CN210269666U - 一种简易次级电子发射系数测量装置 - Google Patents
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Abstract
一种简易次级电子发射系数测量装置，包括置于真空玻璃壳体内的次级电子收集罩，所述真空玻璃壳体的上端面上设有超高真空接口，超高真空接口的下端设有吸气剂，真空玻璃壳体的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱，所述次级电子收集罩外侧壁上设有固定钽皮，次级电子收集罩上端面上设有孔洞，孔洞上端设有电子发热源，孔洞的正下方位于次级电子收集罩内设有样品台，样品台下端固定有支撑杆，所述电子发热源包括热子，热子上端连接有钨丝，热子下端设有与孔洞处于同一水平高度位置的Ba‑W阴极，所述吸气剂、钨丝、热子、固定钽皮、支撑杆均经多根固定钽杆分别与多根导电芯柱连接。该装置能够对固体良导体的次级电子发射系数进行快速的测量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种简易次级电子发射系数测量装置。
背景技术
具有一定能量或速度的电子、离子等轰击物体表面，引起电子从被轰击物体表面发射出来的现象，我们称为次级电子发射。从物体表面发射出来的电子称为次级电子，次级电子数目与轰击物体表面原电子数目的比值称为次级电子发射系数。根据不同物体具有的次级电子发射系数不同，次级电子发射现象被广泛的应用于光电倍增管、磁控管、行波管收集极等。光电倍增管的倍增极由于具有较大的次级电子发射系数，在次级电子倍增效应作用下，经10个左右倍增极，光电流可放大到100倍以上。目前光电倍增管被广泛的应用于夜视仪、特种电视等领域。若磁控管阴极具有较大的次级电子发射系数，那么在额定输出功率条件下，能够极大的延长磁控管的使用寿命。目前大功率磁控管被广泛的应用微波炉、工业加热、雷达探测等领域。然而，并不是次级电子发射系数越大就越好，在行波管收集极中，次级电子发射系数越小，越能够降低次级电子倍增带来的热效应，从而保证行波管正常工作。综上所述，次级电子发射系数是一项决定器件性能十分重要的参数，因此有必要对次级电子发射系数进行测量。但是，目前高校及研究所等单位所用次级电子发射系数测量仪器存在价格昂贵，结构复杂，测量一次所耗时间较长等缺点。
实用新型内容
本实用新型其目的就在于提供一种简易次级电子发射系数测量装置，解决了现有次级电子发射系数测量仪器存在价格昂贵，结构复杂，测量一次所耗时间较长等缺点。
为实现上述目的而采取的技术方法是，一种简易次级电子发射系数测量装置，包括置于真空玻璃壳体内的次级电子收集罩，所述真空玻璃壳体的上端面上设有超高真空接口，超高真空接口的下端设有吸气剂，真空玻璃壳体的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱，所述次级电子收集罩外侧壁上设有固定钽皮，次级电子收集罩上端面上设有孔洞，孔洞上端设有电子发热源，孔洞的正下方位于次级电子收集罩内设有样品台，样品台下端固定有支撑杆，所述电子发热源包括热子，热子上端连接有钨丝，热子下端设有与孔洞处于同一水平高度位置的Ba-W阴极，所述吸气剂、钨丝、热子、固定钽皮、支撑杆均经多根固定钽杆分别与多根导电芯柱连接。
有益效果
与现有技术相比本实用新型具有以下优点。
本实用新型的优点是，该装置搭建容易，操作简单，而且价格低廉，能够对固体良导体的次级电子发射系数进行快速测量的装置。
附图说明
以下结合附图对本实用新型作进一步详述。
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为本实用新型中电子发热源的结构示意图；
图3为本实用新型的等效电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图，对本实用新型作进一步的说明。
本装置包括置于真空玻璃壳体14内的次级电子收集罩4，如图1、图2所示，所述真空玻璃壳体14的上端面上设有超高真空接口1，超高真空接口1的下端设有吸气剂2，真空玻璃壳体14的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱9，所述次级电子收集罩4外侧壁上设有固定钽皮5，次级电子收集罩4上端面上设有孔洞13，孔洞13上端设有电子发热源3，孔洞13的正下方位于次级电子收集罩4内设有样品台6，样品台6下端固定有支撑杆7，所述电子发热源3包括热子11，热子11上端连接有钨丝10，热子11下端设有与孔洞13处于同一水平高度位置的Ba-W阴极12，所述吸气剂2、钨丝10、热子11、固定钽皮5、支撑杆7均经多根固定钽杆8分别与多根导电芯柱9连接。
所述Ba-W阴极12的直径为2mm~8mm之间。
所述次级电子收集罩4直径为1.8cm~2.2cm之间，高度为1cm~1.5cm之间，次级电子收集罩4上的孔洞13直径为3~9mm之间，且孔洞13直径必须大于Ba-W阴极12的直径。
所述样品台6的形状为矩形或圆形，样品台6的尺寸小于次级电子收集罩4的直径，样品台6与电子发热源3之间的距离为2mm~15mm之间，样品台6应与次级电子收集罩4上的孔洞13处于同一条垂直中心线上。
所述支撑杆7位于样品台6的底部，用来支撑样品台6，调节样品台6的位置，支撑杆7为钼、钽或钨等耐高温金属材料制成。
本实用新型中，由于考虑到次级电子收集罩4有一定的重量，固定钽皮5被用来作为次级电子收集罩4和固定钼杆8之间的过渡焊接剂；所述固定钼杆8一方面用于吸气剂2、电子发热源3、次级电子收集罩4、样品台6、支撑杆7等部件的固定，另一方面固定钼杆8被连接在导电芯柱9上，起到类似于“导线”的作用；所述吸气剂2一般用于超高真空接口1被密封之后，用来继续保持真空玻璃壳体14内的高真空度；所述导电芯柱9用于连接电源，为测量装置供电。
本实用新型的等效电路原理如图3所示，首先将电子发热源3通过热子11加热至1100±50℃，以电子发热源3为相对地，在样品台（6）上加载直流电压V1，此时测得电流为I0；然后将样品台6作为相对地，在次级电子收集罩4上加载直流电压为V2，此时测得电流为I1。那么，此时样品台上样品的次级电子发射系数δ，其表达式为δ= I1/ I0。最终，利用该装置能够实现对固体良导体次级电子发射系数的快速测量。
Claims (5)
1.一种简易次级电子发射系数测量装置，包括置于真空玻璃壳体（14）内的次级电子收集罩（4），其特征在于，所述真空玻璃壳体（14）的上端面上设有超高真空接口（1），超高真空接口（1）的下端设有吸气剂（2），真空玻璃壳体（14）的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱（9），所述次级电子收集罩（4）外侧壁上设有固定钽皮（5），次级电子收集罩（4）上端面上设有孔洞（13），孔洞（13）上端设有电子发热源（3），孔洞（13）的正下方位于次级电子收集罩（4）内设有样品台（6），样品台（6）下端固定有支撑杆（7），所述电子发热源（3）包括热子（11），热子（11）上端连接有钨丝（10），热子（11）下端设有与孔洞（13）处于同一水平高度位置的Ba-W阴极（12），所述吸气剂（2）、钨丝（10）、热子（11）、固定钽皮（5）、支撑杆（7）均经多根固定钽杆（8）分别与多根导电芯柱（9）连接。
2.根据权利要求1所述的一种简易次级电子发射系数测量装置，其特征在于，所述Ba-W阴极（12）的直径为2mm~8mm之间。
3.根据权利要求1所述的一种简易次级电子发射系数测量装置，其特征在于，所述次级电子收集罩（4）直径为1.8cm~2.2cm之间，高度为1cm~1.5cm之间，次级电子收集罩（4）上的孔洞（13）直径为3~9mm之间，且孔洞（13）直径必须大于Ba-W阴极（12）的直径。
4.根据权利要求1所述的一种简易次级电子发射系数测量装置，其特征在于，所述样品台（6）的形状为矩形或圆形，样品台（6）的尺寸小于次级电子收集罩（4）的直径，样品台（6）与电子发热源（3）之间的距离为2mm~15mm之间，样品台（6）应与次级电子收集罩（4）上的孔洞（13）处于同一条垂直中心线上。
5.根据权利要求1所述的一种简易次级电子发射系数测量装置，其特征在于，所述支撑杆（7）位于样品台（6）的底部，用来支撑样品台（6），调节样品台（6）的位置，支撑杆（7）为钼、钽或钨等耐高温金属材料制成。
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