CN210403237U - 一种石墨烯导电材料 - Google Patents

一种石墨烯导电材料 Download PDF

Info

Publication number
CN210403237U
CN210403237U CN201920806590.5U CN201920806590U CN210403237U CN 210403237 U CN210403237 U CN 210403237U CN 201920806590 U CN201920806590 U CN 201920806590U CN 210403237 U CN210403237 U CN 210403237U
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
isolation insulating
insulating film
film
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201920806590.5U
Other languages
English (en)
Inventor
王奉瑾
戴雪青
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen Baosheng Dashun Photoelectric Technology Co., Ltd
Original Assignee
王奉瑾
戴雪青
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 王奉瑾, 戴雪青 filed Critical 王奉瑾
Priority to CN201920806590.5U priority Critical patent/CN210403237U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN210403237U publication Critical patent/CN210403237U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本实用新型提供了一种石墨烯导电材料,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。本实用新型构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜结构的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,在单重隔离绝缘膜上设置的导电桩位结构,保障了单重石墨烯膜的导电性能。

Description

一种石墨烯导电材料
【技术领域】
本实用新型属于碳材料导电技术领域,具体是涉及一种石墨烯导电材料。
【背景技术】
石墨烯,属于纳米材料,目前被称为材料界的“ 黑金”,它集导电/导热性最好、最强韧、最薄等许多优异性能于一体,是目前材料界的研究热点。
石墨烯的比表面积非常大,为2630m2/g,石墨烯的每个碳原子均为sp2杂化,并贡献剩余一个p轨道电子形成π键,π电子可以自由移动,赋予石墨烯优异的导电性。由于原子间作用力非常强,在常温下,即使周围碳原子发生碰撞,石墨烯中的电子受到的干扰也很小,电子在石墨烯中传输时不易发生散射,约为硅中电子迁移率的140倍,电子迁移在室温下可以达到15000cm2 /( V·S) ,其电导率可达106s/m,而电阻率只约10-6Ω·cm,比铝、铜和银低很多,只有10 ~ 6Ω·cm 左右,为世界上迄今为止电阻率最小的材料。
因为石墨烯的电阻率极低,电子迁移的速率极快,柔韧性极强,因此被期待用于作为发展新一代更薄、导电速率更快,柔韧性更强的导电产品的核心材料。
针对上述问题,我们提供了一种新的技术方案。
【实用新型内容】
针对现有技术中的上述技术问题,本实用新型提供了一种石墨烯导电材料。
为了解决上述存在的技术问题,本实用新型采用下述技术方案:
一种石墨烯导电材料,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。
在进一步的改进方案中,所述基材里层为基材芯体,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最外层的石墨烯膜/隔离绝缘膜外侧包覆有一外保护套。
在进一步的改进方案中,所述基材里层为基材底板,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最上层的石墨烯膜/隔离绝缘膜上侧设有一外保护套。
在进一步的改进方案中,所述基材芯体为可导电结构或非导电结构。
在进一步的改进方案中,所述基材底板为铜箔。
在进一步的改进方案中,所述导电桩位为桩孔。
在进一步的改进方案中,所述单重石墨烯膜的厚度少于五层石墨烯层的厚度。
在进一步的改进方案中,所述隔离绝缘膜为有机高分子材料结构。
在进一步的改进方案中,所述隔离绝缘膜为无机高分子材料结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型在基材里层外/上层设置多重石墨烯膜,并在内、外或上、下相邻的两重石墨烯膜之间设置隔离绝缘膜实现两重石墨烯膜的层间分隔,以使得构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜结构的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,为了防止某一层或多层的单重石墨烯膜断裂而造成无法导电,在本实用新型中,还在单重隔离绝缘膜上创造性地设计了导电桩位结构,以使上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接下/内层单重石墨烯膜,将相隔离的两层单重石墨烯膜短路连接,保障其导电性能。
下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述:
【附图说明】
图1 为本实用新型实施例一的结构示意图;
图2 为本实用新型实施例二的结构示意图;
图3 为本实用新型中石墨烯膜和隔离绝缘膜之间的结构示意图。
【具体实施方式】
下面详细描述本实用新型的实施例,所述的实施例示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
附图所显示的方位不能理解为限制本实用新型的具体保护范围,仅供较佳实施例的参考理解,可以图中所示的产品部件进行位置的变化或数量增加或结构简化。
说明书中所述的“连接”及附图中所示出的部件相互“连接”关系,可以理解为固定地连接或可拆卸连接或形成一体的连接;可以是直接直接相连或通过中间媒介相连,本领域普通技术人员可以根据具体情况理解连接关系而可以得出螺接或铆接或焊接或卡接或嵌接等方式以适宜的方式进行不同实施方式替用。
说明书中所述的上、下、左、右、顶、底等方位词及附图中所示出方位,各部件可直接接触或通过它们之间的另外特征接触;如在上方可以为正上方和斜上方,或它仅表示高于其他物;其他方位也可作类推理解。
说明书及附图中所表示出的具有实体形状部件的制作材料,可以采用金属材料或非金属材料或其他合成材料;凡涉及具有实体形状的部件所采用的机械加工工艺可以是冲压、锻压、铸造、线切割、激光切割、铸造、注塑、数铣、三维打印、机加工等等;本领域普通技术人员可以根据不同的加工条件、成本、精度进行适应性地选用或组合选用,但不限于上述材料和制作工艺。
一种石墨烯导电材料,如图1、2、3所示,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40,所述单重石墨烯膜30的厚度少于五层石墨烯层的厚度,所述隔离绝缘膜40为有机高分子材料结构或无机高分子材料结构;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜30,在所述石墨烯膜30的外/上层设有一重隔离绝缘膜40,在该重隔离绝缘膜40的外/上层设有一重石墨烯膜30,依此,所述多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40以单重石墨烯膜30和单重隔离绝缘40层依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜40上的任意部位设有至少一个导电桩位50,所述导电桩位50为桩孔,所述导电桩位50贯穿单重隔离绝缘膜40,可供其上/外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜30。
在如图1所示的实施例一中,所述基材里层为基材芯体10,所述基材芯体10为可导电结构或非导电结构,所述多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40以单重石墨烯膜30和单重隔离绝缘膜40依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜40上的任意部位设有至少一个导电桩位50,所述导电桩位50贯穿单重隔离绝缘膜40,可供其外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜30;在最外层的石墨烯膜30/隔离绝缘膜40外侧包覆有一外保护套60。
在如图2所示的实施例二中,所述基材里层为基材底板20,所述基材底板20为铜箔,所述多重石墨烯膜30和多重隔离绝缘膜40以单重石墨烯膜30和单重隔离绝缘膜40依次相互错落重叠排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜40上的任意部位设有至少一个导电桩位50,所述导电桩位50贯穿单重隔离绝缘膜40,可供其外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜30。
本实用新型在基材里层外/上层设置多重石墨烯膜30,并在内、外或上、下相邻的两重石墨烯膜30之间设置隔离绝缘膜40实现两重石墨烯膜30的层间分隔,以使得构建的石墨烯导电材料,较之单层石墨烯膜材料的导电材料,具有更强的导电性,导电性能得到大大提高,同时,为了防止某一层或多层的单重石墨烯膜30断裂而造成无法导电,在本实用新型中,还在单重隔离绝缘膜40上创造性地设计了导电桩位50结构,以使上/外层的单重石墨烯膜30灌注其内后连接下/内层单重石墨烯膜30,将相隔离的两层单重石墨烯膜30短路连接,保障其导电性能。
尽管参照上面实施例详细说明了本实用新型,但是通过本公开对于本领域技术人员显而易见的是,而在不脱离所述的权利要求限定的本实用新型的原理及精神范围的情况下,可对本实用新型做出各种变化或修改。因此,本公开实施例的详细描述仅用来解释,而不是用来限制本实用新型,而是由权利要求的内容限定保护的范围。

Claims (9)

1.一种石墨烯导电材料,其特征在于,其包括有基材里层,以及多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜;在基材里层的外/上层设有一重石墨烯膜,在所述石墨烯膜的外/上层设有一重隔离绝缘膜,在该重隔离绝缘膜的外/上层设有一重石墨烯膜,依此,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠/包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其上/外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其下/内层单重石墨烯膜。
2.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述基材里层为基材芯体,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落包覆排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最外层的石墨烯膜/隔离绝缘膜外侧包覆有一外保护套。
3.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述基材里层为基材底板,所述多重石墨烯膜和多重隔离绝缘膜以单重石墨烯膜和单重隔离绝缘膜依次相互错落重叠排列的结构设置;在所述单重隔离绝缘膜上的任意部位设有至少一个导电桩位,所述导电桩位贯穿单重隔离绝缘膜,可供其外层的单重石墨烯膜灌注其内后连接其内层单重石墨烯膜;在最上层的石墨烯膜/隔离绝缘膜上侧设有一外保护套。
4.根据权利要求2所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述基材芯体为可导电结构或非导电结构。
5.根据权利要求3所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述基材底板为铜箔。
6.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述导电桩位为桩孔。
7.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述单重石墨烯膜的厚度少于五层石墨烯层的厚度。
8.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述隔离绝缘膜为有机高分子材料结构。
9.根据权利要求1所述的一种石墨烯导电材料,其特征在于,所述隔离绝缘膜为无机高分子材料结构。
CN201920806590.5U 2019-05-30 2019-05-30 一种石墨烯导电材料 Active CN210403237U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920806590.5U CN210403237U (zh) 2019-05-30 2019-05-30 一种石墨烯导电材料

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201920806590.5U CN210403237U (zh) 2019-05-30 2019-05-30 一种石墨烯导电材料

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN210403237U true CN210403237U (zh) 2020-04-24

Family

ID=70347586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201920806590.5U Active CN210403237U (zh) 2019-05-30 2019-05-30 一种石墨烯导电材料

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN210403237U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110111929A (zh) * 2019-05-30 2019-08-09 王奉瑾 一种石墨烯导电材料

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110111929A (zh) * 2019-05-30 2019-08-09 王奉瑾 一种石墨烯导电材料

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW473746B (en) Improved conductive polymer device and method of manufacturing same
US20190098745A1 (en) Systems and methods for combined thermal and electrical energy transfer
TW200532723A (en) Stacking electronics devices and producing methods
CN102593046A (zh) 制造半导体器件封装件的方法
JP2013065865A (ja) 放熱基板の製造方法
CN101627449A (zh) 可嵌入到基板中的薄固态电解电容器
CN207818780U (zh) 集流体、极片及电池
JP2000243558A5 (zh)
CN110111952B (zh) 一种石墨烯导电材料的制备方法
US20140096380A1 (en) Hybrid heat-radiating substrate and method of manufacturing the same
JP2012058168A5 (zh)
KR101685791B1 (ko) 도선 및 반도체 소자 배선용 나노 카본 재료 및 육방정계 질화붕소 적층구조물 및 이의 제조 방법
CN210403237U (zh) 一种石墨烯导电材料
CN103366968B (zh) 方形高能钽混合电容器及其制造工艺
CN209980807U (zh) 一种石墨烯导电结构体
KR20140145870A (ko) 방열 복합시트
US20170223828A1 (en) System and method of forming electrical interconnects
CN1997271B (zh) 散热装置和其制作方法
WO2008125010A1 (fr) Procédé de fabrication d'un substrat de circuit à conduction thermique élevée
KR20050071330A (ko) 과전류 보호 장치 및 그 제조 방법
TW201016865A (en) Metal foil with electric resistance film and method for manufacturing the metal foil
TW201436677A (zh) 電路基板及此電路基板的製造方法
US20160249450A1 (en) Circuit board and manufacturing method thereof
CN205069252U (zh) 薄型表面贴装大电流ptc元件
KR20170006249A (ko) 투명 전극의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20200624

Address after: Room 302, block a, olive oasis home, No.1 Jingtian East Road, Futian District, Shenzhen City, Guangdong Province

Patentee after: Shenzhen Baosheng Dashun Photoelectric Technology Co., Ltd

Address before: 528437 Guangdong City, Zhongshan Torch Development Zone Industrial Road, No. four, layer two

Co-patentee before: Dai Xueqing

Patentee before: Wang Fengjin