CN210224935U - 一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路 - Google Patents

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Weiqing Wang
王卫青
Jie Wen
文杰
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Abstract

本实用新型涉及一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路,所述主回路包括火线L、零线N、地线PE,漏电信号采样电路采集主回路的漏电电流,漏电信号采样电路与漏电信号处理电路电连接,漏电信号处理电路与可控硅控制电路电连接,可控硅控制电路与脱扣线圈电连接,所述脱扣线圈、降压电路、整流电路、限流滤波稳压电路依次电连接,限流滤波稳压电路与漏电信号处理电路电连接,脱扣线圈的一端连接火线L,降压电路分别连接零线N和地线PE,第一级浪涌保护电路分别与火线L、零线N、地线PE电连接,第二级浪涌保护电路分别与脱扣线圈、整流电路电连接。本实用的漏电保护电路在缺失零线时仍可正常工作,抗浪涌等级高,且阻容降压电路温升低。

Description

一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路
技术领域
本实用新型涉及一种漏电断路器的电路,尤其涉及一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路。
背景技术
漏电断路器是电路中漏电电流超过预设值时能自动动作的开关,常用的漏电断路器分为电压型和电流型,其中电流型漏电断路器是由零序互感器检测出一个漏电电流,使脱扣器动作,漏电断路器断开,完成漏电保护。现有的漏电断路器存在以下缺陷:1.市场上的漏电断路器缺少接地保护的功能,在零线缺失或者零线开路的情况下,漏电断路器上的IC集成电路得不到工作电压无法正常工作,此时线路上发生漏电,漏电保护电路无法切断故障线路;2.漏电断路器上的抗浪涌保护电路只采用单级压敏电阻来做吸收保护,这样的抗浪涌保护等级低且不可靠;3.用于IC集成电路供电的降压电路采用电阻整机降压,存在温升高、寿命短的缺点。
发明内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种带接地保护、抗浪涌等级高、工作可靠的漏电保护电路,从而提高产品的使用寿命和工作稳定性。
为了实现以上目的,本实用新型采用这样一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路,包括用于连接负载的主回路和脱扣线圈、漏电信号采样电路、漏电信号处理电路、可控硅控制电路、降压电路、整流电路、限流滤波稳压电路、第一级浪涌保护电路、第二级浪涌保护电路,所述主回路包括火线L、零线N、地线PE,所述漏电信号采样电路采集主回路的漏电电流,所述漏电信号采样电路与漏电信号处理电路电连接,漏电信号处理电路与可控硅控制电路电连接,可控硅控制电路与脱扣线圈电连接,所述脱扣线圈、降压电路、整流电路、限流滤波稳压电路依次电连接,限流滤波稳压电路与漏电信号处理电路电连接,所述脱扣线圈的一端连接火线L,所述降压电路分别连接零线N和地线PE,所述第一级浪涌保护电路分别与火线L、零线N、地线PE电连接,所述第二级浪涌保护电路分别与脱扣线圈、整流电路电连接。
上述漏电保护电路主回路设置有地线,通过将零线和地线分别连接到降压电路,即使主回路上发生缺零线和零线开路的情况下,只要火线和地线连接正常,火线和地线构成的回路依然能给漏电信号处理电路供电使其正常工作,当主回路上发生漏电故障时,漏电信号处理电路依旧可以有效触发可控硅控制电路,使脱扣线圈通电断开主回路,避免漏电触点事故的发生,且漏电保护电路上设置有两级浪涌保护,第一级浪涌保护电路能首先吸收掉大部分浪涌能量,第二级浪涌保护电路能进一步吸收掉剩余的浪涌能量,对后级以漏电信号处理电路为主的电路提供了有效、可靠的保护。本实用新型的漏电保护电路具有接地保护的优点,在零线发生缺失或断开,漏电保护的电路仍可获得工作电压使其正常工作,提高漏电保护的可靠性,且对浪涌能量两级吸收的方式大大增强了抗浪涌的保护等级,提高产品使用寿命。
本实用进一步设置为降压电路包括电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C4,所述整流电路包括二极管D2~D7,所述电阻R5并联在电容C1两端,电容C1与二极管D4串联,电容C4与二极管D6串联,二极管D2和二极管D3串联,所述二极管D2的负极分别连接二极管D4的负极和二极管D6的负极,二极管D2的负极连接到限流滤波稳压电路,所述二极管D2的正极连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接脱扣线圈的另一端,二极管D3的正极分别连接二极管D5的正极和二极管D7的正极,所述电容C1的一端分别连接二极管D5的负极和零线N,电容C4的一端分别连接地线PE和二极管D7的负极。
上述降压电路采用以电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C4构成的阻容降压电路,这样的降压电路温升低、使用寿命长,即使低输入电压供电,也能满足后级电路供电的需求。上述电路在零线N缺失的情况下,火线L和地线PE所构成的回路仍可以输出正常工作电压给后级电路。
本实用进一步设置为第二级浪涌保护电路包括压敏电阻RV4,所述压敏电阻RV4的一端连接脱扣线圈的另一端,压敏电阻RV4的另一端连接二极管D3的正极。
本实用进一步设置为第一级压敏电阻包括压敏电阻RV1、压敏电阻RV2、压敏电阻RV3,所述压敏电阻RV1的一端连接火线L,压敏电阻RV2的一端连接零线N,压敏电阻RV3的一端连接地线PE,所述压敏电阻RV1的另一端、压敏电阻RV2的另一端、压敏电阻RV3的另一端相互连接。
本实用进一步设置为带接地及浪涌保护的漏电保护电路还包括测试电路,所述测试电路与主回路电连接。
上述压敏电阻RV1、压敏电阻RV2、压敏电阻RV3分别两两设置在火线L、零线N及地线PE之间,作为第一级浪涌保护电路吸收大部分浪涌能量,压敏电阻RV4设置在脱扣线圈的后端,吸收剩余的浪涌能量,从而全面保护脱扣线圈后端的集成电路不受影响。
附图说明
图1是本实用新型实施例电路原理图。
具体实施方式
如图1所示,本实用新型是一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路,包括用于连接负载的主回路1和脱扣线圈2、漏电信号采样电路3、漏电信号处理电路4、可控硅控制电路5、降压电路6、整流电路7、限流滤波稳压电路8、第一级浪涌保护电路9、第二级浪涌保护电路10、测试电路11,所述主回路1包括火线L、零线N、地线PE,所述漏电信号采样电路3采集主回路1的漏电电流,所述漏电信号采样电路3与漏电信号处理电路4电连接,漏电信号处理电路4与可控硅控制电路5电连接,可控硅控制电路5与脱扣线圈2电连接,所述脱扣线圈2、降压电路6、整流电路7、限流滤波稳压电路8依次电连接,限流滤波稳压电路8与漏电信号处理电路4电连接,所述脱扣线圈2的一端连接火线L,所述降压电路6分别连接零线N和地线PE,所述第一级浪涌保护电路9分别与火线L、零线N、地线PE电连接,所述第二级浪涌保护电路10分别与脱扣线圈2、整流电路7电连接,所述测试电路11与主回路1电连接。
如图1所示,主回路包括火线L、零线N、地线PE,脱扣线圈为线圈KM,漏电信号采样电路包括零序互感器ZT1、电阻R1~R3、电容C2~C3、二极管D8~D9,漏电信号处理电路包括型号为FM2147的漏电芯片U1、电容C5~C7,可控硅控制电路包括二极管D1、晶闸管SCR1,降压电路包括电阻R4~R5、电容C1、电容C4,整流电路包括二极管D2~D7,限流滤波稳压电路包括电阻R6、电容C8、稳压二极管ZD1,第一级浪涌保护电路包括压敏电阻RV1~RV3,第二级浪涌保护电路包括压敏电阻RV4,测试电路包括测试按键TEST、电阻RS,所述线圈KM控制主回路的分断,所述火线L、零线N、地线PE均穿置在零序互感器ZT1内,零序互感器ZT1上绕制有线圈,线圈的两端分别连接电阻R1的两端,所述二极管D8、二极管D9、电容C3均并联在电阻R1的两端,电阻R2的一端连接电容C3的一端,电阻R3的一端连接电容C3的另一端,电阻R2的另一端连接漏电芯片U1的第二引脚,电阻R3的另一端连接漏电芯片U1的第三引脚,漏电芯片U1的第二引脚和第三引脚之间连接有电容C2,所述电容C5的一端连接漏电芯片U1的第五引脚,电容C6的一端连接漏电芯片U1的第六引脚,电容C7的一端连接漏电芯片U1的第七引脚,电容C5的另一端、电容C6的另一端、电容C7的另一端共地连接,所述二极管D1和晶闸管SCR1串联,所述晶闸管SCR1的阴极接地,晶闸管SCR1的控制极连接漏电芯片U1的第五引脚,所述线圈KM的一端连接火线L,二极管D1的正极连接线圈KM的另一端,所述电阻R5并联在电容C1两端,电容C1与二极管D4串联,电容C4与二极管D6串联,二极管D2和二极管D3串联,所述二极管D2的负极分别连接二极管D4的负极和二极管D6的负极,所述二极管D2的正极连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接脱扣线圈的另一端,二极管D3的正极分别连接二极管D5的正极和二极管D7的正极,所述电容C1的一端分别连接二极管D5的负极和零线N,电容C4的一端分别连接地线PE和二极管D7的负极,所述二极管D2的负极连接电阻R6的一端,电阻R6的另一端分别连接稳压二极管ZD1的负极和漏电芯片U1的第八引脚,稳压二极管ZD1的正极接地,电容C8并联在稳压二极管ZD1的两端,所述压敏电阻RV1的一端连接火线L,压敏电阻RV2的一端连接零线N,压敏电阻RV3的一端连接地线PE,所述压敏电阻RV1的另一端、压敏电阻RV2的另一端、压敏电阻RV3的另一端相互连接,所述压敏电阻RV4的一端连接线圈KM的另一端,压敏电阻RV4的另一端连接二极管D3的正极,测试按键TEST和电阻RS串联,测试按键TEST的一端连接火线L,电阻RS的一端连接零线N。

Claims (5)

1.一种带接地及浪涌保护的漏电保护电路,其特征在于:包括用于连接负载的主回路和脱扣线圈、漏电信号采样电路、漏电信号处理电路、可控硅控制电路、降压电路、整流电路、限流滤波稳压电路、第一级浪涌保护电路、第二级浪涌保护电路,所述主回路包括火线L、零线N、地线PE,所述漏电信号采样电路采集主回路的漏电电流,所述漏电信号采样电路与漏电信号处理电路电连接,漏电信号处理电路与可控硅控制电路电连接,可控硅控制电路与脱扣线圈电连接,所述脱扣线圈、降压电路、整流电路、限流滤波稳压电路依次电连接,限流滤波稳压电路与漏电信号处理电路电连接,所述脱扣线圈的一端连接火线L,所述降压电路分别连接零线N和地线PE,所述第一级浪涌保护电路分别与火线L、零线N、地线PE电连接,所述第二级浪涌保护电路分别与脱扣线圈、整流电路电连接。
2.根据权利要求1所述的带接地及浪涌保护的漏电保护电路,其特征在于:所述降压电路包括电阻R4、电阻R5、电容C1、电容C4,所述整流电路包括二极管D2~D7,所述电阻R5并联在电容C1两端,电容C1与二极管D4串联,电容C4与二极管D6串联,二极管D2和二极管D3串联,所述二极管D2的负极分别连接二极管D4的负极和二极管D6的负极,二极管D2的负极连接到限流滤波稳压电路,所述二极管D2的正极连接电阻R4的一端,电阻R4的另一端连接脱扣线圈的另一端,二极管D3的正极分别连接二极管D5的正极和二极管D7的正极,所述电容C1的一端分别连接二极管D5的负极和零线N,电容C4的一端分别连接地线PE和二极管D7的负极。
3.根据权利要求2所述的带接地及浪涌保护的漏电保护电路,其特征在于:所述第二级浪涌保护电路包括压敏电阻RV4,所述压敏电阻RV4的一端连接脱扣线圈的另一端,压敏电阻RV4的另一端连接二极管D3的正极。
4.根据权利要求1或2或3所述的带接地及浪涌保护的漏电保护电路,其特征在于:所述第一级压敏电阻包括压敏电阻RV1、压敏电阻RV2、压敏电阻RV3,所述压敏电阻RV1的一端连接火线L,压敏电阻RV2的一端连接零线N,压敏电阻RV3的一端连接地线PE,所述压敏电阻RV1的另一端、压敏电阻RV2的另一端、压敏电阻RV3的另一端相互连接。
5.根据权利要求1或2或3所述的带接地及浪涌保护的漏电保护电路,其特征在于:所述带接地及浪涌保护的漏电保护电路还包括测试电路,所述测试电路与主回路电连接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN112436483A (zh) * 2020-11-06 2021-03-02 江西百盈高新技术股份有限公司 一种漏电保护电路

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