMOS2的源极和变压器T1的端口15，场效应管QMOS1的栅极通过电阻DR2连接电阻DR1和控制端PWM2，电阻DR1的另一端连接场效应管QMOS2的栅极，变压器T1的端口7连接二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1的阴极，二极管ZLD2的阴极连接电容BUSC1、电容BUSC2、电容BUSC3、电容C15、电容C39和电压输出端，电容C39的另一端连接电阻R6的另一端、电阻KTS1、电阻KTS2、二极管ZLD1的阳极和地，变压器T1的端口4接地。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述变压器T1到的型号为E142。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述控制端PWM1和控制端PWM2均连接数字信号驱动芯片。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1组成整流电路。
作为本实用新型的进一步技术方案：所述场效应管QMOS1-QMOS4的型号均为SVD1404T。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：本实用新型采用高频40khz数字信号驱动芯片，设计电路简单，节约大功率器件降低了成本，同时对输出波形采取了数字信号控制，滤波电路加入提高了输出波形质量。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
实施例1：请参阅图1，一种DC-DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，电容XSC1的另一端通过电阻XSR1连接场效应管QMOS1的源极、场效应管QMOS2的源极和变压器T1的端口15，场效应管QMOS1的栅极通过电阻DR2连接电阻DR1和控制端PWM2，控制端PWM1和控制端PWM2均连接数字信号驱动芯片，数字信号驱动芯片通过PWM控制信号对QMOS1和QMOS4，先导通QMOS3和QMOS4相连的T1（10-11线圈）再导通QMOS1和QMOS2相连的T1（14-15线圈）产生高频高压，电阻DR1的另一端连接场效应管QMOS2的栅极，变压器T1的端口7连接二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1的阴极，二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1组成整流电路，对变压器T1输出的电压进行整流，二极管ZLD2的阴极连接电容BUSC1、电容BUSC2、电容BUSC3、电容C15、电容C39和电压输出端，电容C39的另一端连接电阻R6的另一端、电阻KTS1、电阻KTS2、二极管ZLD1的阳极和地，变压器T1的端口4接地。最终从电压输出端输出400V的直流电压，达到升压的目的，数字信号驱动芯片可选择PIC16F1937芯片。
实施例2，在实施例1的基础上，变压器T1到的型号为E142，场效应管QMOS1-QMOS4的型号均为SVD1404T，上述元件的选型能够满足本设计需求。
对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (5)
1.一种DC-DC直流升压变换电路，包括变压器T1、电阻DR4、场效应管QMOS3和场效应管QMOS1，其特征在于，所述场效应管QMOS3的源极连接场效应管QMOS4和接地端，场效应管QMOS3的栅极通过电阻DR4连接电阻DR3和控制端PWM1，电阻DR3的另一端连接场效应管QMOS4的栅极，场效应管QMOS3的漏极连接电容XSC1、场效应管QMOS4的漏极和变压器T1的端口9，电容XSC1的另一端通过电阻XSR1连接场效应管QMOS1的源极、场效应管QMOS2的源极和变压器T1的端口15，场效应管QMOS1的栅极通过电阻DR2连接电阻DR1和控制端PWM2，电阻DR1的另一端连接场效应管QMOS2的栅极，变压器T1的端口7连接二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1的阴极，二极管ZLD2的阴极连接电容BUSC1、电容BUSC2、电容BUSC3、电容C15、电容C39和电压输出端，电容C39的另一端连接电阻R6的另一端、电阻KTS1、电阻KTS2、二极管ZLD1的阳极和地，变压器T1的端口4接地。
2.根据权利要求1所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述变压器T1到的型号为E142。
3.根据权利要求1所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述控制端PWM1和控制端PWM2均连接数字信号驱动芯片。
4.根据权利要求1所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述二极管ZLD2的阳极和二极管ZLD1组成整流电路。
5.根据权利要求1-4任一所述的一种DC-DC直流升压变换电路，其特征在于，所述场效应管QMOS1-QMOS4的型号均为SVD1404T。
Priority Applications (1)
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2019
- 2019-09-04 CN CN201921457278.6U patent/CN210490734U/zh active Active
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