CN210321422U - 对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩 - Google Patents
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Abstract
为解决现有技术不足,本实用新型提供了对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,包括开关电源U1,DC‑DC芯片U2和U3,温度采集器U4,达林顿晶体管阵列U5‑U7,485信号转换芯片U8,主控芯片U9,光耦U10‑U15,步进电机控制器U16和U17,温度探头PT100,珀尔帖半导体(1),光学温度计U18,步进电机Mx和My,本专利核心技术是:光学温度计对周围环境进行扫描,得出热红外点云特征,依据特征,珀尔帖半导体的上表面加热或制冷,迅速模拟周围热红外图像,模拟逼真度特别高。
Description
技术领域
本实用新型主要涉及热红外光学领域,具体是对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩。
背景技术
热红外线是在红光以外,具有热效应,波长在 1 微米到 1000 微米的电磁波,热红外技术在现代军事上有着广泛的应用,红外探测器利用目标自身产生的红外辐射来完成识别、跟踪、制导和攻击任务的。
许多军事目标,特别是拥有大功率动力源的目标,如坦克、军舰和导弹装载车等,运动时会产生强烈的热红外辐射,红外探测器的使用使武器的伪装变得越来越困难,特别是红外前视系统、红外传感系统、被动式红外热成像仪的相继使用,各种军事目标的生存和安全受到严重威胁,发展新型的热红外隐身伪装技术和材料就成为当务之急。
热红外光学精确侦查主要有卫星侦查,常规飞机侦查和气球侦查,无人机侦查。
卫星侦查现状:在 1999 年 3 月至 5 月的“科索沃战争”中,北约用50 多颗侦察卫星,对“南联盟”进行日夜侦察,为其空袭的成功做出了不可忽略的贡献,其中光电成像卫星的分辨率最高可达到 0.1mrd,可以对装甲车辆、弹道导弹和坦克等具有明显热红外特征的军事目标进行 24 小时不间断的侦查,从而准确判断出敌方的军事部署,争取战争的主动权。目前最先进的光学成像卫星是美国的“KH”系列卫星,“KH”系列卫星装备了热红外成像仪,具有寿命长、机动能力强、地面分辨率高达0.1米、实时传输图像等特点。台湾当局也曾购买美国商业遥感卫星拍摄我东南沿海的军事设施获取情报,台湾后来又通过美国发射了其自行研制的“华卫2号”侦察卫星,分辨率达到2米(黑白)、8米(彩色),该卫星每天可两次经过大陆上空进行侦察照相,对我导弹阵地、机场、港口等重要军事设施的伪装防护和部队的隐蔽行动造成很大威胁。
常规飞机侦查和气球侦查现状:前期航空侦察主要采用高空有人侦察机或者气球来进行,但由于防空导弹的大量部署以及空间卫星侦察的发展,高空侦察的作用逐渐减弱。现在随着无人机和侦察直升机等航空侦察平台的迅速发展,伪装技术和装备受到来自中低空侦察的威胁越来越严峻。
无人机侦查现状:无人机具有体积小、雷达反射截面小、造价低和不必考虑人员安全等特点,大有取代有人驾驶侦察飞机的趋势。
“先驱”无人机的红外装置采用凝视焦平面阵列探测器,美国国防部空中侦察处用高质量的锑化铟阵列对其进行改进,希望用这种红外传感器来发现地雷造成的地面十分之几摄氏度的微小温差,完成地雷探测。
“捕食者”无人机图采用的是威斯汀豪斯公司的小型前视红外传感器和两个索尼公司的昼用摄像机,“捕食者”还计划安装新型的超光谱相机,将可见光和近红外分别成像然后再合成,具有极强的识假辨真能力。
伪装罩是指军事上利用隐形遮盖物来遮盖枪支、坦克、装甲车等军事武器或军事目标以降低目标的可探测性。随着光学侦察水平的不断提高,传统伪装罩的红外特征信号固定,当外界环境发生变化时,伪装器材的特征信号不能与目标匹配,目标很容易暴露。
目前伪装罩主要集中在可见光、普通红外及雷达方面,大部分是被动型伪装罩,对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩暂时未检索到,对伪装罩表面进行温度控制是实现主动伪装的关键。
国内论文方面:
王祥.《基于国产自主卫星的海表温度红外遥感机理与算法研究》.大连海事大学.2013。
赵利民.《地表热红外辐射背景场建模与成像模拟研究》.南京大学.2011。
于一凡.《高温目标物理参量短波红外遥感反演》.吉林大学.2017。
许洪.《多光谱、超光谱成像探测关键技术研究》.天津大学.2009。
张丽娟.《基于热红外遥感的线性构造信息提取研究》.昆明理工大学.2015。
马永强.《微胶囊相变材料的制备及其在热红外隐身中的应用》.兰州理工大学.2015。
马兰.《热红外遥感图像典型目标识别技术研究》.解放军信息工程大学.2017。
江利锋.《红外隐真与示假中的若干热物理问题研究》.中国科学技术大学.2009。
刘毓博.《机载大视场高分辨率热红外成像系统研究》.中国科学院大学(中国科学院上海技术物理研究所).2017。
武世伟.《相变热红外隐身及复合控温涂层》.北京工业大学.2010。
刘星.《机载平台红外成像仿真技术研究》.哈尔滨工业大学.2009。
张凤国 .《可见光—红外隐身材料的制备与性能研究》.华中科技大学.2006。
杨松启.《红外制导技术中的诱饵识别算法研究》.西安电子科技大学.2014。
李程华.《直升机载红外对抗系统干扰效果评估技术研究》.西北工业大学.2007。
周玉平.《红外制导导弹的机载激光对抗研究》.国防科学技术大学.2006。
董敏周.《用于红外成像系统抗干扰性能评估的红外图像仿真》.西北工业大学.2004。
王晓燕.《空战作战环境与红外目标仿真研究》.南京航空航天大学.2012。
张旗.《红外成像制导技术的应用研究》.北京理工大学.2015。
朱牧.《旋转导弹红外/紫外双色玫瑰扫描准成像末端制导技术》.上海交通大学.2014。
刘海燕.《火箭尾焰红外示假诱饵剂配方的研究》.南京理工大学.2012。
谢敏燕.《红外制导测试装置的研究与精度分析》.哈尔滨工程大学.2018。
李成立; 吕俊伟; 刘亮; 李召龙.《红外制导武器探测器成像检测及补偿仿真》.《计算机仿真》.2018。
臧路尧; 林德福; 杨哲; 王武刚.《红外制导弹药协同定位跟踪方法研究》.《红外与激光工程》.2018。
岳元; 李丽亚; 祁蒙.《多目标跟踪在红外制导系统中的应用》.《电子测量技术》.2017。
李建勋; 童中翔; 樊晓光; 吴利荣; 陈超; 王超哲; 贾林通.《红外对抗过程的效能评估方法研究》.《红外与激光工程》.2016。
齐琳琳; 吉微; 安洁.《基于区域实际大气的红外制导波段目标背景对比度变化特性数值计算》.《指挥控制与仿真》.2016。
沉舟; 千帆.《德国新型防空导弹试验获得成功》.《飞航导弹》.2014。
杨昕鹏; 黄伟; 史波.《全球主要红外威胁源装备概况》.《江苏航空》.2016。
高国龙.《红外对抗的下一步将是保护无人机免受导弹攻击》.《红外》.2012。
陈晨.《雷锡恩公司为无人机提供红外对抗防护装置》.《战术导弹技术》.2012。
徐大伟; 刘铭.《国外红外对抗技术的发展》.《舰船电子工程》.2012。
韦同磊; 曾清平.《红外隐身技术对抗红外制导的效能分析与仿真》.《红外》.2007。
国内专利方面:
南京航空航天大学的单勇;张伯安;谭晓茗;张靖周申请了中国发明专利《一种肋片强化换热红外抑制器及红外抑制方法》,专利申请号CN201811581231,申请公布号CN109611238A。
西北农林科技大学的韩文霆;张立元;牛亚晓;彭星硕;申请了中国发明专利《一种基于无人机可见光和热红外遥感的大田玉米冠层温度提取方法》,专利申请号CN201811035791,申请公布号CN109269645A。
北京大学深圳研究生院的邱国玉;鄢春华;李桐;赵文利;秦龙君申请了中国发明专利《一种基于无人机热红外的蒸散发自动监测方法及系统》,专利申请号CN201810047712,申请公布号CN108196577A。
上海瀚决网络科技有限公司的张洪为;陆斌泉申请了中国发明专利《热红外检测器》,专利申请号CN201711478788,申请公布号CN108318138A。
北京君盾装备技术有限公司的陶磊;曹阳;商宏宇申请了中国发明专利《一种探测雷达与热红外复合精确定位的报靶方法》,专利申请号CN201711378639,申请公布号CN108120345A。
西南科技大学的刘桂华;曾维林;张华;徐锋;王静强;龙惠民申请了中国发明专利《基于双目可见光相机与热红外相机的目标识别方法》,专利申请号CN201711236543,申请公布号CN108010085A。
北京元恒大通科技有限公司的刘云鹏;赵红超申请了中国发明专利《热红外发射装置和假目标》,专利申请号CN201710672983,申请公布号CN107289817A。
北京华新创科信息技术有限公司的林伟;杜庆令申请了中国发明专利《一种热红外图像的拼接方法》,专利申请号CN201710614988,申请公布号CN107403410A。
中国科学院南海海洋研究所的陈楚群申请了中国发明专利《一种卫星热红外遥感在轨定标及卫星遥感温度产品现场验证的方法》,专利申请号CN201710466157,申请公布号CN107192459A。
郭迎庆;许博伟申请了中国发明专利《一种热红外屏蔽涂层材料的制备方法》,专利申请号CN201610508845,申请公布号CN105925163A。
中国科学院上海技术物理研究所的谢锋;邵红兰;刘成玉;王建宇;舒嵘申请了中国实用新型专利《一种适用于机载热红外成像光谱仪大气校正系统》,专利申请号CN201721113894,授权公告号CN207528348U。
长兴睿帆纳米科技有限公司的胡婷莉申请了中国实用新型专利《一种低发射率热红外线隐身伪装防刺防割涂层面料》,专利申请号CN201721582237,授权公告号CN207747498U。
德国专利方面:
多尼尔股份有限公司申请了德国专利《红外伪装和红外反射镜方法》(专利号AU000007424298A)。
TELEDYNE股份有限公司申请了德国专利《红外伪装罩》(专利号AU000005291993A)。
多尼尔股份有限公司申请了德国专利《红外探测伪装装置》(专利号CA000002326191A1)。
多尼尔股份有限公司申请了德国专利《红外掩蔽装置》(专利号DA000002326189A1)。
贾特股份有限公司申请了德国专利《粉末材料在红外领域中用于伪装的用途》(专利号CA000002072979C)。
格鲁曼航空公司申请了德国专利《红外探测伪装系统》(专利号CA000001237189A)。
雄蕊股份有限公司申请了德国专利《宽带涂层材料的制造程序》(专利号CH000000692761A)。
扬州斯派克实业有限公司申请了德国专利《防近红外伪装网》(专利号CN000207922956U)。
长春瑞凡纳米科技有限公司申请了德国专利《隐身伪装涂层织物低红外发射率热红外涂层设备》(专利号CN000207887473U)。
ESL国防有限公司申请了德国专利《用于对导弹探测用红外传感器进行操作培训、测试和评估的设备》(专利号AU002007238353A1)。
休斯飞机公司申请了德国专利《便携式导弹发射器红外跟踪器》(专利号AU000003540493A)。
日本专利方面:
奥基夫,永英赛奥斯申请了日本专利《涂层用热红外线反射颜料》(专利号JP2006518374)。
共享空间株式会社申请了日本专利《导弹防御方法》(专利号JP2015123247)。
卡西欧计算机株式会社申请了日本专利《卫星电波接收装置、无线电时钟、信息取得方法及程序》(专利号JP2017170502)。
火焰;波芙姆,艾莉克;科蒂尔,杰克申请了日本专利《具备摄像光学设备的卫星》(专利号JP2018517138)。
美国专利方面:
博伊尔;托马斯(甘布里尔,马里兰州)申请了美国专利《热红外标牌法及其在红外武器瞄准具校准中的应用》(专利号7,528,397)。
Qinetiq有限公司公司的奥基夫(英国伦敦)申请了美国专利《涂料用热红外反射颜料》(专利号7,455,904)。
美国空军的克尔奇克;海曼(俄亥俄州辛辛那提)申请了美国专利《低反射红外伪装系统》(专利号7,746,264)。
美国空军的克尔奇克;海曼(俄亥俄州辛辛那提)申请了美国专利《红外伪装涂层系统》(专利号7,733,263)。
多尔尼耶公司的鲁波尔兹;安德烈亚斯(霍根泽尔,德),舍伯;沃纳(伯马丁根,德),罗斯蒙特;沃尔特(马克舒埃特·海多夫,德)申请了美国专利《红外伪装装置》(专利号6,613,420)。
Teledyne工业公司(加利福尼亚州洛杉矶)公司的考克斯;菲利普R.(麦迪逊,阿尔),爱德华兹;杰里C.(亨茨维尔,阿尔),洛伊德;乔迪S.(亨茨维尔,阿尔),沃特金斯;拉里(亨茨维尔,阿尔)申请了美国专利《红外伪装罩》(专利号6,127,007)。
格鲁曼航空公司(纽约州贝斯佩奇)集团的Kosson;Robert(纽约州马萨佩夸市)、Bilenas;Jonas(纽约州梅尔维尔市)、Attard;Salvatore(纽约州亨廷顿市)、Hilgeman;Theodore(纽约州中心港市)申请了美国专利《红外伪装系统》(专利号4,609,034)。
以上国内外技术,在热红外光学侦查、热红外制导、红外被动型伪装方面都已经做得非常优秀,但对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩暂时未检索到。
发明内容
为解决上述现有技术的不足,本实用新型设计了对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,相对于现有技术,本实用新型的有益效果是:与现有技术相比,用光学温度计U18对进行周围环境进行扫描,得出周围环境的热红外点云特征,依据周围环境的热红外点云特征,珀尔帖半导体(1)的上表面进行加热或者制冷,达到迅速模拟周围热红外图像的目的,模拟逼真度特别高。
本伪装罩的工作原理是:步进电机Mx和My带动光学温度计U18对进行周围环境进行扫描,得出周围环境的热红外点云特征,依据周围环境的热红外点云特征,珀尔帖半导体(1)的上表面进行加热或者制冷,下表面用换热片(2)进行热量交换,经过一段时间对周围环境热红外温度特征的模仿,珀尔帖半导体(1)阵列构成的伪装罩,表面所呈现的热红外图像与周围环境的热红外图像融为一体,实现了主动伪装,有效对抗了敌方热红外光学精确侦查。
电路结构方面:
包括开关电源U1,DC-DC芯片U2和U3,温度采集器U4,达林顿晶体管阵列U5-U7,485信号转换芯片U8,主控芯片U9,光耦U10-U15,步进电机控制器U16和U17,步进电机Mx和My,光学温度计U18,温度探头PT100,珀尔帖半导体(1)。
开关电源U1分别连接DC-DC芯片U2和U3、温度采集器U4、步进电机控制器U16和U17、光学温度计U18。
DC-DC芯片U2连接达林顿晶体管阵列U5-U7、485信号转换芯片U8。
DC-DC芯片U3连接主控芯片U9。
主控芯片U9分别连接485信号转换芯片U8、温度采集器U4、达林顿晶体管阵列U5-U7、光耦U10-U15、光学温度计U18。
485信号转换芯片U8连接温度采集器U4。
温度采集器U4连接温度探头PT100。
达林顿晶体管阵列U5-U7连接珀尔帖半导体(1)。
光耦U10-U15连接步进电机控制器U16和U17。
步进电机控制器U16和U17连接步进电机Mx和My。
附图说明
图1是本实用新型的工作原理图。
图2是本实用新型的电路图。
图3是本实用新型的工作流程图。
图中分别是:温度探头PT100,珀尔帖半导体(1),换热片(2),被保护的容易产生热红外特征的武器装置(3),光学温度计U18,步进电机Mx和My,开关电源U1,DC-DC芯片U2和U3,温度采集器U4,达林顿晶体管阵列U5-U7,485信号转换芯片U8,主控芯片U9,光耦U10-U15,步进电机控制器U16和U17。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细阐述,以使本实用新型的优点和特征能易于被本领域技术人员理解,从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。应当理解,此处描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
请参照工作原理图附图1:
步进电机Mx和My带动光学温度计U18对进行周围环境进行扫描,得出周围环境的热红外点云特征,依据周围环境的热红外点云特征,珀尔帖半导体(1)的上表面进行加热或者制冷,下表面用换热片(2)进行热量交换,经过一段时间对周围环境热红外温度特征的模仿,珀尔帖半导体(1)阵列构成的伪装罩,表面所呈现的热红外图像与周围环境的热红外图像融为一体,实现了主动伪装,有效对抗了敌方热红外光学精确侦查。
请参照电路图附图2:
包括开关电源U1,DC-DC芯片U2和U3,温度采集器U4,达林顿晶体管阵列U5-U7,485信号转换芯片U8,主控芯片U9,光耦U10-U15,步进电机控制器U16和U17,温度探头PT100,珀尔帖半导体(1),光学温度计U18,步进电机Mx和My。
开关电源U1采用HDR-60-24。
DC-DC芯片U2采用MIC5207-5.0。
DC-DC芯片U3采用MIC5205-3.3。
温度采集器U4采用i-7033。
达林顿晶体管阵列U5-U7采用ULN2003。
485信号转换芯片U8采用SN75176。
主控芯片U9采用LPC1767。
光耦U10-U15采用2516。
步进电机控制器U16和U17采用M556。
光学温度计U18采用RAYTEK COMPACT CI。
开关电源U1分别连接DC-DC芯片U2和U3、温度采集器U4、步进电机控制器U16和U17、光学温度计U18,为它们提供DC24V电源。
DC-DC芯片U2连接达林顿晶体管阵列U5-U7、485信号转换芯片U8,为它们提供DC5.0V电源,DC-DC芯片U2的引脚IN输入DC24V,EN为使能端,DC24V高电平有效,引脚OUT输出DC5.0V。
DC-DC芯片U3连接主控芯片U9,为主控芯片U9提供DC3.3V电源,DC-DC芯片U2的引脚IN输入DC24V,EN为使能端,DC24V高电平有效,引脚OUT输出DC3.3V。
主控芯片U9分别连接485信号转换芯片U8、温度采集器U4、达林顿晶体管阵列U5-U7、光耦U10-U15、光学温度计U18。
温度采集器U4连接温度探头PT100,温度探头PT100将温度转换为线性电阻信号,然后进入温度采集器U4的INPUT接口,温度采集器U4将采集的多个温度信号,打包成485数据,温度采集器U4将数据送入485信号转换芯片U8,485信号转换芯片U8将485信号转换为TTL电平的串行信号,然后送入主控芯片U9。
温度采集器U4的VCC为DC24V,引脚INPUT输入热电阻信号,引脚485A和485B为差分信号接口。
485信号转换芯片U8的VCC为DC5.0V。
主控芯片U9连接达林顿晶体管阵列U5-U7,控制信号为 PWM。
达林顿晶体管阵列U5-U7连接珀尔帖半导体(1),通过三极管将电流放大,如果左边三极管导通,则珀尔帖半导体(1)上表面进行加热,如果右边三极管导通,则珀尔帖半导体(1)上表面进行制冷,珀尔帖半导体(1)的供电来源为DC24V。
主控芯片U9连接光耦U10-U15,控制信号为 PWM,光耦U10-U15连接步进电机控制器U16和U17。
步进电机控制器U16和U17连接步进电机Mx和My。
步进电机Mx和My带动光学温度计U18对周围的环境温度进行扫描。
光学温度计U18的VCC为DC24V,使能端EN受主控芯片U9控制,高电平DC5.0V有效,最后输出DC0-5V的测量信号给主控芯片U9。
请参照工作流程图3:
首先,AC220V进入开关电源U1,开关电源U1输出的24V直流电给以下零件供电:DC-DC转换器U2和U3、步进电机控制器U16和U17、温度采集器U4、光学温度计U18。
随后,DC-DC转换器U2和U3分别输出5.0V和3.3V,给以下零件供电:主控芯片U9、485信号转换芯片U8、达林顿晶体管阵列U5-U7。
接着,主控芯片U9通电后,按BOTTON1,整个电路依次工作。
随后,主控芯片通过光耦U10-U15隔离,驱动步进电机控制器U16和U17,驱动步进电机控制器U16和U17驱动步进电机Mx和My,步进电机Mx和My带动光学温度计U18对进行周围环境进行扫描,得出周围环境的热红外点云特征。
接着,主控芯片U9驱动达林顿晶体管阵列U5-U7,达林顿晶体管阵列U5-U7依据指令,通过两个三极管对珀尔帖半导体(1)进行控制,进行加热或者制冷。
随后,每个珀尔帖半导体(1)上,镶有一只温度探头PT100,温度探头的目的是作为闭环反馈,让珀尔帖半导体达到目标温度。
接着,温度探头PT100的工作流程是:热电阻信号进入温度采集器i-7033的INPUT端口,温度采集器i-7033将采集到的多个温度信号,用485信号传输给485芯片SN75176,485芯片SN75176将信号转换为TTL的串行信号后,送入主控芯片U9。
随后,经过一段时间对周围环境热红外特征的模仿,珀尔帖半导体(1)阵列构成的伪装罩,表面所呈现的热红外温度图像与周围环境的热红外温度图像融为一体,实现了主动伪装,有效对抗了敌方热红外光学精确侦查。
最后,按BOTTON2,整个电路停止工作。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中的描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (10)
1.对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:包括开关电源U1,DC-DC芯片U2和U3,温度采集器U4,达林顿晶体管阵列U5-U7,485信号转换芯片U8,主控芯片U9,光耦U10-U15,步进电机控制器U16和U17,温度探头PT100,珀尔帖半导体(1),光学温度计U18,步进电机Mx和My;开关电源U1分别连接DC-DC芯片U2和U3、温度采集器U4、步进电机控制器U16和U17、光学温度计U18;DC-DC芯片U2连接达林顿晶体管阵列U5-U7、485信号转换芯片U8;DC-DC芯片U3连接主控芯片U9;主控芯片U9分别连接485信号转换芯片U8、温度采集器U4、达林顿晶体管阵列U5-U7、光耦U10-U15、光学温度计U18;485信号转换芯片U8连接温度采集器U4;温度采集器U4连接温度探头PT100;达林顿晶体管阵列U5-U7连接珀尔帖半导体(1);光耦U10-U15连接步进电机控制器U16和U17;步进电机控制器U16和U17连接步进电机Mx和My。
2.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:开关电源U1采用HDR-60-24。
3.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:DC-DC芯片U2采用MIC5207-5.0。
4.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:DC-DC芯片U3采用MIC5205-3.3。
5.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:温度采集器U4采用i-7033。
6.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:达林顿晶体管阵列U5-U7采用ULN2003。
7.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:485信号转换芯片U8采用SN75176。
8.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:主控芯片U9采用LPC1767。
9.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:步进电机控制器U16和U17采用M556。
10.根据权利要求1所述的对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩,其特征在于:光学温度计U18采用RAYTEK COMPACT CI。
Priority Applications (1)
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CN201920636581.6U CN210321422U (zh) | 2019-05-07 | 2019-05-07 | 对抗敌方热红外光学精确侦查的武器专用主动型伪装罩 |
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Cited By (2)
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RU2798448C1 (ru) * | 2022-12-08 | 2023-06-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский испытательный институт инженерных войск имени Героя Советского Союза генерал-лейтенанта инженерных войск Д.М. Карбышева" Министерства обороны Российской Федерации | Комплексная имитационная маска |
CN116841000A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-10-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 反光学成像干扰站 |
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2019
- 2019-05-07 CN CN201920636581.6U patent/CN210321422U/zh not_active Expired - Fee Related
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RU2798448C1 (ru) * | 2022-12-08 | 2023-06-22 | Федеральное государственное бюджетное учреждение "Центральный научно-исследовательский испытательный институт инженерных войск имени Героя Советского Союза генерал-лейтенанта инженерных войск Д.М. Карбышева" Министерства обороны Российской Федерации | Комплексная имитационная маска |
CN116841000A (zh) * | 2023-08-31 | 2023-10-03 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 反光学成像干扰站 |
CN116841000B (zh) * | 2023-08-31 | 2023-10-31 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 反光学成像干扰站 |
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